角分布俄歇显微术──俄歇电子能谱的新进展

综述了俄歇电子能谱的新进展──角分布俄歇显微术。测量和展示俄歇电子的全角分布可给出浅表面原子的影象,借此可对样品表面原子、分子结构进行表征。理论认为这种原子形象是浅表面原子受较深层原子发射俄歇电子映照而成的,以Ｐｔ、Ｉ２为例,用相应理论教学模式模拟,所得结果和实验结果极相符合。角分布俄歇显微术在实践和理论上将俄歇电子能谱向前推进了一步。     

OCr18Ni12Mo2Ti合金钝化膜的俄歇能谱分析

OCr18Ni12Mo2Ti合金钝化膜的俄歇能谱分析@程德斌@牛锐锋...     

基于晶界偏聚理论的应力与回火脆化作用的机理

应用平衡晶界偏聚理论模拟了应力与回火脆化相互作用后的杂质元素P的晶界偏聚过程,通过俄歇电子能谱试验对模拟计算结果进行验证,理论计算与试验结果的一致性表明:应力降低了杂质元素P的扩散系数,在无应力、468℃回火脆化处理过程中,杂质元素P的扩散系数为1.62×10-20m2/s,而在146.68MPa拉应力作用下,杂质元素的扩散系数降低为1.28×10-20m2/s;应力对2.25Cr-1Mo钢回火脆化具有一定的阻碍作用,且这种作用随着回火脆化程度的增加而逐渐增大,二者满足Δcp(S)=0.002exp(cp/0.292)+0.053关系.     

Ⅱ-Ⅵ族三元合金半导体ZnS_(1-x)Te_x薄膜的俄歇电子能谱化学位移实验研究

对分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ⅱ－Ⅵ族三元合金半导体碲硫锌ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ（０≤ｘ≤１）单晶薄膜的特征俄歇电子能谱进行实验研究，发现其中各元素俄歇峰的化学位移随ｘ的增大而非线性减小的变化规律。     

Ⅱ—Ⅵ族三元合金半导体ZnS1—xTex薄膜的俄歇电子能谱化学位 …

对分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ⅱ－Ⅵ族三元合金半导体碲硫锌ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ（０≤ｘ≤１）单晶薄膜的特征俄歇电子能谱进行实验研究，发现其中各元素俄歇峰的化学位移随ｘ的增大而非线性减小的变化规律。     

应力作用下2.25Cr-1Mo钢中磷的晶界偏聚

对加氢反应器随炉运行试样在146.67MPa的作用应力下,分别进行125、200和400h的等温回火脆化试验,然后对试验后试样进行俄歇电子能谱分析试验(AES),得到有、无应力下杂质元素P原子的晶界偏聚量.结果表明:有应力作用下的P原子的晶界偏聚量要比无应力下的要低,且冲击试样的断口形貌与晶界P原子的偏聚结果相一致.导致加氢反应器材料2.25Cr-1Mo钢回火脆化主要原因是P原子在晶界偏聚所致,而作用应力对杂质P原子的偏聚有一定的影响,并且起到抑制作用,且随着保温时间的增加,这种作用不断加强.     

金属间化合物Ni3Al中的硼晶界偏聚特性的AES研究

本文应用俄歇能谱仪研究了不同化学计量比ＮｉＡｌ金属间化合物硼在晶界偏聚的特性。研究结果表明：硼在Ｎｉ３Ａｌ的各个晶界偏聚存在着不均匀性，硼在晶界的偏聚范围只有几个原子层，晶界结构及晶界化学环境是影响在晶界偏聚的决定因素。     

俄歇电子能谱数据采集及数据处理系统

本文主要介绍Ａｐｐｌｅ　Ⅱ微机在俄歇电子能谱数据采集及数据处理中硬件和软件的设计．本 系统软件包括数据采集、数据快速显示和分段处理、数据平滑、扣本底、谱图微分与积分等．此 外还配有一个常用的数据库．本系统的最大特点是成本低、功能强、使用简单、方便．     

微量硼对高纯铁硫合金沿晶断裂和硫沿晶偏析的影响

利用俄歇能谱微区分析、低温拉伸试验和ＳＥＭ断口观察,研究了微量硼在高纯铁－６×１０－５(质量分数)硫合金中的沿晶偏析及其对硫沿晶偏析和硫偏析引起的低温沿晶断裂的影响·结果表明,硼能强烈地沿铁晶界偏析,显著降低硫的沿晶偏析倾向,抑制低温沿晶断裂·文中还讨论了硼影响的机理·     

共振光电子及俄歇电子出电势谱复合分析管的研制和应用

一、引言共振光电子出现电势谱(RPAPS)的主要特点是对杂质元素的分辨率均优于同样条件下的软x射线出现电势谱(SXAPS)并与二次离子谱仪(SIMS)相妣美,因此它是一种对表面杂质分析相当灵敏的有用的出现电势谱。俄歇电子出现电势谱是芯能级谱中灵敏度最离的一种出现电势谱,而三极式结构的俄歇电子出现电势谱又最适于各种场合和各种类型材料的分析,     

冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚实验观察

用硼径迹照相法和透射电镜观察了冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚形成过程.实验发现,以2 ℃/s冷速从1150 ℃冷却到640 ℃的过程中,硼在晶界上的非平衡偏聚可以分成扩散行为不同的3个阶段.实验测定了晶界富集因子、富集带宽度、贫硼区宽度和贫化因子等偏聚特征,并对有关现象进行了初步讨论.     

微量元素锡、砷在U_(74)重轨钢中的晶界偏聚

用Auger谱仪和X射线面扫描探测了U_(74)重轨钢在加热到1200℃奥氏体化以后再以不同冷速进行冷却的条件下微量元素Sn,As的偏聚情况。实验结果表明:在缓慢冷却的条件下,U_(74)轨钢中会发生Sn,As的晶界偏聚。600℃长时间等温可加剧钢中As元素的偏聚,但不加剧Sn的偏聚。     

高纯Sc2O3中杂质稀土元素的电感耦合等离子体发射光谱测定法

本文提出了用电感耦合等离子体发射光谱测定高纯Ｓｃ２Ｏ３中的杂质稀土元素的方法，文章讨论了光谱干扰的基体干扰，报道了一些灵敏线的谱图，拟定出适合工厂日常分析的标准加入分析方法，获得了较好的分析结果。     

GH586合金的晶界碳化物高温强化

通过对ＧＨ５８６合金在不同固溶处理温度下的金相组织观察,晶界碳化物萃取复型的透射电镜观察,定量相分析及８５０℃拉伸性能的测试,研究了晶界碳化物对合金高温拉伸性能的影响,探讨了高温下合金晶界碳化物的强化作用,并结合理论分析提出了晶界碳化物高温强化关系式。结果表明,该合金中均匀分布的细小晶界碳化物在高温下提高了合金强度;晶界碳化物对８５０℃屈服强度的贡献,用理论模型分析的结果与实验结果符合良好。     

基于高分辨质谱独立成分分析的黄芩炮制过程分析

采用高分辨质谱法(HRMS)直接测定黄芩水提取液的质谱信号,直接定性确认黄芩中39种化学成分.根据主要活性化学成分的质谱峰强度,得到黄芩炮制过程化学成分HRMS指纹图,进一步以独立成分分析(ICA)解析,得到能够体现黄芩主要活性成分特征的2个独立组分(IC).研究结果表明,2个IC对应黄芩中苷元类化合物和苷类化合物;以IC相对强度度变化监控黄芩炮制过程,2个IC的相对强度在炮制过程发生明显变化,在40~60min时,2个IC的相对强度变化趋于稳定且浓度和炮制前相比没有明显下降,确定炮制终点为50min.