用5微米工艺设备加工1～2微米窄条的光刻技术

本文介绍了利用现有5μm工艺设备进行1～2μm窄条的光刻技术,着重对光刻SiO_2窄条和金属连线方面作了具体的介绍。对优化的“发射区两次错位光刻”和“多晶发射极自对准”工艺技术作了较详细的叙述。     

光刻术的发展趋势

光刻术是把超小花样刻印到半导体薄片上来制作复杂电路的技术，目前这些半导体电路正促使信息爆炸。这一技术是今天经典光学设计和制造的需求量最大的应用之一。光刻技术的进展对半导体工业的显著增长也有一定的贡献。半导体集成电路对现代生活的影响怎么评估都不会过分。从计算机到通信，从娱乐到教育，由半导体芯片进展而获得加速的电子技术的增长是显而易见的。这种影响如此深刻，以致现在常常被认为是理所当然的。消费者已惯于预期日益复杂的电子产品价格会越来越低。光刻术在这种趋势中的作用过去是、并将继续是至关重要的。半导体技术…     

21世纪的半导体光刻技术

２１世纪的半导体光刻技术东立摘编根据美国半导体工业协会（ＳＩＡ）的预测，进入２１世纪，逻辑ＩＣ使用的晶体管数将达６千万个以上，金属引线达６层，时钟速率超过１ＧＨｚ。因此，更小尺寸器件和更快速度电路向ＩＣ工业提出了严峻的挑战。在本世纪末，半导体行业的工...     

DY—5型亚微米电子束曝光机

本文介绍了ＤＹ－５型微米电子束曝光机的主要技术性能；最细特征线宽０．４μｍ，图形位置精度及拼接精度优于±０．１５μｍ；扫描场尺寸１×１ｍｍ＾２和２×２ｍｍ＾２；最高扫描速度１ＭＨｚ，可加工１００×１００ｍｍ＾２掩模版或Х７５硅圆片，给出了部分曝光试验结果。     

进入转折点的光刻技术

进入转折点的光刻技术ＰａｕｌＣａｓｔｒｕｃｉ，ＷｏｒｔｈＨｅｎｌｅｙ，ＷｏｌｆｇａｎｇＬｉｅｂｍａｎｎ著，ＰａｕｌｃａｓｔｅｕｃｃｉａｎｄＡｓｏｃｉａｔｅｓＩｎｃ，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，ｍａｓａｃｈｕｓｅｔｓ立文译在更小图形尺寸和更大片子直径的不断驱动...     

下代光刻设备的再次选择

１引言一年半以前,国际ＳＥＭＡＴＥＣＨ财团将光学光刻的接班技术选择缩小到４种：极紫外（ＥＵＶ）、离子投影光刻（ＩＰＬ）、限角散射投影电子束光刻（ＳＣＡＬＰＥＬ）和ｘ射线光刻技术。已证实,各种技术均具有７０ｎｍ以下特征尺寸的作图能力。然而,根据下代光刻...     

亚半微米光刻技术的新动向

最近几年中提出了几种用于光学光刻的新方法,包括移相掩模技术、斜向照明、环形照明、FLEX和Super-FLEX等,这些方法提高了光学投影光刻的分辨率,并改善了一定特征尺寸下的焦深,期望它们可以将现有的i线步进机的用途扩展到制造最小特征尺寸为0.3μm的半导体器件。本文介绍了这些方法的基本原理、效果和应用状况,并讨论了实用中的关键问题。     

亚微米光刻与刻蚀工作研究

采用三层胶光刻工艺以及ＳＦ６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工作，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。     

半导体光刻设备、材料的新动向

<正>1曝光设备当前,在半导体器件生产中,用于65nm制程的器件已进入量产,而用于45nm制程也已成熟,即将进入量产期。     

亚微米光刻的线宽测量技术

很久以来，传统的光学显微技术一直是IC测量中的重要技术，但它正在被共焦扫描显微技术、相干探测显微技术和扫描电子显微技术等精度更高的技术所取代。本文重点对用于在线线宽测量的低压扫描电子显微镜进行了讨论。     

采用逐场调平和总体对准技术的0.54NAi线片子步进机

ｉ线片子步进机正在逐渐成为主流的加工设备，用于实现亚半微米电路图形的转印。因此它就成为批量生产１６Ｍ位ＤＲＡＭ器件，且有可能成为在远紫外设备未引入生产线之前的第一代６４Ｍ位ＤＲＡＭ器件制造的必然选择。然而对于亚半微米的分辨率，就必须具有大数值孔径和大视场的透镜。本文主要介绍了新一代家族的片子步进机。该机采用了一种新设计的机架和模块式结构，它可以接纳同一家族的大视场ｉ线镜头和远紫外镜头。最后叙述了０５４ＮＡ和２５５ｍｍ象场直径的镜头。为克服片子加工中可能出现的焦深问题，设计引入了逐场调平技术，从而保证了使所有象场均处于最佳焦面。用这种选择所面临的问题就是工作台步进和片子工作台灵活调平时对准精度将受到影响。本文介绍的步进机设计思想是为了出片率不受影响，因而在逐场调平后的对准中未采用逐场对准。为此设计了一种新的计量系统并改进了对准精度，从而使总体对准方式的最终套刻精度达到了８５ｎｍ以下，并实现了每小时处理８０枚１５０ｍｍ（６英寸）圆片的生产效率和１级以上的局部环境控制，达到了加工２００ｍｍ（８英寸）圆片的环境净化要求     

光刻1微米线宽的相关技术

光刻技术是发展超大规模集成电路的关键技术。光刻线宽随着DRAM集成的提高而进一步变细,现已突破了0.35微米的屏障。本文论述了曝光系统中镜头的数值孔径,曝光射线的波长及抗蚀剂特性对光刻1微米线宽或亚微米线宽的重要影响。     

新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势

本文主要阐述了光刻技术的发展极限及193nm,157nm光学光刻技术和电子束投影光刻（SCALPEL）、X－射线光刻（XRL）离子投影光刻（IPL）等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。