霍耳效应与霍耳元件

霍耳元件是直接利用霍耳效应制成的器件，具有尺寸小、外围电路简单、频响宽、动态特性好、使用寿命长等特点，因此广泛应用于测量、自动控制及信息处理等领域、本文利用物理学理论．分析、介绍霍耳效应原理、霍耳元件及其典型应用，使物理学理论与技术有机结合． 一、霍耳效应 将静止的载流导体（多为半导体）置入磁场中，当导体的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势（电压），这种现象称霍耳效应． 为便于阐述，用ＵＨ表示霍耳电压，ｎ表示（半）导体的载流子（电子、空穴）密度，ｑ表…     

关于霍耳效应

本文用载流子（电子或离子）在电磁场中的漂移运 动详细说明霍耳效应产生的物理原因，并由阻止震耳 电流的极化电场推导出霍耳效应的公式．给出霍耳系数新的物理意义．     

霍耳效应测磁场的讨论

介绍了霍耳效应测磁场的实验目的、原理及测量方法。详细论述了霍耳效应伴随的副效应对测量结果的影响。     

霍耳效应实验研究

本文改进了霍耳效应实验工作原理图，并从理论上分析了对称测量法消除不等位效应。     

霍耳效应测量磁场实验中的副效应及温度对测量结果的影响

讨论了霍耳效应测量磁场实验中的一些副效应及温度对测量结果的影响，分析了产生系统误差的原因及处理方法。     

金属型非晶态InSb结构弛豫的霍耳效应研究

提出了利用霍耳效应测量研究非晶态材料结构弛豫的方法。第一次实验研究了金属型非晶态InSb的结构弛豫,结果表明,霍耳效应测量是研究非晶材料结构弛豫的有效方法,并能直接判断出发生结构弛豫的物理机制。     

铜膜的霍耳效应和膜的制备

引言由于金属铜的霍耳效应在物理发展史上具有一定的地位和作用,而且真空镀膜技术在物理实验的各个领域中有着广泛地应用,故虽然铜膜的霍耳效应远不如半导体材料显著,但它能促使学生应用物理概念去思考问题——如何进行实验;又能得到近代实验技术——真空镀膜的训练。本实验中可根据霍耳样品的具体要求,提出镀膜工艺的方案,膜的质量在实验过程中也能得到自身检定。理论上除了应用罗仑兹力的概念外,还可将实验结果与金属自     

研究快讯 用分步注入法改善SOI—SIMNI薄膜材料的电学性能

采用常规方法和分步注入法制备SOI－SIMNI（Silicon on Insulator-Separation by Implantation of Nitrogen）薄膜材料,用液氦低温霍耳效应进行了分析测量,测量结果表明：分步注入法制备得到的样品具有低的薄层电阻R□和较高的载流子迁移率,实验证明用分步注入法可以明显改善SIMNI薄膜材料的电学性能,对实验结果和机理进行了解释。     

FexSn100-x合金颗粒薄膜的反常霍耳效应

采用离子束溅射的方法制备了一系列不同原子比的Fe_xSn_100-x合金颗粒膜，系统地研究了该体系的反常霍耳效应.在该薄膜中发现了铁磁金属/非磁金属体系中最大的霍耳电阻率，讨论了不同原子配比、薄膜厚度对霍耳效应的影响.通过研究饱和霍耳电阻率ρ_xys同电阻率ρ_xx的关系，讨论了反常霍耳效应的机理. 关键词： 反常霍耳效应 xSn_100-x薄膜')" href="#">Fe_xSn_100-x薄膜     

霍耳效应与磁流体发电

 1879年,霍耳(E.H.Hall)发现,将一导电板放在垂直于板面的磁场中(见图1),当有电流通过时,在导电板的A和A′两侧会产生一个电势差UAA',这种现象称为霍耳效应。实验表明,霍耳电压UAA'与电流强度I和磁感应强度B成正比,而与导电板的厚度d成反比,即UAA'=KIdB式中比例系数K称为霍耳系数。霍耳效应是因外加磁场使漂移运动的电子或别的载流子发生横向偏转而形成的,运动电荷在磁场中所受的力称为洛伦兹力。磁流体发电是利用热离子气体(或液态金属)等导电流体与磁场相互作用,把热能直接转换成为电能的发电方式,它所依据的就是等离子体的霍耳效应。     

克里青（Klitzing，Klaus Von，1943-）德国物理学家（Physicist，Germany）

霍耳效应是一种电磁效应。将通有电流的导体或半导体置于与电流方向垂直的磁场中，在垂直于电流和磁场的方向上会产生一横向电场。从霍耳系数的正负和大小可以判断载流子的类型和浓度。霍耳系数与载流子的浓度成反比，半导体的霍耳系数比金属大得多。1980年，克里青发现了量子霍耳效应。他在研究处于超强磁场和超低温度之下硅的金属一氧化物-半导体场效应管的霍耳效应时，观测到霍耳电阻随外加磁场的变化曲线上出现多个平台，其电阻值与半导体材料的种类、器件制造和结构无关，而是取普适值，通过基本物理常量表示为h／ie^2.     

用反型层模型探讨n—Ge中的常温反常霍耳效应

本文用反型层模型,对常温下n-Ge中的反常霍耳效应进行了理论上的定量计算,取得了与实验一致的结果。 关键词：     

金属的霍耳效应

一、前言霍耳效应是在1879年研究铜的导电性能时发现的.如今已广泛地应用于半导体材料的研究和测试之中.相比之下,人们很少注重金属的霍耳效应.事实上,通过金属霍耳效应的观察和研究,有利于对金属导体导电机理的认识,了解自由电子气模型的不足,从而知道对一些反常现象必须用固体能带理论进行解释.随着真空镀膜技术的日益普及,目前已能制备很薄的金属膜样品,因此观察金属霍耳效应不再需要大电流和强磁     

FexSn100-x合金颗粒薄膜的反常霍耳效应

采用离子束溅射的方法制备了一系列不同原子比的FexSn100-x合金颗粒膜,系统地研究了该体系的反常霍耳效应.在该薄膜中发现了铁磁金属/非磁金属体系中最大的霍耳电阻率,讨论了不同原子配比、薄膜厚度对霍耳效应的影响.通过研究饱和霍耳电阻率ρxys同电阻率ρxx的关系,讨论了反常霍耳效应的机理.     

量子化霍耳效应及其新结果

1980年,K,V·Klitzing 等人[1]测量金属-氧化物-半导体场效应晶体管在低温强磁场下的霍耳效应时发现:在霍耳电压随门电压升高而下降的过程中,出现一系列的台阶.在台阶处,霍耳电导率同时纵向电压降(与电流同方向的电压降)在台阶处趋向于零.这一现象称为量子化霍耳效应.不久D·Ts     

高温氧化物超导体：费米液体抑或非费米液体？

文章对高ＴＣ氧化物超导体是否为费米液体问题作一评述。文中以五条标准作为费米液体的定义，就电阻率，霍耳效应，温差电势率，核磁驰豫，正电子湮灭，光电发射谱等一系列现象中出现的有关问题作了评估，对有关各主要流派作了评论。     

量子霍耳效应发现十周年

 霍耳效应是1879年美国物理学家霍耳研究载流导体在磁场中导电的性质时发现的一种电磁效应.他在长方形导体薄片上通以电流,沿电流的垂直方向加磁场(如图1),发现在与电流和磁场两者垂直的两侧面产生了电位差.后来这个效应广泛应用于半导体研究.一百年过去了.1980年一种新的霍耳效应又被发现.这就是德国物理学家冯·克利青从金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)发现的量子霍耳效应.     

霍耳效应的应用

1879年E.H.霍耳发現:任何材料通过电流时,若同时有垂直于电流方向的磁通通过,則产生和电流及磁通方向垂直的电場。这个現象,現时称为“霍耳效应”。由于一般材料的这种效应并不明显,因此长期以来没有得到实际的应用;近十多年以来,鉴于半导体工艺的进步,已經制成霍耳效应比較显著的半导体材料,因实际应用的研究也随之增加。研究結果表明,有可能利用半导体霍耳效应的原理制成电气工程、电子設备及无线电技术中所需的許多特殊器件和灵感元件,并已引起工程界的广泛注意。本文将介紹霍耳效应的若干应用。     

“霍耳效应”实验教学探讨

籽做好霍耳效应教学实验，讨论了使用的磁铁或电磁铁的Ｂ值或励磁电流值和流经霍耳片的样品电流的选取原则，通过实例给出了具体数值。     

PID自动控温仪在变温霍耳效应研究中的应用简

应用计算机控制的PID控温仪研究了锑化铟样品的变温霍耳效应。通过在线控制并记录77K～300K温度范围内锑化铟样品的霍耳电压，估测了样品的禁带宽度。