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电子的隧穿时间是描述量子器件动态工作范围的重要指标. 本文考虑k3 Dresselhaus 自旋轨道耦合效应对系统哈密顿量的修正, 结合转移矩阵方法和龙格-库塔法来解含时薛定谔方程, 进而讨论了电子在非磁半导体对称双势垒结构中的透射系数及隧穿寿命等问题. 研究结果发现:由于k3 Dresselhaus 自旋轨道耦合效应使自旋简并消除, 并在时间域内得到了表达, 导致自旋向上和自旋向下电子的透射峰发生了自旋劈裂; 不同自旋取向的电子构建时间和隧穿寿命不同, 这是导致自旋极化的原因之一; 电子的自旋极化在时间上趋于稳定.
关键词:
自旋极化输运
透射系数
隧穿寿命
自旋极化率 相似文献
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通过使用含时量子波包方法,对HF分子该类型的布居转移动力学进行了研究. 提出双Σ型激光控制方案,用于控制布居从|v=16>能级向|v=0>能级进行转移. 该方案的第一步是将布居从|v=16>经过中间能级|v=11>向|v=7>转移,第二步是将布居从|v=7>经过中间能级|v=3>向|v=0>转移. 在每一个步骤中,三个振动能级在两束重叠的激光脉冲作用下形成一个Σ型的布居转移路径. 通过优化激光的强度、频率和延迟时间,得到了最大的布居转移效率. 计算并比较了正序脉冲和反序脉冲两种情况,在这两种情况下,布居都可以超过90%从|v=16>能级向|v=0>能级进行转移. 相似文献
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在半经典理论框架下利用平均场和双模近似理论研究在弱相互作用、无衰减效应和无周期调制时,在对称双阱中在两个玻色-爱因斯坦凝聚体(BEC)之间初始相位差分别为0和π的情况下临界态时BEC的动力行为,并进行了相应分析.由于系统是保守系统,在临界态时原子不会象有衰减效应时一样自动停止振荡,而是会作永不停止的无规则振荡.原子振荡在Josephson振荡和自捕获振荡之间的临界态时既呈现Josephson振荡的特征,又呈现自捕获振荡的特征,而在π相位模式自捕获振荡和φ(O)=π的running phase模式自捕获振荡之间的临界态时既呈现π相位模式自捕获振荡的特征,又呈现φ(0)=π的running phase模式自捕获振荡的特征. 相似文献
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本文研究了V型三能级原子与真空耦合构成光子-原子束缚态的布居弛豫及其量子相干现象,具体阐述了引起原子相干的必要条件、布居粒子数的交换过程、真空与原子耦合所产生的Lamb移动对自发发射光谱特性带来的影响. 相似文献
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王中结 《原子与分子物理学报》2006,23(4):757-761
对单个囚禁离子在热库作用下的退相干的控制问题进行了研究.本文提出的控制方法是基于消除自由哈密顿技术和脉冲重聚技术的结合.前者是利用一个经典大失谐激光场作用于囚禁离子来实现的,而后者是利用一系列的激光π脉冲来实现的.解析与数值表明,应用这种控制方法可以有效消除量子退相干且比纯粹应用脉冲重聚技术要好. 相似文献
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基于量子点接触探测器(QPC)理论上研究了双量子点(DQD)系统在耗散环境和纯退相环境影响下的电子转移特性.结果表明,耗散环境中探测器导致的退相干会增大平均电流和Fano factor随时间演化的值,并观察到量子芝诺效应的存在.在对称的DQD情况下,弛豫减小了平均电流随时间演化的震荡振幅.在非对称的DQD情况下,弛豫降低了Fano factor随时间演化的峰值.纯退相环境中测量会阻碍共隧穿过程中不同电流通道之间的转换,导致Fano factor的极高值.在对称的DQD情况下,增大纯退相速率会提高Fano factor.在非对称的DQD情况下,动力学随时间的演化对纯退相环境不敏感.另外,还发现探测器内n个电子的转移几率只受QPC与DQD耦合的影响.我们的结论可以为实验工作者研究电子输运特性提供理论参考. 相似文献
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提供一种新的解法,经过求解微分方程很简单地得到了与殷雯(物理学报52 1862)同样的结果.殷文通过精确求解含时量子体系,研究了在周期耦合驱动下电子在两量子阱中的受迫振荡,不仅得到了一般情况下的振荡公式,而且特别讨论了在ω=0情况下电子布居数的演化行为.
关键词:
耦合量子阱
电子振荡 相似文献
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从第一性原理出发,得到了变形对称双阱势模型的Schroedinger方程束缚态的精确解。应用得到的精确解,给出了对称双阱势和修正Roeschl—Tdler势的能谱和波函数。 相似文献
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由于微制造技术的不断发展,如液相外延(LPE),气相外延(VPE),金属有机化学气相沉积(MOCVD)以及分子束外延技术(MBE)等先进的材料生长技术方法也日趋完善,从而使得各种低维半导体量子器件(如半导体、超晶格、量子阱、量子线和量子点等)制造日趋成熟。由于这些低维半导体量子器件具有很强的非线性光效应,而且随着材料、外形、尺寸等的不同,非线性光效应也有很大的差别,更由于其可能存在的广泛的应用前景,所以近年来,一直是人们研究的重点。近来,由于人们相信,利用GaAs/AlGaAs量子阱有可能制造出一些新型的光学仪器,如光开关、光限幅器、光调制器等,所以,对不同势形的GaAs/AlGaAs量子阱的非线性光学特性一直吸引着人们进行理论和实验的研究。而在最近几年,对双量子阱的研究也成为了人们的研究重点。通过密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱中的第一、第三阶子带光吸收表达式,我们将用一个典型的GaAs/AlGaAs双量子阱代入其中进行数值计算,并进行讨论。我们的计算结果显示,阱的光吸收峰不但与中间的势垒宽度有关,更与入射光强有关。 相似文献