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高效率的正电子湮没2γ和3γ寿命谱仪 总被引:1,自引:0,他引:1
用大体积BaF2 (φ40mm×30mm)探测器组装正电子湮没的2γ和3γ寿命谱仪,在2γ方式下,两个BaF2探测器构成双重符合,得到系统的时间分辨为FWHM=212ps,计数效率比塑料闪烁探测器组装的谱仪估计高10倍以上.在3γ方式下,NaI(Tl)探测器与两个BaF2构成三重符合,合理安排三探头的几何及合理选择各能窗的位置以优化对3γ湮没事例的测量,实验表明,新系统可用于研究强度微弱的电子偶素在固体中湮没的3γ寿命谱. 相似文献
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BGO高能γ探测器性能测定与效率模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
实验测定了两套新制作的φ75×100 BGO高能γ探测器的能量分辨与时间分辨,根据BGO晶体中Ge的热中子俘获所释放的2条高能γ射线对γ能谱作能量刻度.模拟计算了4—30MeV能量区间BGOγ探测器的全能峰效率、单逃逸率与双逃逸率,计算了入射γ光子在0—30MeV区间均匀分布时BGO探测器的实际计数响应与计数效率随γ光子能量的变化,分析了γ光子在探测介质中的能损向下延展造成的能谱扭曲. 相似文献
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《物理学报》2020,(11)
蒙特卡罗方法(MC)是模拟核探测问题的理想方法,用中子照射客体,中子诱发产生非弹γ和俘获γ,通过特征γ射线能谱和时间谱分析,确定客体核素组成和重量百分比.本文基于非弹γ和俘获γ时间门测量技术,给出了脉冲源发射下探测器响应计数公式.在中子与核作用产生次级光子方面,采用期望值估计(expect value estimator,EVE)产光.为了避免大量小权光子模拟带来的计算存储量增加,设计了EVE产光与直接估计(direct estimator,DE)产光耦合.仅增加少量计算时间,便实现了特征γ射线解谱.数值模拟在自主MC软件JMCT上开展,计算结果初步验证了方法的正确有效性. 相似文献
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MPGeγ探测器的γ能量信号与4πΔEβ探测器的β射线能损信号符合后再与BGO探测的β+衰变的正电子湮灭511keV γ信号作反符合组成一种新的探测系统. 该系统可使γ谱测量的康普顿本底下降约一个数量级. 对缺中子同位素衰变γ射线的探测作强抑制的同时,丰中子同位素衰变γ射线的探测仍能保持相对单谱为(46±3)%的高效率. 使用该系统对已被合成的丰中子核素208Hg的半寿命进行了一次新的测定. 所得新的208Hg半寿命测定值41.5+min,与以往用放射化学母牛法给出的结果一致,测量误差有较大改进. 相似文献
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一、引 言 1960年用气球观测高空γ辐射,发现了来自银河平面处的γ射线流,能量约达10~8电子伏,在银河中心区域特别强烈.后来的观测发现,那些发射强烈无线电辐射的射电源,如天鹅座A源和蟹状星云等也都同时发射γ射线.近十年来利用气球和人造卫星对空间的各种γ辐射从低能(l0~5-10~7电子伏)一直到中能(10~7-10~9电子伏)这样一个甚宽的能量范围内进行细致的观测[1,2,3],结果就诞生了天文学的一个新分支──γ射线天文学.从此,人们观测到的从宇宙空间发来的光子的能量范围,就从射频超长波段(10~(-9)-10~(-10)电子伏)起一直延续到中能γ… 相似文献
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用于符合测量的多通道符合计数器 总被引:2,自引:0,他引:2
符合测量在量子光学实验中有着重要的应用,它可以用于测量纠缠光子对和单光子干涉等实验。在使用过程中,经常用到三通道或更多通道的符合测量,这种情况下简单的门电路无法满足使用要求,而现场可编程门阵列(FPGA)为实现低成本、小体积的多通道符合计数系统提供了解决方案。同时,基于FPGA的多通道符合计数系统还可以提供ns精度的符合分辨时间,避免本底光噪声对探测器的影响,从而有效抑制偶然符合,进一步提高了多通道符合计数系统的性能。本文介绍了基于FPGA的多通道符合计数器,并实验测量了单光子探测器信号的符合计数。 相似文献
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在19种不同有机溶剂中测定γ-丁内酯的红外光谱,研究溶质-溶剂间相互作用,并进行了溶质的羰基伸缩振动频率位移与溶剂参数相关性分析。结果表明,在所考察的溶剂(除正己烷和环己烷外)中,γ-丁内酯与溶剂间形成非键缔合物。缔合物的羰基伸缩振动频率(带)和游离γ-丁内酯的羰基伸缩振动频率(带)位移与溶剂参数AN、S值、ET(30)值、G值、Swain参数Aj和Bj以及LSER间具有较好的线性相关性。溶剂与γ-丁内酯相互作用中,溶剂的接受电子对的能力和极性起着重要作用。这意味着溶剂与γ-丁内酯形成非键缔合物时的主要作用力是氢键作用和偶极-偶极作用。 相似文献
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以~(192)Ir γ-射线能量准确值为标准对高纯锗γ-谱仪进行滑动扫描刻度,通过比较测定放射性核γ-射线能量,得到:477603.18±0.44eV(~7Be)、511852.70±0.58eV(~(106)Ru)、514004.87±0.52eV(~(85)Sr)、520399.01±0.63eV(~(83)Rb)、529594.48±0.69eV(~(83)Rb)和552551.14±0.68eV(~(83)Rb)。用这一结果校正以往的实验,得到电子质量值510998.6±1.1eV,它与电子质量的近期调节值良好符合。 相似文献