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每家公司的成功创新,都需以之为基础的文化相匹配。当你构建自己的创新模式时,了解你的公司可以做些什么来帮助创新开花,这会为未来打下基石 相似文献
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使用钍钨阴极或钡钨阴极的电子管,在老练、测试过程中,极间绝缘电阻明显下降,严重时,甚至引起两极之间的短路。为了查明原因,我们解剖了一些管子,发现某些电极上蒸发物很多、很脏。经分析:是阴极的蒸发物,它包括二部分:一、阴极的早期蒸发物,是主要的;二、阴极使用过程中的蒸发物,是次要的。为此,我们采用如下方法: (一)阴极的预蒸发——解决阴极的早期蒸发问题。把阴极部件装在玻璃管内,接上排气台,当系统真空度等于或高于1×10~(-5)托时,灯丝电压由零逐渐增加,一直到灯丝电压值(或灯丝电流值)高于其额定值的20%为止,而每 相似文献
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Wolfgang klampfer 《变频器世界》2006,(9):115-119
出于安全考虑,在使用无源EMI滤波器时,需要考虑漏电流的影响。大多数制造商定义了正常运行时每个相的漏电流。一般来说,漏电流的额定值不是测量的结果,而是计算值。本文论述了关于漏电流的基本内容,包括标准对漏电流的要求,三相供电网和单相供电网的漏电流计算和测量方法,供电网拓朴对漏电流影响等。 相似文献
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随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显.栅漏电流噪声一方面影响器件性能,另一方面可用于栅介质质量表征,因此对其研究备受关注.由于栅介质噪声研究具有重要意义,文献中已经建立起各种各样的噪声模型,文中对其进行了归纳整理.在此基础上分析了各种模型的特性和局限性,进而探讨了其应用范围. 相似文献
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阐述铝电解电容器漏电流产生的原因,分析了漏电流回升的问题,采用合理选择阳极箔、化成引线、严格工艺要求、适当老练及开发高品质的电解液等途径。研制成50V低漏电流品,并通过了例行试验,取得良好的效果。 相似文献
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造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种:一是沟道内半导体材料内部的缺陷,另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱。TFT-LCD在长期运行时由于高温及光照的影响会导致漏电流增加,进而对TFT造成破坏。分析研究表明,TFT沟道在刻蚀完成后,沟道内部存在一定的缺陷以及绝缘层与沟道层界面存在电荷陷阱,平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术型产品由于设计的原因面临着如果进行氢处理会导致与其与氧化铟锡中的铟发生置换反应,导致铟的析出,所以无法采用氢处理。理论分析表明Si-O键稳定,本文主要介绍通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气对TFT沟道进行处理改善高温光照漏电流。结果表明,通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气处理TFT沟道后,高温光照漏电流从18.19pA下降到5.1pA,可见氯气/氧气和六氟化硫/氧气对沟道处理可有效改善高温光照漏电流。 相似文献
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半导体业界传统采用C2F6和CF4之类的全氟化碳(PFC)气体清洁化学气相沉积(CVD)腔体这种气体在工艺腔的等离子体区分解,生成高活性氟原子团,与腔壁和设备其他部位的工艺沉积物发生反应,形成不稳定的氟化气体,随后被抽走。只有小部分的清洁气体(一般约为30%)真正参与了腔体清洁反应,其他气体仅仅只是通过排气装置——排人大气中。但已有大量文献可以证明C2F6和CF4具有全球变暖效应。 相似文献
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SRAM standby leakage reduction plays a pivotal role in minimizing the power consumption of application processors.Generally,four kinds of techniques are often utilized for SRAM standby leakage reduction: Vdd lowering(VDDL),Vss rising(VSSR),BL floating(BLF) and reversing body bias(RBB).In this paper,we comprehensively analyze and compare the reduction effects of these techniques on different kinds of leakage.It is disclosed that the performance of these techniques depends on the leakage composition of the SRAM cell and temperature.This has been verified on a 65 nm SRAM test macro. 相似文献
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Si中浅结经离子注入调整阈值后,除非在高温下退火,不然就显示漏电流增加。在超大规模集成电路技术中,高温处理是不合乎要求的。我们发现As和P注入结在背面吸杂处理后,阈值调整注入后的退火温度允许从1100℃降低到950℃,并且可得到一个低漏电流密度。 相似文献