Gd159的衰变——稀土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅱ)

本工作使用高透射率带铁中间象式β谱仪和闪烁谱仪,测量了浓缩同位素纯Gd¹⁵⁹(半衰期为18小时)的β连续谱,γ射线谱,γ-γ和β-γ符合谱。用磁谱仪观察到3个β分支的能量和相对强度的百分比为962(60.6％),800(15.1％)和600(24.3％)千电子伏;它们相应的log ft是6.7,6.9和6.4。在β-γ符合能谱测量中,除观察到上述3个β分支外,还定出端点能量为440千电子伏的β分支。此外,还定出Tb¹⁵⁹的10条γ跃迁的能量和部份γ跃迁的多极性:27,56(M1),80(M1+E2),107,136(M1),198,225(E1+M2),362(E1)和468千电子伏。内转换系数的测量肯定了362千电子伏γ射线的幅射多极性为E1型。在测量结果的基础上拟出Gd¹⁵⁹的衰变纲图。最后并将Tb¹⁵⁵,Tb¹⁵⁷, Tb¹⁵⁹和Tb¹⁶¹的能级数据综合在一起,利用综合模型来比较它们之间核结构的相似性。     

Cs~(134)的衰变

本工作用双磁镜β谱仪,带铁中间象式β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁技术来研究Cs~(134)(半衰期为2.3年)的衰变,定出4个β分支的能量和它们的相对强度的百分比是79(16％),410(5％),652(64％)和683(15％)千电子伏;它们的相应的log ft是6.48,9.34,8.91,9.58.还定出Ba~(134)的9个γ跃迁的能量和它们的多极性是473(E1),564(M1+E2),571(M1),604.8(E2),796(E2),803(E2),1036(E1+M2),1169(E2)和1367(E2)千电子伏。在测量结果的基础上提出了Cs~(134)的衰变纲图。     

Yb~(169)的衰变——稀土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅰ)

本工作用有铁双聚焦β谱仪、双磁镜β谱仪和γ闪烁谱仪测量了Yb~(169)的γ射线的内转换和外转换电子线谱、γ闪烁谱和γ-γ符合能谱。定出了Tm~(169)的14条γ射线的能量和多极性:8.8,20,21,43,63.7(E1),93.9(M1),111(M1),120(E2),131.8(E2),177.5(M1),198(M1),199(M1),240和308(E2)千电子伏。并用正比计数管测量了能量为8.8千电子伏的低能γ射线。在测量结果的基础上拟出Yb~(169)的衰变纲图。最后将Tm~(169)与Tm~(167),Tm~(171)激发能级的实验数据综合一起,来看它们之间核结构的相似性,并与综合模型所预言的结果相比较。     

Cs134的衰变

本工作用双磁镜β谱仪,带铁中间象式β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁技术来研究Cs¹³⁴(半衰期为2.3年)的衰变,定出4个β分支的能量和它们的相对强度的百分比是79(16％),410(5％),652(64％)和683(15％)千电子伏;它们的相应的logft是6.48,9.34,8.91,9.58.还定出Ba¹³⁴的9个γ跃迁的能量和它们的多极性是473(E1),564(M1+E2),571(M1),604.8(E2),796(E2),803(E2),1036(E     

Tb~(160)的衰变—希土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅲ)

本文叙述用双磁镜β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁谱学技术来研究Tb~(160)(半衰期为72天)的衰变。定出了五个β分支,其能量、强度和logft值分别为274千电子伏(9％)7.9,464千电子伏(14％)8.5,562千电子伏(42％)8.1,868千电子伏(34％)8.9,1740千电子伏(0.4％)11.9。确定了二十七条γ射线,其中九条高能量γ射线是新观察到的。按照γ-γ级联关系和γ射线的能量定出了Dy~(160)的十四个激发能级,其能量、自旋和宇称分别为86.6(2+),283.5(4 +),965.7(2+),1048(3+),1198(1—),1264(2—),1287(3—),1358(3—),1398(3—),1566,1591,1658,1696,1721千电子伏。最后就Dy~(160)核的激发能级的特性及其运动形态加以讨论。     

Yb169的衰变——稀土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅰ)

本工作用有铁双聚焦β谱仪、双磁镜β谱仪和γ闪烁谱仪测量了Yb¹⁶⁹的γ射线的内转换和外转换电子线谱、γ闪烁谱和γ-γ符合能谱。定出了Tm¹⁶⁹的14条γ射线的能量和多极性:8.8,20,21,43,63.7(E1),93.9(M1),111(M1),120(E2),131.8(E2),177.5(M1),198(M1),199(M1),240和308(E2)千电子伏。并用正比计数管测量了能量为8.8千电子伏的低能γ射线。在测量结果的基础上拟出Yb¹⁶⁹的衰变纲图。最后将Tm¹⁶⁹与Tm¹⁶⁷,Tm¹⁷¹激发能级的实验数据综合一起,来看它们之间核结构的相似性,并与综合模型所预言的结果相比较。     

Tb160的衰变—希土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅲ)

本文叙述用双磁镜β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁谱学技术来研究Tb¹⁶⁰(半衰期为72天)的衰变。定出了五个β分支,其能量、强度和logft值分别为274千电子伏(9％)7.9,464千电子伏(14％)8.5,562千电子伏(42％)8.1,868千电子伏(34％)8.9,1740千电子伏(0.4％)11.9。确定了二十七条γ射线,其中九条高能量γ射线是新观察到的。按照γ-γ级联关系和γ射线的能量定出了Dy¹⁶⁰的十四个激发能级,其能量、自旋和宇称分别为86.6(2+),283.5(4+),965.7(2+),1048(3+),1198(1—),1264(2—),1287(3—),1358(3—),1398(3—),1566,1591,1658,1696,1721千电子伏。最后就Dy¹⁶⁰核的激发能级的特性及其运动形态加以讨论。     

Mg~(24)的转动能级的初步研究

直到目前为止,Mg~(24)的能级、自旋、宇称之在5.24兆电子伏以下者都已准确测定,但对5.24兆电子伏以上者,实验结果尚多分歧。Mg~(24)能级的转动带的特征虽已可肯定,但实验值4.12兆电子伏和从简单的转动能级公式算出的数值4.6兆电子伏的差别,远超过实验误差的范围,对于简单的理论的修正可有两个来源,即振动转动相互作用和转动微扰。本文指出,单考虑一方面的修正不能合理地说明实验事实,只有同时考虑上述两方面的修正才能完满地理解能级的实验结果,并且说明最近测出的γ跃迁分支比和E(2)/M(1)比。     

~(70)As(β~++EC)衰变到~(70)Ge的低自旋激发态（英文）

通过~(70)As的放射性衰变研究了~(70)Ge的激发态,新发现能量为1 036.99,1 196.66,1 539.29和2 531.7 keV的四条新γ射线,重新确认了2 219.34 keVγ射线的跃迁位置,新确认496.74,1 295.24和1 417.24 keV这三条γ射线首次放入衰变纲图,本工作证实了1 881.67,2 325.42和2 424.41 keVγ射线的跃迁位置,建议了能量为4 243.10和5 265.81 keV的两个新能级,建立了新的衰变纲图,基于比较半衰期和γ跃迁分支比建议了一些能级的自旋-宇称。     

紫外激发Ba_2SiO_4∶Gd~(3+),Tb~(3+)的发光性能

采用高温固相法合成了可被紫外光激发的Ba_2SiO_4∶Gd~(3+),Tb~(3+)荧光粉。考察了激活离子掺杂量等因素对发光性能的影响。通过X射线衍射(XRD)、荧光(FL)光谱和荧光寿命曲线对所合成样品的结构和发光性能进行表征,研究了Gd~(3+)和Tb~(3+)的特征吸收波长激发Ba_2SiO_4∶Gd~(3+),Tb~(3+)的发光性能。在275 nm(Gd~(3+):8S7/2→6IJ)激发下,检测到了Tb~(3+)的特征发射。通过对比不同Tb~(3+)掺杂量下Gd~(3+):~6P_(7/2)能级的衰减曲线,发现随着Tb~(3+)掺杂浓度的增加,该能级的荧光寿命不断缩短,表明样品中存在Gd~(3+)→Tb~(3+)的能量传递,传递方式为无辐射共振能量传递。在244 nm(Tb~(3+):4f~8→4f~75d~1)激发下,Gd~(3+)的掺入使得Tb~(3+)的~5D_3能级的发射逐渐减弱,5D4能级的发射增强。Gd~(3+)的掺入使得544 nm(~5D_4→~7F_5)处的特征发射增强了59%~128%,结合荧光衰减曲线得出Gd~(3+)的掺入对Tb~(3+)能级中~5D_3→~5D_4与~7F_6→~7F_0交叉驰豫有促进作用。     

Mg24的转动能级的初步研究

直到目前为止,Mg²⁴的能级、自旋、宇称之在5.24兆电子伏以下者都已准确测定,但对5.24兆电子伏以上者,实验结果尚多分歧。Mg²⁴能级的转动带的特征虽已可肯定,但实验值4.12兆电子伏和从简单的转动能级公式算出的数值4.6兆电子伏的差别,远超过实验误差的范围,对于简单的理论的修正可有两个来源,即振动转动相互作用和转动微扰。本文指出,单考虑一方面的修正不能合理地说明实验事实,只有同时考虑上述两方面的修正才能完满地理解能级的实验结果,并且说明最近测出的γ跃迁分支比和E(2)/M(1)比。     

基础课量纲分析法教学举例(下)

例9　原子激发态的平均寿命r 原子由高能级跃迁到低能级,放出一个光子,其能量ω等于跃迁前后两能级之差。ω接近于电子的轨道角频率ω0,作为数量级估计,可取ω0～ω。跃迁是一个量子力学过程,但性质类似于电动力学中的电磁辐射问题。 原子的光学跃迁通常表现为电偶极(E1型)跃迁,其寿命较短。如电偶极跃迁被量子数的选择定则禁止,则跃迁表现为磁偶极 (M1)型或电四极(E2)型,等等。平均寿命r的数量级可以估计如下: E1型如取-ea,a为原子半径则例如,相当于可见光谱的原子跃迁,如取求得Ml型多极数更高的跃迁可以从此类推,马十l型和MI型跃迁的平…     

低能氢原子在氮气和氢气中剥离截面的初步测量

本文报导了氮气(N_2)和氢气(H_2)对氢原子束剥离截面的测量系统及实验结果。当氢原子束能量从0.6千电子伏增至10千电子伏时,氮气截面由1.3×10~-17厘米增至2.44×10~-16厘米,当氢原子束能量从1千电子伏增至10千电子伏时,氢气截面在(2—6)×10~(-17)厘米。范围内变化。     

相对论平均场理论对A～130区E(5)关键点核的研究

利用形变约束的相对论平均场理论系统地研究了A～130区Ba,Xe和Te同位素偶－偶核的基态性质, 理论计算数据和实验数据符合得非常好. 详细分析了这些核的位能曲面、费米能和γ跃迁能量的分支比, 给出了¹³⁶Ba,^132,134Xe具有E(5)对称性的预言. 对于^128,130,132Te这3个核, 理论计算的结果表明其具有E(5)对称性, 但γ跃迁能量的分支比的实验值不支持理论结果. 此3个核是否为关键点核有待于实验的进一步检验.     

通过测量~(137)Cs的β衰变和内转换电子能谱研究其衰变特性

本研究用Si(Li)漂移探测器测量了~(137)Cs的β衰变能谱和内转电子能谱,对β衰变能谱进行了居里描绘和从内转电子能谱取得了内转换系数.得到β衰变的最大能量为(513.11±1.76)ke V,与参考值误差为0.17%;得到内转换系数K/L=5.712±0.217和M/L=0.264±0.018,与参考值的误差分别为0.92%和1.54%;并确定了~(137)Cs在β和γ衰变中的跃迁级次,给出了~(137)Cs及其衰变子核137Ba各能级的自旋和宇称,绘制出了~(137)Cs的衰变纲图.说明该实验方法是可靠的,可用于实验方面的教学和原子核结构的研究,并为其提供必要的实验数据.     

CaMoO_4:Tb~(3+)发光材料的制备和发光性质的研究

用共沉淀法制备了样品CaMoO_4:Tb~(3+)的前驱物,经TG-DTA测试表明:样品在850℃时有能量吸收峰,即达到样品反应的活化点。XRD谱图分析显示,焙烧后样品CaMoO_4:Tb~(3+)为CaMoO_4的白钨矿结构,但峰位发生了右移,说明晶体内部产生了微小的晶体缺陷,推测该缺陷可能是由晶胞内2个Tb~(3+)取代了3个Ca~(2+)形成空穴而引发的。通过对激发谱图的测试发现,此种缺陷结构有利于使MoO_4~(2-)发射特征峰(488 nm)的能量有效地传递给Tb~(3+),使Tb~(3+)的4f电子发生跃迁,特别使Tb~(3+)的~7F_6→~5D_4(488 nm)电子跃迁大大加强,因而在样品CaMoO_4:Tb~(3+)的发射谱图(λ_(ex)=488 nm)中,自激活荧光体MoO_4~(2-)的发射强度被大大减弱,而Tb~(3+)的~5D_4→~7F_5(544 nm)跃迁的绿光发光强度被大大增强,使该材料成为有潜在应用价值的发光材料。     

Na~(23)(ρ,α)反应的两个很靠近的共振能级

在质子能量为1416千电子伏的附近,测量了Na~(23)(p,α)反应的α_0激发曲线。在这里过去认为只有一个共振能级,现在发现有两个能级存在:一个在质子能量为1416.8千电子伏处;另一个在1410.4千电子伏处,这个能级主要通过放出α粒子而衰变到Ne~(20)的基态。     

穿透介质的光子能量的精密测量

我们用由无反冲原子核γ射线和共振吸收体组成的谱仪测量能量为14.4keV的γ光子穿过介质前后的能量,比较这两种情况下谱线峰的位置,来确定光子的能量变化。实验测量结果表明,穿过介质后的光子能量和原来光子能量很好符合,二者在4×10^-10电子伏的精确度以内相等。     

~(183)W5.2秒同质异能态的一条新跃迁分支

在用14.8MeV中子轰击天然钨样品时,观察到了一条γ射线,其能量为291.7keV,以5.17±0.03秒的半衰期衰变。根据实验事实,我们假设~(183)W的5.2秒同质异能态衰变中除了已知的两条跃迁分支外,还存在11/2~ 11/2[615]→5/2~-3/2[512]态的另一条同质异能(E3)跃迁。计算了这条新跃迁分支的受阻因子,它与K~-禁戒同质异能跃迁的一般经验规则很好相符。     

新型Gd2SiO5:RE荧光粉的制备和发光性能

以Gd_2O_3、SiO、稀土氧化物为原料采用高温固相法制备了Gd_(2(1-x))SiO_5∶2xRE荧光粉体。X射线衍射分析结果表明Gd/Si配比为1.9,BaF_2助熔剂用量为5‰,煅烧条件为1500℃保温3h得到结晶良好的Gd_2SiO_5及Gd_2SiO_5∶RE粉体。光谱分析表明,Gd_2SiO_5∶Eu荧光粉末激发波段为250～470nm,而Gd_2SiO_5∶Tb为250～320nm;前者发射主峰为620nm(与Eu~(3+)的~5D_0→~7F_2对应),后者为548nm(与Tb~(3+)的~5D_4→~7F_5对应);Eu~(3+)和Tb~(3+)的最佳掺杂量为7%。f_a(E)和发射带f_e(E)交叠越大,则电偶极-电偶极作用机制的跃迁几率越高,Gd~(3+)-Tb~(3+)能带交叠程度大于Gd~(3+)-Eu~(3+),Tb~(3+)的量子效率要高于Eu~(3+)。