激光二极管抽运的GaAs被动Q开关Nd∶YVO4激光器

利用固体可饱和吸收体砷化镓 (GaAs)作为被动调Q元件 ,实现了激光二极管抽运平凹腔掺钕钒酸钇(Nd∶YVO4)激光调Q运转 ,详细测量了砷化镓被动调QNd∶YVO4激光输出特性 ,获得脉宽 15ns,重复频率 4 70kHz,光束质量M2 =1.31的激光输出 ,调Q激光运转阈值为 5 0 0mW ,并数值求解了砷化镓被动调Q速率方程 ,讨论了被动调Q机理以及调Q脉冲宽度和脉冲重复频率对抽运速率的依赖关系 ,理论计算结果与实验结果相一致。     

激光二极管抽运的Nd：YVO4GaAs被动调Q激光器研究

报道了激光二极管抽运Nd:YVO4半导体材料GaAs被动调Q激光器运转。测量了不同透过率输出镜条件下，输出调Q脉冲的宽度，能量及冲重复率。在抽运功率为4W时，得到了脉宽为30ns、能量为8μJ、重复率为60KHZ的稳定的调Q脉冲。还就GaAs调Q机理进行了理论研究并对实验中的一些现象进行了分析讨论。     

激光二极管抽运的Nd∶YVO4 GaAs被动调Q激光器研究

报道了激光二极管端面抽运Nd∶YVO4 半导体材料GaAs被动调Q激光器运转。测量了不同透过率输出镜条件下 ,输出调Q脉冲的宽度、能量及脉冲重复率。在抽运功率为 4W时 ,得到了脉宽为 30ns、能量为 8μJ、重复率为6 0kHz的稳定的调Q脉冲。还就GaAs调Q机理进行了理论研究并对实验中的一些现象进行了分析讨论     

基于石墨烯量子点的被动调Q Nd∶YVO4激光器（英文）

采用水热法制备了石墨烯量子点(GQDs)可饱和吸收体(SA)。对GQDs SA的光学特性进行表征,估算出其调制深度为6.9%。将GQDs作为SA应用于二极管端面泵浦Nd∶YVO4激光器,实现了1063.5 nm处的被动调Q激光输出。在吸收泵浦功率为9.12 W时,输出脉冲的重复频率为1.64 MHz,脉冲宽度为200 ns,对应的脉冲能量为0.51μJ,峰值功率为2.5 W。     

大功率LD抽运的Cr^4＋：YAG被动调Q Nd：YVO4激光器

在LD端面抽运的Nd：YVO4激光器中插入Cr^4＋：YAG晶体,获得了稳定的1．06μm波长的高重复率被动调Q脉冲激光输出。实验研究了抽运功率、腔长、输出镜透过率对输出功率的影响,以及不同抽运功率下脉冲重复频率和脉冲宽度的变化,并对结果进行了理论分析。当腔长为8cm,抽运功率为27W时,得到重复率37．8kHz、平均功率3．5W的调Q脉冲序列;单个脉冲能量为93μJ、脉宽为24ns、峰值功率为3．9kW。     

被动调Q激光器优化的研究

被动调Q激光器以其结构简单、紧凑而获得了广泛的应用。为优化其性能参数,在总结近些年被动调Q基本理论基础上,对于具有能量上转换(Energy-transfer upconversion)的激光工作物质构成的被动调Q激光器,提出了可以将能量上转换引起的损耗归到线性损耗中进行优化设计的方法,并给出了输出镜的反射率和饱和吸收体的小信号透过率两者优化选择的直接关系图。根据被动调Q激光器的特有参数α,在总结提高调Q峰值功率的方法基础上,得出当α接近无穷大时,从被动调Q过渡到主动调Q,实现了被动调Q和主动调Q理论的统一。     

外延单片式激光二极管抽运被动调Q微激光器

基于液相外延工艺,实现了一种结构新颖的单片式被动调Q微片激光器。采用了在激光介质Nd3 ∶YAG表面直接液相外延生长一层具有饱和吸收特性的Cr4 ∶YAG膜的微谐振腔的结构,由于是同质外延生长过程,能够确保饱和吸收体与增益介质间(Nd3 ∶YAG/Cr4 ∶YAG)良好的界面特性。采用光纤耦合激光二极管,在激光二极管输出为1W的抽运条件下,实现了峰值功率近千瓦、稳定重复频率在4kHz以上、脉宽1.8ns、TEM00单横模式、波长1.064μm的调Q脉冲序列输出。在对新型单片式微激光器的性能报道的基础上,阐述了外延单片式结构及其相应工艺的潜在优势。     

1.54μm铒玻璃激光器被动调Q技术发展现状

获得1．54μm波长激光的一个重要手段是利用铒玻璃激光器直接输出。但其调Q方式大多采用主动Q开关,原因在于难以找到合适的被动调Q晶体,这极大的限制了铒玻璃激光器的工程应用与推广。目前,被动调Q的铒玻璃激光器的研究与应用在国内外都有很大进展,介绍了几种被动调Q方式及部分应用较多的调Q晶体的特性,并分析了被动调Q铒玻璃激光器的需求前景。     

基于少模光纤被动调Q柱矢量光光纤激光器

通过单模光纤和少模光纤熔融拉锥耦合的方法制备出模式转换器,而后将一层多壁的碳纳米管薄膜作为可饱和吸收体覆盖到拉锥光纤的锥区,形成一种可饱和吸收体柱矢量光器件.结合调Q光纤激光器和模式转换器件的优势,可以简单高效地产生脉冲柱矢量光束,并得到具有峰值功率高、模式纯度高等特点的脉冲高阶模式激光输出.通过实验实现了中心波长为1560nm、最大单脉冲能量和最大峰值功率分别为116nJ和57mW的稳定调Q脉冲输出.通过调节光路中的偏振控制器,可以分别实现径向和角向偏振的调Q脉冲激光的输出.     

激光二极管抽运的Nd:GdVO4激光器

用高亮度激光二极管作抽运源 ,研究了连续、腔内倍频和被动调 Q Nd:Gd VO4 激光器的输出特性。在抽运功率为 881m W时获得了 119m V的连续绿光输出 ,光 -光转换效率 13.5%。用Cr4 :YAG作可饱和吸收体实现了 Nd:Gd VO4 激光器的被动调 Q运转 ,脉冲宽度为 116～ 2 4 ns,重复频率在 50 0 k Hz～ 1.8MHz范围内可调。     

GaAs被动调Q Nd:YAG激光器激光特性的研究

报道了用半导体材料 Ga As实现氙灯抽运 Nd:YAG激光器的被动调 Q运转 ,测量了激光器的阈值、脉冲宽度和输出能量。从 Ga As的能级结构出发 ,理论上研究了 Ga As材料的饱和吸收原理 ,建立了调 Q激光器速率方程并给出了数值解 ,对理论结果与实验结果进行了比较和讨论。     

离子注入SI—GaAs做激光器被动调Q元件的研究

本文从半导体材料GaAs的能级结构出发，探讨了GaAs做固体激光器被动调Q器件的可行性，对离子注入半绝缘GaAs用做Nd：YAG激光器中被动调Q元件的机理进行了实验研究，实验中腔型选择直腔式平平腔，Nd：YAG采用脉冲氙灯抽运，在腔型1Hz下获得了单脉冲宽度为62ns的调Q波形输出。     

二极管激光泵浦Nd：YVO4激光器的频率调谐特性研究

用加热法和压电陶瓷ＰＺＴ调腔的方法，实现二极管激光泵浦的单频运转１０６４ｎｍ２％Ｎｄ：ＹＶＯ４激光器调谐。调谐范围４７．４ＧＨｚ，增益峰漂移引起的激光频率温度系数２ｖ／２Ｔ＝－１．０４ＧＨｚ／℃，压电陶瓷调谐系数１５０ＭＨｚ／Ｖ。研究了加热影响件性能的情况。     

LD泵浦Nd∶GdVO4/GaAs被动调Q激光器研究

报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜,实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为13.9 W时,获得最高平均输出功率为3.6 W,脉冲宽度为252 ns,单脉冲能量为27 μJ以及峰值功率为107 W的激光脉冲.     

LD抽运Nd∶YVO4自喇曼倍频黄光激光器

报道了LD抽运的自喇曼c切Nd∶YVO4调Q腔内倍频黄光激光器.Nd∶YVO4晶体同时作为激光介质和喇曼晶体，通过声光调Q技术，产生了1 178.7 nm的喇曼激光，经过KTP腔内倍频，输出589.4 nm黄光.测量了平均输出功率随抽运功率和脉冲重复率的变化.典型的1 066.7 nm基频光、1 178.7 nm喇曼光和589.4 nm倍频光的脉冲宽度分别为24.9 ns、11.2 ns和6.8 ns.在脉冲重复率为15 kHz，抽运功率为7.56W时，产生了平均功率为151 mW的589.4 nm光的输出.     

Nd:YVO4声光调Q腔内倍频457 nm蓝光激光器

脉冲蓝光激光器在水下探测、水下通信和遥感方面有着重要的应用前景。根据高斯光束传输的ABCD矩阵,设计了对热效应不灵敏的Z型谐振腔。利用808 nm激光二极管(LD)端面抽运Nd:YVO4晶棒,在室温下实现了4F3/2→4I9/2准三能级激光谱线跃迁。通过声光调Q和LBO腔内倍频,获得了稳定的高重复频率、高峰值功率457 nm蓝光激光输出。当抽运功率为30 W时,在重复频率为10 kHz下,获得最大单脉冲能量为56 μJ ,脉冲宽度为217 ns,峰值功率达258 W; 在重复频率为20 kHz下,获得最大平均功率为760 mW,脉冲宽度为261 ns,峰值功率为146 W。在最大平均输出功率下测量了脉冲457 nm蓝光激光器的功率稳定性,20 min之内其最大不稳定度小于2%。     

Nd: Sr5 (PO4) 3F Crystal Laser Characteristics Using GaAs as Passive Q-switch

It is investigated the properties of a diode-pumped Nd: Sr5 ( PO4 )3F laser that is passively Q-switched by a thin, single crystal GaAs wafer. The short high-peak-power pulses of the laser have been obtained. The pulse energies, pulse widths and pulse repetition rates for different conditions have been measured and the experimental results show that GaAs is an excellent passive Q-switch of the diode-pumped Nd: Sr5(PO4)3F lasers.     

Control of the pulse width in a diode-pumped passively Q-switched Nd:YVO<Subscript>4</Subscript>/KTP green laser with GaAs saturable absorber

By varying the positions of the saturable absorber in the laser axis and the pump beam waist in the gain medium, respectively, we have theoretically and experimentally studied the control of the pulse width in a diode-pumped passively Q-switched Nd:YVO₄/KTP green laser with GaAs saturable absorber. A rate equation model is introduced, in which the intracavity photon density is assumed to be Gaussian spatial distribution, the longitudinal variation of the intracavity photon density and the pump beam spatial distribution are also considered. The experimental results are consistent with the numerical calculations of the rate equations.