结构参数K与过渡元素卤化物标准生成焓的关系研究

把键参数和量子数引入原子点价,重新定义原子点价为δki,并用δki构建分子结构参数K.K与33种AnXm型过渡元素卤化物的标准生成焓-ΔfHθm呈现高度的相关性,并给出了相关方程,其相关系数为0.991 0.与其它结构参数相比,本参数的计算更为准确.用此模型预测了5个过渡元素卤化物的-ΔfHθm,得到了满意的结果,表明该模型较好地提示了过渡元素卤化物-ΔfHθm的共同规律.     

一种含马来酰亚胺环氧树脂固化剂的合成与结构、光谱和热力学性质研究

以马来酸酐、对硝基苯胺、环氧氯丙烷为原料,首先合成出N-(4-硝基苯基)马来酰亚胺(NPMI)、再将其催化还原成N-(4-氨基苯基)马来酰亚胺(APMI),最后以APMI与环氧氯丙烷反应合成出一种新型的含马来酰亚胺环氧树脂固化剂N-(4-氨基苯基马来酰亚胺)二缩水甘油胺(MPDGA).采用密度泛函理论B3LYP/6-311++G(d,p)方法,研究了所合成的MPDGA分子的几何结构、电子结构及热力学性质.获得了它们的红外光谱、电子光谱和分子轨道图,以及标准摩尔热容C_(pm)~θ、标准摩尔熵S_m~θ、标准摩尔焓H_m~θ等气态热力学性质与温度的变化关系,同时获得了MPDGA分子的标准摩尔生成焓Δ_fH_m~θ和标准摩尔生成自由能ΔfGθm数据.     

用分子子图法计算硝基呋咱化合物的生成热

用新的分子子图法计算硝基呋咱类化合物的生成热 ,将呋咱基团视为母体 ,即基子图项 ;硝基、叠氮基、甲基、氰基拆分为一个个原子 ,从原子的角度来分分子子图 ,将碳、氢、氧、氮原子视为取代基 ,即亚子图项 .同时考虑呋咱基团的个数 ,考虑 1位、2位、3位、4位上碳、氢、氧、氮原子及双键、叁键对生成热的影响 ,还考虑不饱和度、总硝基个数、环的个数 (除呋咱环 )、氮氮及氮氧双键的个数对生成热的影响 .用这种新的分子子图编码方法 ,对硝基呋咱化合物的生成热进行了拟合和预估 ,取得了满意的结果 ,其回归方程的相关系数达到了 0 .995 4 .     

光纤通信光开关的物理基础(续)

4　热光开关热光开关和电光开关的结构可以相同 ,但是产生开关效应的机理不同 .这里的热光效应是指通过电流加热的方法 ,使介质的温度变化 ,导致光在介质中传播的折射率和相位发生改变的物理效应 .折射率随温度的变化关系为n(T) =n0 +Δn(T) =n0 + n TΔT=n0 +αΔT(6 9)式中 n0 为温度变化之前的折射率 ,ΔT为温度的变化 ,α为热光系数 ,它与材料的种类有关 .表 3是几种材料的热光系数 .表 3　几种材料的热光系数材料 α/ (10 - 4K- 1 )L i Nb O30 .0 4 3Si 2Si O2 1.1聚合物 1　　Δn将引起相位变化为Δφ=2 πΔn L/ λ0 =2 παL…     

中微子振荡实验的进展

综述了已投入运行的中微子实验的简况 ,评述了这些实验所获得的初步结果 ,即可能的中微子振荡区域 ,其中包括MSW效应的三个区域 : υμ→ υe,Δm2 =1 0 0 ～ 1 0 - 1 eV2 ,sin2 2θ=1 0 - 3～ 1 0 - 1 ;υμ→υτ,Δm2 =1 0 - 2 ～ 1 0 - 3eV2 ,sin2 2θ=0 .8～ 1 ;υe→υx,Δm2 =1 0 - 4～ 1 0 - 6eV2 ,sin2 2θ=1 0 - 3～ 1 ;以及真空振荡区域 :υe→υx,Δm2 =1 0 - 9～ 1 0 - 1 1 eV2 ,sin2 2θ=0 .5～ 1。最后 ,讨论了中微子振荡实验的发展趋势     

价电子平均能级连接性指数及其应用

定义价电子平均能级（i）为：i=(ni-1)(ni+ΣEij)0.5/(1+mi)。由δi建构分子连接性指数（mQ）,其中,0Q=Σ(i)-0.5、1Q=Σ(ij)-0.5。0Q与无机物总键能ΔE、0Q2与过渡元素卤化物的ΔfHmθ、1Q0.5与碱金属卤化物晶格能U、0Q及1Q与无机氢化物pKa的相关系数分别为0.9734、0.9769、0.9906、0.9945,均优于文献方法。mQ是一种结构选择性、性质相关性俱佳的拓扑指数。     

SrAl12O19∶Pr3+中的热激发

研究了SrAl12O19∶Pr3+的光谱中3P1 和1I6的发射. 用3P1→3H5与3P0→3H5发射强度之比测量了温度，通过1I6→1G4与3P0→1G4发射强度之比，讨论了热激发对3P0可见光发射效率的影响. 关键词： 热激发 温度测量 三价镨离子     

拓扑指数与掺杂铁基砷化物超导电性的关系

构建了电性连接线指数mF和价电子能级连接性指数mE;计算了掺杂铁基砷化物体系的0级拓扑指数0F和0E;发现与超导转变温度T之间有良好的规律性.据此,文中提出以电性连接性指数mF和价电子能级连接性指数mE作为掺杂铁基砷化物体系超导电性的判据.     

拓扑指数与掺杂二硼化镁体系超导电性的关系

构建了电性连接性指数mF和价电子能级连接性指数mE,计算了二硼化镁体及掺杂二硼化镁体系的0阶拓扑指数0F和0E,发现与超导转变温度Tc之间有良好的规律性,因此,本文提出以电性连接性指数mF和价电子能级连接性指数mE作为掺杂二硼化镁体系超导电性的新判据.     

高压下Co在Zr46．75Ti8．25Cu7．5Ni10Be27．5大块金属玻璃过冷液相区中的扩散

通过离子注入结合二次离子质谱分析方法 ,研究了高压下Co在Zr4 6 .75Ti8.2 5Cu7.5Ni1 0 Be2 7.5大块金属玻璃过冷液相区中的扩散行为 .在 6 0 3K时 ,Co在Zr4 6 .75Ti8.2 5Cu7.5Ni1 0 Be2 7.5大块金属玻璃中的扩散系数随压力的增大而增大 ,其扩散激活体积ΔV =- 1.2 36Ω ,Ω是合金的平均原子体积 .结果表明 ,在热平衡状态下Co在Zr4 6 .75Ti8.2 5Cu7.5Ni1 0Be2 7.5大块金属玻璃中的扩散是通过间隙机理进行的     

电负性/价电子轨道能拓扑指数与MgB_2体系转变温度的关系

利用电负性拓扑指数mF和价电子轨道能量拓扑指数mX的0阶指数0F和0V分别计算了MgB2及其掺杂MgB2体系的0F、0V发现其与超导转变温度Tc之间有良好的规律性,转变温度高的物质在最佳掺杂范围对应的0F和0V分别为2.9034-2.9509和3.9218-3.8613内。因此本文就以0F0、V作为掺杂MgB2体系超导电性的一个判据来选取掺杂物及浓度以提高转变温度,为实验工作者今后探索更好的掺杂MgB2体系超导物提供了一个很好的经验借鉴。     

Melting temperature and enthalpy variations of phase change materials (PCMs): a differential scanning calorimetry (DSC) analysis

Differential scanning calorimetry (DSC) analysis is a standard thermal analysis technique used to determine the phase transition temperature, enthalpy, heat of fusion, specific heat and activation energy of phase change materials (PCMs). To determine the appropriate heating rate and sample mass, various DSC measurements were carried out using two kinds of PCMs, namely N-octadecane paraffin and calcium chloride hexahydrate. The variations in phase transition temperature, enthalpy, heat of fusion, specific heat and activation energy were observed within applicable heating rates and sample masses. It was found that the phase transition temperature range increased with increasing heating rate and sample mass; while the heat of fusion varied without any established pattern. The specific heat decreased with the increase of heating rate and sample mass. For accuracy purpose, it is recommended that for PCMs with high thermal conductivity (e.g. hydrated salt) the focus will be on heating rate rather than sample mass.     

The link between the ionization potential and heat of formation for organic homologous compounds

Based on the relationship between the heat of formation and the change of valence electronic energy in the formation of a compound from its component atoms, and combined with the relationship between the first ionization potential and the average valence electronic energy, the direct link of ionization potential, Ip, with the heat of formation, ΔH⁰_f, was deduced for organic homologous compounds, that is, where N_ve,m is the number of valence electrons in molecule, SVEE_x is the sum of valence electronic energy of isolated atoms forming the molecule, the term expresses the initial‐state effect of the molecule, and the symbol R_m represents its final‐state effect (polarizability effect). The above equation was confirmed by the correlations between the ionization potentials and the heat of formation of alkanes, alkenes, monosubstituted alkanes RY (Y = OH, NH₂, SH, Cl, Br, and I), in which all the expressions have good correlations with correlation coefficients more than 0.9990. With the obtained correlation equations, the ionization potentials of some monosubstituted alkanes were predicted from their experimental heats of formation. The result provides a new insight into the intercorrelation between the ionization potential and the heat of formation for organic homologous compounds. Copyright © 2007 John Wiley & Sons, Ltd.     

热学中的新物理量

通过与力学、电学的比拟,在热学中引入了热量的势、势能、速度、动能等新的物理量,从而可建立热量运动的守恒方程组.热量传递是不可逆过程,耗散的是热量的"能量".以耗散最小(热阻最小)为目标函数,就能对传热过程进行优化.傅立叶导热定律是热量运动方程在不计动量变化条件下的简化.在极端(低温、超高速、纳米尺度)条件下不再适用,引入新物理量后,能阐明热波、导热系数尺度效应等"超常"物理现象.     

替位杂质对贵金属(111)表面稳定性影响的分子动力学研究

采用嵌入原子方法的原子间相互作用势，通过分子动力学方法研究了过渡族金属Cu，Ag，Au，Ni，Pd，Pt(111)表面的相互替位掺杂对表面稳定性的影响，计算了替位掺杂体系的表面能与表面空位形成能，探讨了影响表面稳定性的因素及其变化规律. 计算表明：替位杂质对表面能变化的影响主要是替位杂质的凝聚能和原子半径，而影响空位形成能变化的原因除凝聚能和原子半径外，合金溶解热具有重要的作用. 此外，通过替位杂质导致的体系表面能变化对合金体系的偏析行为进行了预测，理论预测与实验结果符合很好. 关键词： 替位杂质 贵金属 表面能 表面空位形成能     

六方AlN本征缺陷的第一性原理研究

用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结构进行优化，得到其稳定结构；然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度；最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析.发现除氮空位外其他本征缺陷在带隙中形成的能级都很深，要得到n型或p型AlN必须要引入外来杂质.计算得到的本征缺陷能级对于分析AlN的一些非带边辐射机理有重要帮助. 关键词： 六方AlN 形成能 缺陷能级 态密度     

Low sputter damage of metal single crystalline surfaces investigated with medium energy ion scattering spectroscopy

It was observed clearly that the sputter damage due to Ar⁺ ion bombardment on metal single crystalline surfaces is extremely low and the local surface atomic structure is preserved, which is totally different from semiconductor single crystalline surfaces. Medium energy ion scattering spectroscopy (MEIS) shows that there is little irradiation damage on the metal single crystalline surfaces such as Pt(111), Pt(100), and Cu(111), in contrast to the semiconductor Si(100) surfaces, for the ion energy of 3–7 keV even above 10¹⁶–10¹⁷ ions/cm² ion doses at room temperature. However, low energy electron diffraction (LEED) spots became blurred after bombardment. Transmission Electron Microscopy (TEM) studies of a Pt polycrystalline thin film showed formation of dislocations after sputtering. Complementary MEIS, LEED and TEM data show that on sputtered single-crystal metal surfaces, metal atoms recrystallize at room temperature after each ion impact. After repeated ion impacts, local defects accumulate to degrade long range orders.