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利用试验势法和平均半径-屏蔽电荷迭代法研究基于解析势的相对论和非相对论屏蔽类氢模型。通过对屏蔽电荷的计算和比较,证实平均半径-屏蔽电荷迭代法无论在效率上还是计算精度上优于试验势法。与More和Faussurier屏蔽类氢模型比较,在电子电离能、离子总能量和电子跃迁能量的计算结果精度方面,基于解析势的相对论性屏蔽类氢模型占有优势。     

基于等离子体环境涨落的原子结构计算模型

本文将等离子体核聚变反应截面研究中利用等离子体环境涨落进行修正了的Debye-Hückel屏蔽势推广到计算等离子体中辐射离子束缚态的能级结构. 通过Tsallis参数q的变化,在等离子体辐射离子束缚态能级结构的计算中加入等离子体参数涨落的平均效应,即,等离子体动力学. 具体给出了利用修正的Debye-Hückel屏蔽势对类氦铝束缚态能级结构的计算结果. 结果表明基于这种修正的屏蔽势,自由电子的极化分布具有和线性Debye-Hückel屏蔽势不同的结构. 这种通过等离子体涨落分布对屏蔽势函数进 关键词： 等离子体中的原子结构 等离子体环境涨落 修正了的Debye-Hückel屏蔽势     

用MCH方法研究库仑屏蔽势的高角动量能谱

以库仑屏蔽势为模型,用蒙特卡罗哈密顿方法对库仑屏蔽势束缚态进行研究,并把结果和传统的数值解一维薛定谔方程的方法相比较,在基态或激发态,都得出相一致的结果.     

磁场下半导体GaAs/AlxGa1-xAs异质结中的杂质态

对异质结势采用三角势近似,考虑屏蔽效应,用变分法讨论磁场下半导体异质结系统中的施主杂质态,数值计算了GaAs/AlxGa_1-xAs单异质结系统中杂质态结合能随磁场的变化关系。结果表明,由于外界磁场使界面附近束缚于正施主杂质的单电子波函数的定域性增强,从而对杂质态的结合能有明显的影响,结合能随磁感应强度的增强而显著增大。还计算了杂质位置、电子面密度产生的导带弯曲以及屏蔽效应诸因素对结合能的影响。结果显示,结合能对电子面密度和杂质位置的变化十分敏感,屏蔽则使得有效库仑吸引作用减弱而导致结合能明显下降。     

修正屏蔽库仑势下二维尘埃等离子体的动力学和结构特性

本文考虑等离子体密度分布变化, 得到了修正屏蔽库仑势的解析解. 数值分析以及分子动力学模拟表明, 在常见实验室参数情况下, 等离子体密度分布变化引起的屏蔽库仑势修正对二维尘埃等离 子体系统的动力学和结构特性影响很小. 在极限参数情况下, 本模型的计算结果表明二维尘埃等离子体系统的扩散能力明显降低, 并且系统组态呈圆形分布. 此外, 本文还研究了实验室常见大小磁场对二维尘埃等离子体系统的影响. 关键词： 修正屏蔽库仑势 二维尘埃等离子体 分子动力学模拟     

重夸克偶素中的色屏蔽效应

将夸克-反夸克的禁闭位选为含有色屏蔽效应的禁闭势,计算了它对重夸克偶素cc和bb能谱的影响.与通常选用的线性禁闭势相比,含色屏蔽效应的禁闭势对ψ(cc)的高激发能级的轨道角动量可给出不同的预言,并且对ψ能级的轻子衰变宽度有明显的改进.     

粲夸克偶素和b夸克偶素的色屏蔽和分解

用非相对论的色屏蔽势模型研究粲夸克偶素和b夸克偶素束缚态的结合和分解.用两种参数化形式的位势,计算了在热力学环境中的色屏蔽长度.结果表明,临界屏蔽长度r与位势的形式有密切的关系.     

J/ψ在有限温度和有限密度的介质中的轻子衰变

用不同形式的夸克结合势研究J/ψ的轻子衰变与色屏蔽质量的关系,用屏蔽质量与介质温度和密度的关系,得到J/ψ在热密物质中的轻子衰变宽度.     

K3C60晶体中的电子屏蔽效应

用屏蔽的静电库仑相互作用势,引入各离子的屏蔽参数,并考虑离子间的短程相互作用,计算了K3C60晶体中各离子和原胞的结合能随屏蔽参数的变化.分析计算表明K3C60晶体中电子的屏蔽主要是指对钾离子势能的屏蔽,特别是对四面体空隙中的钾离子K+T,虽然屏蔽参数很小,但对晶体结构的稳定极为重要 关键词：     

K3C60晶体中的电子屏蔽效应

用屏蔽的静电库仑相互作用势,引入各离子的屏蔽参数,并考虑离子间的短程相互作用,计算了K3C60晶体中各离子和原胞的结合能随屏蔽参数的变化.分析计算表明K3C60晶体中电子的屏蔽主要是指对钾离子势能的屏蔽,特别是对四面体空隙中的钾离子K+T,虽然屏蔽参数很小,但对晶体结构的稳定极为重要.     

掺杂聚乙炔中的边界效应与孤子对稳定性

在自然边界条件下,研究了含有两个杂质离子的反式聚乙炔链中孤子对的稳定性和电子能级结构。所用哈密顿量在SSH模型基础上,附加了一个端点势,并包含了杂质的屏蔽库仑势及格点上e-e相互作用。计算结果显示,杂质离子的库仑作用力程足够长时,链中形成稳定的孤子对,链端的影响增强这种稳定性。带隙宽度随链的增长而变窄,但孤子能级至导带底的跃迁能量随链长变化不明显。 关键词：     

ψ′在介质中的轻子衰变和辐射跃迁

在夸克势模型的框架下,用屏蔽质量与介质温度和密度的关系,研究了ψ′在热力学介质中的轻子衰变和辐射跃迁.     

固态氦的理论等温压缩线

 基于团簇理论并计及邻近和次邻近原子对中心原子的屏蔽作用，我们用完全量子力学方法计算了hcp结构固态氦的原子多体作用排斥势和等温压缩线。计算结果与5~25 GPa范围的静高压实验结果吻合较好。表明本文方法与过去提出的原子相互作用势相比，是合理的和比较好的。本文还对Aziz二体势、Loubeyre三体势和Ross和Young等效势的局限性做了讨论。     

量子点中弱耦合束缚极化子的内部激发态性质

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑束缚势对量子点中弱耦合束缚极化子激发态性质的影响。计算了束缚极化子的振动频率、第一内部激发态能量、激发能量和共振频率随量子点的有效受限长度,电子-声子耦合强度和库仑束缚势的变化关系。结果表明:量子点中弱耦合束缚极化子的振动频率、第一内部激发态能量、激发能量和共振频率随量子点的有效受限长度的减少而迅速增大,随库仑束缚势的增加而增大。     

ψ‘在介质中的轻子衰变和辐射跃迁

在夸克势模型的框架下,用屏蔽质量与介质温度和密度的关系。研究了ψ‘在热力学介质中的轻子衰变和辐射跃迁。     

电子相互作用和孤子元激发(Ⅰ)——电子关联对孤子定域性的影响

研究了电子相互作用对孤子定域性的影响．由于导电聚合物具有宽能带，不宜用Hub-bard模型来描述电子相互作用，需要改用屏蔽库仑势．结果表明，在电子关联对孤子定域性的影响中，屏蔽起了关键作用：弱屏蔽时，电子相互作用会增强孤子的定域性；强屏蔽时，则会削弱其定域性．还从屏蔽与电子关联之间的关系，说明了产生上述结果的物理原因 关键词：     

夸克-胶子等离子体中色屏蔽的时间演化与J/ψ、X和ψ''''压低

本文采用非相对论性禁闭势模型讨论了夸克-胶子等离子体中色屏蔽的时间演化和J/φ、X及φ’的产额压低。     

施主中心量子点能谱分析

在有效质量近似下，使用数值矩阵对角化的方法，得到了高斯束缚势下施主中心量子点的能谱，并与简谐势相比较.结果显示施主中心量子点基态及低激发态的性质主要取决于量子点的尺寸、束缚势的强度及形状. 关键词： 施主中心量子点 高斯势阱 能谱     

采用壳层效应屏蔽长度Monte Carlo方法计算溅射产额

使用ACAT模拟程序计算了不同离子碰撞在单原子材料上的溅射产额.采用山村等人提出的考虑壳层效应的理论屏蔽长度,原子间作用势用Moliére势.并将计算结果与实验数据和山村等的经验公式进行了比较.     

夸克-胶子等离子体中色屏蔽的时间演化与J/ψ、χ和ψ'压低

本文采用非相对论性禁闭势模型讨论了夸克-胶子等离子体中色屏蔽的时间演化和J/ψ、χ及ψ'的产额压低.