共查询到20条相似文献,搜索用时 937 毫秒
1.
利用试验势法和平均半径-屏蔽电荷迭代法研究基于解析势的相对论和非相对论屏蔽类氢模型。通过对屏蔽电荷的计算和比较,证实平均半径-屏蔽电荷迭代法无论在效率上还是计算精度上优于试验势法。与More和Faussurier屏蔽类氢模型比较,在电子电离能、离子总能量和电子跃迁能量的计算结果精度方面,基于解析势的相对论性屏蔽类氢模型占有优势。 相似文献
2.
本文将等离子体核聚变反应截面研究中利用等离子体环境涨落进行修正了的Debye-Hückel屏蔽势推广到计算等离子体中辐射离子束缚态的能级结构. 通过Tsallis参数q的变化,在等离子体辐射离子束缚态能级结构的计算中加入等离子体参数涨落的平均效应,即,等离子体动力学. 具体给出了利用修正的Debye-Hückel屏蔽势对类氦铝束缚态能级结构的计算结果. 结果表明基于这种修正的屏蔽势,自由电子的极化分布具有和线性Debye-Hückel屏蔽势不同的结构. 这种通过等离子体涨落分布对屏蔽势函数进
关键词:
等离子体中的原子结构
等离子体环境涨落
修正了的Debye-Hückel屏蔽势 相似文献
3.
4.
磁场下半导体GaAs/AlxGa1-xAs异质结中的杂质态 总被引:5,自引:2,他引:3
对异质结势采用三角势近似,考虑屏蔽效应,用变分法讨论磁场下半导体异质结系统中的施主杂质态,数值计算了GaAs/AlxGa1-xAs单异质结系统中杂质态结合能随磁场的变化关系。结果表明,由于外界磁场使界面附近束缚于正施主杂质的单电子波函数的定域性增强,从而对杂质态的结合能有明显的影响,结合能随磁感应强度的增强而显著增大。还计算了杂质位置、电子面密度产生的导带弯曲以及屏蔽效应诸因素对结合能的影响。结果显示,结合能对电子面密度和杂质位置的变化十分敏感,屏蔽则使得有效库仑吸引作用减弱而导致结合能明显下降。 相似文献
5.
本文考虑等离子体密度分布变化, 得到了修正屏蔽库仑势的解析解. 数值分析以及分子动力学模拟表明, 在常见实验室参数情况下, 等离子体密度分布变化引起的屏蔽库仑势修正对二维尘埃等离 子体系统的动力学和结构特性影响很小. 在极限参数情况下, 本模型的计算结果表明二维尘埃等离子体系统的扩散能力明显降低, 并且系统组态呈圆形分布. 此外, 本文还研究了实验室常见大小磁场对二维尘埃等离子体系统的影响.
关键词:
修正屏蔽库仑势
二维尘埃等离子体
分子动力学模拟 相似文献
6.
7.
用非相对论的色屏蔽势模型研究粲夸克偶素和b夸克偶素束缚态的结合和分解.用两种参数化形式的位势,计算了在热力学环境中的色屏蔽长度.结果表明,临界屏蔽长度r与位势的形式有密切的关系. 相似文献
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
在夸克势模型的框架下,用屏蔽质量与介质温度和密度的关系。研究了ψ‘在热力学介质中的轻子衰变和辐射跃迁。 相似文献
16.
17.
本文采用非相对论性禁闭势模型讨论了夸克-胶子等离子体中色屏蔽的时间演化和J/φ、X及φ’的产额压低。 相似文献
18.
19.
20.
本文采用非相对论性禁闭势模型讨论了夸克-胶子等离子体中色屏蔽的时间演化和J/ψ、χ及ψ'的产额压低. 相似文献