微通道板电子透射膜的工作特性

利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了4 nm厚Al2O3非晶态电子透射膜,此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染. 探讨了贴膜与气体辉光放电的关系,测量了MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性. 实验表明,4 nm厚Al2O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子,阻止反馈离子.     

薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计

O484.1 2004053087 MCP电子透射膜的制备及半视场特性=Fabrication of electron transmission film at the input of MCP and its half view properties[刊,中]/闫金良(烟台师范学院物理系,山东,烟台(264025))∥半导体光电,—2004,25(3),—188-190,241 介绍了微通道板(MCP)电子透射膜在成像器件中的     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN152 2005032129 微通道板离子壁垒膜及其特性=MCP ion barrier film and its characteristics[刊,中]／姜德龙(长春理工大学光电子技 术所,吉林,长春(130022)),吴奎…∥发光学报．-2004, 25(6).-737-742 介绍了微光像管中微通道板离子壁垒膜及其形成技 术,研究了其粒子(电子和离子)透过特性。给出了死电压 概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对 比测试结果;给出了采用X射线光电子能谱(XPS)进行成     

微通道板离子壁垒膜粒子阻透特性的蒙特卡罗模拟

在三代微光像管中,微通道板(MCP)输入面上覆盖一层超薄离子壁垒膜(IBF),目的是保护光电阴极,延长像管使用寿命.为了深入研究离子壁垒膜的特性,本文对Al2O3和SiO2两种离子壁垒膜的粒子阻透能力进行了蒙特卡罗模拟,结果表明:5 nm厚Al2O3和SiO2离子壁垒膜的死电压分别为230 ～240 V和220～230...     

SiO2防离子反馈膜的制备及其性能

防离子反馈膜是一种覆盖在微通道板输入端的Al2O3或SiO2连续超薄膜,该膜对延长微光像管的使用寿命具有重要的作用。首先采用射频磁控溅射方法在0.5～1μm的有机载膜上制备Si薄膜,然后在4～6Pa氧气下放电使其贴敷到微通道板上,同时使Si膜氧化和有机载膜分解,最后在微通道板输入面上形成满足设计要求的SiO2防离子反馈膜。该制膜方法工艺稳定,重复性好,成品率超过90%。给出了有、无薄膜时微通道板的电子透过特性曲线和膜层厚度与死电压间关系曲线。对相同厚度为5nm的SiO2和Al2O3防离子反馈膜的电子透过特性进行了分析和比较,得出了SiO2比Al2O3薄膜对电子透过稍好,相应的死电压分别为220V和255V的结论。结合对膜层电子透过和离子阻止特性的综合分析可以看出,SiO2也是制作微通道板防离子反馈膜较为理想的材料之一。为了定量表征微通道板防离子反馈膜的离子阻止能力,最后指出了防离子反馈膜离子透过率的测量是今后该项研究工作的当务之急。     

集成光学 光电集成与器件

TN256 2005053606 侧蚀对脊形掺铒光波导放大器净增益的影响=Simulation for the net gains of rib Er-doped waveguide amplifiers and effect of side-sculpture on the net gains[刊,中]／李成仁(辽 宁师范大学物理系．辽宁,大连(116029)),宋昌烈…∥半 导体光电．-2005,26(1)．-14-18,21 用限元方法分析了脊形掺铒Al2O3光波导放大器内 部信号光和泵浦光的电磁场模式分布,结合速率方程和传 输方程,数值模拟了脊形Er:Al2O3光波导放大器的净增 益特性,讨论了光波导侧蚀对放大器净增益的影响。图10 参14(严寒)     

信息光学 全息术与器件

O438.1 2005010316 新型体全息窄带滤光器的光学特性研究=Study on optical properties of novel volume holographic notch filter[刊, 中]／欧阳艳东(汕头大学物理系.广东,汕头(515063)),黄翀…∥功能材料与器件学报.-2004,10(1)．-120-122 用紫外／可见分光光度计测定由DCG记录的透射式体全息窄带带阻滤光器的光谱特性,分析其滤波特性。测量结果分析表明,滤光器有较窄的带宽,其半宽度小于13 mn,1／10宽度小于19 nm。在400-800 nm可见光区域,     

TiN/Al2O3纳米多层膜的共格外延生长及超硬效应

采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al2O3调制层厚度的TiN/Al2O3纳米多层膜.利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能.研究结果表明,在TiN/Al2O3纳米多层膜中,单层膜时以非晶态存在的Al2O3层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化,并与TiN层形成共格外延生长,相应地,多层膜产生硬度明显升高的超硬效应,最高硬度可达37.9 GPa.进一步增加多层膜中Al2O3调制层的层厚度,Al2O3层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长,使得多层膜的硬度逐步降低.     

微通道板离子壁垒膜及其特性

介绍了微光像管中微通道板离子壁垒膜及其形成技术,研究了其粒子(电子和离子)透过特性。给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出采用X射线光电子能谱(XPS)进行成分分析的结果。介绍了离子壁垒膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题。     

光电子技术与器件 其他

O462.32006010606CsI/MCP X射线阴极及其在低强度X射线影像仪中的应用=CsI/MCP X-ray cathode and its application in lixis-cope[刊,中]/吴奎(长春理工大学.吉林,长春(130022)),新梅…∥发光学报.—2005,26(6).—813-818报道了X射线阴极的光电发射原理,给出CsI/MCPX射线阴极的制作方法。分析了反射式和透射式X射线阴极的量子效率和噪声特点,提出了改进工艺,给出CsI/MCP的输出特性和扫描电镜正面和剖面照片,且指出Lixiscope的发展以及在生物医学中的应用前景。图9表2参4(严寒)O462.32006010607利用梯度掺杂获得高量子效率的Ga…     

4H-SiC基底Al_2O_3/SiO_2双层减反射膜的设计和制备

在4H-SiC基底上设计并制备了Al2O3SiO2紫外双层减反射膜,通过扫描电镜(SEM)和实测反射率谱来验证理论设计的正确性.利用编程计算得到Al2O2和SiO2的最优物理膜厚分别为42.0 nm和96.1 nm以及参考波长λ=280 nm处最小反射率为0.09%.由误差分析可知,实际镀膜时保持双层膜厚度之和与理论值一致有利于降低膜系反射率.实验中应当准确控制SiO2折射率并使Al2O3折射率接近1.715.用电子束蒸发法在4H-SiC基底上淀积Al2O3SiO2双层膜,厚度分别为42 nm和96 nm.SEM截面图表明淀积的薄膜和基底间具有较强的附着力.实测反射率极小值为0.33%,对应λ=276 nm,与理论结果吻合较好.与传统SiO2单层膜相比,Al2O3SiO2双层膜具有反射率小,波长选择性好等优点,从而论证了其在4H-SiC基紫外光电器件减反射膜上具有较好的应用前景.     

Al_2O_3微孔膜对60keV O~+离子的“导向”效应

在不同入射角度条件下,研究了60keV的O+离子入射孔径分别为50nm和30nm,厚度为10μmAl2O3微孔膜的角分布.实验结果表明离子透射微孔膜时发生了导向效应,随着入射角度的增大,透射于孔径大的微孔膜离子计数下降比较快,透射于孔径小的微孔膜离子计数下降比较缓慢.建立了一个初步的理论模型,对以上现象给出了较好的解释.     

卫星激光通信滤光膜的研制

为满足卫星激光通信中超高速数据传输的特殊要求,采用电子束和离子辅助沉积技术,制备了532nm、632nm和1 064nm波长处高反射,808nm和1 550nm处高透射的多波段滤光膜.选取了H4和SiO2作为高低折射率材料,通过对膜系设计曲线的不断优化,减少了灵敏层的个数,得到了相对易于制备的膜系结构;采用电子束加热蒸发方法并加以离子辅助沉积系统制备薄膜,采用光控与晶控同时监控的方法控制膜厚;通过不断调整工艺,提高了薄膜的抗激光损伤能力,减小了膜厚控制误差,提高了透射波段的透过率及反射波段的反射率,最终得到了光谱性能较好的滤光膜.该薄膜能够承受雨淋、盐雾、高低温等环境测试,满足使用要求.     

薄膜光学 薄膜材料与器件

O484.1 2007054584Cd WO4膜的制备及发光特性的研究=Luminescence of Cd WO4fil ms prepared by spray pyrolysis[刊,中]/娄志东(北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室.北京(100044)) ,衣兰杰…//液晶与显示.? 2007 ,22(2) .? 162-166利用一种软化学合成方法—喷雾热解法,在玻璃基底上制备了钨酸镉(Cd WO4)发光膜,研究了其结构、吸收光谱、光致发光及较低电压下的阴极射线发光特性。由吸收光谱估算出Cd WO4膜的禁带宽度约为3 .70 eV。当基底温度在350 ℃以上时,生成的Cd WO4膜在紫外光及阴极射线激发下发…     

生物厚靶的He+离子透射能谱

测量了500keV—1MeV的He⁺离子穿过50—90μm厚度的玉米种皮、葡萄果皮和西红柿果皮的透射能谱．结果表明这些生物厚靶是不均匀的,存在着类似于“沟道”的开放通道,沿着这些通道入射离子可以容易地透过靶材料．虽然大多数离子停留在靶中,但一部分透射离子只损失很少的能量．透射能谱显示出一种纯粹的电子阻止特征．30μm厚度样品的透射电子显微镜图谱(TEM)显示150keV的电子可以穿过这些样品得到很清晰的图象．β-1,4葡聚糖是生物种皮或果皮细胞壁的重要的组成部分,计算了该分子链的电子     

微通道板电子透射膜工艺的AES研究

用冷基底溅射方法和静电贴膜方法分别在微通道板表面制备了电子透射膜,采用俄歇电子能谱(AES)研究了两种工艺制备的微通道板电子透射膜的薄膜成分,微通道板电子透射膜工艺失败微通道板通道表面的成分和通道内壁的成分随深度的变化. 结果表明,冷基底溅射方法制膜工艺的失败对MCP造成了严重的碳污染,污染的MCP不可回收;静电贴膜方法制膜工艺的失败对MCP通道表面没有明显影响,MCP可回收利用.     

A Kα线的化学位移与A离子价电子配置的关系

籍SCC-DV-Xα法,用[AlO_4]~(5-)和[AlO_6]~(9-)模型计算了Al离子的轨道占有率和配位数所引起的Al Kα线化学位移。这是基于下述考虑。对[AlO_(?)]~(?)基团,相对于中性自由Al原子的Al Kα线化学位移ΔE(m),可以用下式表示。ΔE(m)=(ΔE_(3p)+ΔE_3(?)+ΔE_(3d))+ΔE。其中,ΔE_3s、ΔE_3p和ΔE_3d分别为Al离子的3s、3p和3d电子数的变化所引起的AlKα线位移,ΔE_o为O离子电场不同所引起的位移。计算结果表明:(1)4配位Al离子的3p和3d电子数显著高于6配位Al。(2)配位数不同所产生的AlKα线位移主要取决于Al离子本身的电荷量及其价电子配置。而且,此位移主要是3p电子数的变化所引起。3d电子数的变化则导致Al Kα线向相反方向位移,并且其值甚小。     

30．4nmCr／AI／Cr自支撑滤光片的研制

依据材料的质量吸收系数和波长的关系,选择Cr和Al设计和制备30．4nm自支撑滤光片。在制备时以NaCl为脱膜剂,以热蒸发方式蒸镀Al,以电子束蒸发方式蒸镀Cr,制备了30．4nm的Cr／Al／Cr自支撑滤光膜,并对滤光片的表面缺陷进行了分析。通过显微镜观察,滤光膜均匀纯净,无明显针孔。Cr／Al／Cr自支撑滤光片在合肥国家同步辐射实验室进行了测量,Cr／Al／Or厚度为5nm／500nm／5nm和12．5nm／500nm／12．5nm的滤光片在30．4nm波长处的透过率分别为7．6％和4．6％,透过率曲线和理论计算基本一致。用紫外分光光度计测量得滤光片在200-800nm波长范围的透过率小于0．02％,满足使用要求。     

三代管MCP离子阻挡膜研究

三代管中GaAs光电阴极的表面Cs-O层经不住正离子的轰击,但在MCP的通道内,由于二次电子倍增,在MCP通道的输出端,电子密度较大,所以MCP通道内的残余气体分子就会被电离,正离子在电场的作用下向阴极方向运动,最终轰击阴极的表面Cs-O层,使阴极的灵敏度衰退.所以在MCP的输入端制作一层Al₂O₃离子阻挡膜对延长阴极的寿命是至关重要的作用.本文介绍了MCP离子阻挡膜的离子阻挡和电子透射原理,离子阻挡膜厚度的确定以及离子阻挡膜的制作工艺.     

钙铝镁合金阴极对WOLED器件性能的影响

采用Ca/Al/Mg合金作为器件的阴极,基于红绿/蓝双发光层制作了6种白色磷光OLED器件,器件结构为ITO/MoO₃ (30 nm)/NPB (40 nm)/mCP:Firpic (8%,40 nm)/CBP:R-4B (2%):Ir(ppy)₃ (14%,5 nm)/TPBi (10 nm)/Alq₃(40 nm)/Ca:Al:Mg (x%,100 nm) (x=0,5,10,15,20,25)。通过改变Mg的掺杂比例,研究了不同比例的Ca/Al/Mg合金阴极对器件性能的影响。结果表明:Mg质量分数为15%的Ca/Al/Mg阴极具有良好的电子注入特性,有效改善了器件的发光特性,最大发光亮度可达1 504 cd/m²,效率达到最大值14.3 cd/A,色坐标接近(0.46, 0.42)。