硅二极管I—V特性及二次击穿计算

利用时域有限差分方法，求解了一维半导体器件内总裁 流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准，而不是通常认为的以电子电离率为准的结论，并构造了一种准确，快捷地计算半导体器件反偏Ｉ－Ｖ特性曲线的方法。     

Ag-DNA的I-V特性及导电机理研究

在扫描隧道显微镜(STM)模式下观测了单根Ag-DNA的细部形貌,发现单根Ag-DNA出现解链并伴有部分碱基呈现混沌现象.测量了梳直在金薄膜电极表面的Ag-DNA及小牛胸腺DNA的电流-电压(I-V)特性曲线,结果表明Ag-DNA束的横向导电能力比纯DNA弱.     

开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护

本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。     

D574集成稳压器二次击穿的研究

本文分析了Ｄ５７４集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理，详细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。     

二次击穿效应

论述了半导体器件工作在二次击穿区域内的特性，研究和总结了可见效应及电效应，这些效应与器件结构及各种工作条件下的电场及载流子分布有关，证明在具有中等和高电阻率的厚集电极情况下，可见损坏面积大，而电变化及损坏较之薄集电极外延层的情况小．     

晶体管二次击穿特性研究

主要从器件的结构与制造角度,详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施,并介绍了一种新型的大功率晶体管结构,对投片生产具有实际的指导意义．     

功率晶体管二次击穿无损测试研究

根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程，设计出可行的二次击穿无损测试系统，并对系统各部分电路的工作原理作了介绍。     

巨型功率晶体管二次击穿检测

概述了双极功率晶体管二次击穿机理.介绍了二次击穿的测试电路和测试方法.讨论了降低电流型二次击穿的方法和防止电流型二次击穿的电路改进措施.     

改善高频大功率晶体管二次击穿提高fT的特殊设计方法

本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ。     

功率晶体管二次击穿无损测试研究

根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程,设计出可行的二次击穿无损测试系统,并对系统各部分电路的工作原理作了介绍     

背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性

在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ＾２时的好。     

超突变结构变容二极管雪崩击穿电压的研究

在改进的超突变结变容二极管掺杂分布模型的基础上，对超突变结构的雪崩击穿电压进行了理论研究并用二分法进行了详细的数值计算，得出了实用的击穿电压和交叉浓度的关系曲线及数据表。本文的推导和计算充分考虑了现行变容管的制作工艺，从而获得了优于Ｋａｎｎｍａ和Ｓｏｕｋｕｐ的掺杂分布模型和计算结果。     

在无水氨气中氮化的氧化物击穿特性的研究

本研究采用在无水氨气中进行氮化氧化物的方法,提高了氧化物的击穿特性.对击穿机理及其处理程序的关系作了较详细的阐述,同时采用照相蚀刻技术,显微镜观察和扫描电子显微镜检测、能谱图等手段、取得了一批较准确的数据和样品.获得在无水氨气中氮化的氧化物击穿特性得到改善的结果,并指出击穿的碰撞电离机理和氮化对改善击穿特性的要点以及控制永久性击穿的决定因素.     

用于空间光调制器光敏层的a—Si：Hpin二极管的研制

报道了用于光寻址快速空间光调制器光敏层的氢化非晶硅ｐｉｎ光敏二极管的设计、制备及光电特性的研究，制得了符合光敏层要求的ｐｉｎ二极管。     

穿通型pn结二极管的击穿电压

提出了一种确定穿通型二极管轻掺杂区一系列参数的方法，在大量数值计算基础上，获得了有效率电离率系数随硅单边穿变结轻掺杂区材料导电类型和电阻率变化的经验公式，把这种解析方法与有效电离率参变量相结合所得结果大电压范围内与数值计算结果符合得相当好。     

中间退火对薄SiO_2膜电击穿特性的影响

本文研究中间退火处理对薄SiO_2膜电击穿特性和高频电容-电压特性的影响。结果表明,在温度θ=950～1100℃和时间t=0～90分钟范围内,薄SiO_2膜的缺陷密度和固定电荷密度随中间退火温度升高和时间增长而减少。与常规后退火比较,中间退火能更有效地改善干氧氧化膜的电击穿特性,也能改善湿氧氧化膜和TCE氧化膜的电击穿特性。经中间退火处理的干氧氧化膜,其固定电荷密度也稍有降低。     

高氏聚合物击穿理论的验证及其在电缆上的应用

高氏聚合物击穿理论虽已发表4年,但是,它的核心部份——电子非辐射能量的转移,尚未被实验验征.本文以一种聚合物作为添加剂,掺杂到聚乙烯中,降低了聚乙烯的深陷阱浓度,增加了浅陷阱浓度。试验结果表明,这种掺杂能明显提高聚乙烯的树枝起始电压和击穿电压,从而间接证明了这种能量转移的存在.与传统的消除静电方法不同,以一种聚合物掺杂到聚乙烯中,几乎不影响聚乙烯作为优良的电介质,但能降低或消除注入的空间电荷效应,因而为今后研制超高压直流塑料电缆的绝缘开辟了新的方向;也为我国目前辐射交联聚乙烯电缆在生产过程中的带电问题找到了解决的办法.     

ATX电源的结构和常见故障分析

介绍了ATX电源的结构，对ATX电源常见故障进行了，指出了维修要点。     

低温下晶体管击穿电压的温度特性与分析

本文给出了从２００Ｋ到１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释