小动量转移区高扭曲效应对核子自旋结构函数的影响

利用夸克模型计算了核子的自旋相关结构函数随Q²的依赖关系.在小动量转移区研究高扭曲效应a₂(Q²),d₂(Q²)对结构函数的影响.计算结果和其它的一些模型理论计算做了比较.     

Gerasimov–Drell–Hearn求和规则的Q2依赖性质

在组分夸克模型中重子共振态的光子激发下,通过数值计算核子上光子总吸收截面σ_1/2和σ_3/2,检验了Gerasimov–Drell–Heam(GDH)求和规则.这种计算包括了总计17个低激发的、非奇异重子共振态.发现纵横相干截面在随Q²变化的求和规则研究中扮演了重要角色.结果显示在94%可信度上这些共振态使GDH求和规则饱和.特别是在Q²=0和小Q²的区域,主要是共振态P₃₃(1232)激发使求和规则饱和.在Q²=1.0GeV²以下,GDH积分有一个很强的Q²依赖性质,且在Q²=0.3GeV²附近变号.由于共振态贡献的迅速下降,当Q²>1.0GeV²时,GDH积分对Q²依赖变弱.     

Cl(2P)+D2→DCl+D反应中波恩-奥本海默近似有效性的交叉分子束研究

本文利用高分辨的里德堡态氘原子标识-交叉分子束装置,研究了碰撞能为4.5∽6.5 kcal/mol范围内Cl(²P)[Cl(²P_3/2)和Cl^*(²P_1/2)]与D₂的反应. 虽然自旋轨道激发态反应Cl^*(²P_1/2)+D₂在波恩-奥本海默(B-O)近似下本应是禁阻的,但实验中观测到了该反应的贡献. 通过测量靠近后向的碰撞能相关的微分散射截面连线,发现低碰撞能下的产物主要来自于B-O近似禁阻的反应Cl^*+D₂. 随着碰撞能的提高,自旋轨道基态反应Cl+D₂的反应性增加明显要比自旋轨道激发态反应Cl^*+D₂更快,并且在高碰撞能下成为产物的主要来源. 实验结果表明：在低碰撞能下,Cl^*中自旋轨道激发态的额外能量,可以帮助B-O近似禁阻的反应Cl^*+D₂越过势垒;然而当碰撞能接近和高于反应势垒时,B-O近似允许的反应Cl+D₂占主导地位. Cl/Cl^*+D₂反应中B-O近似有效性的特征与其同位素反应Cl/Cl^*+H₂是一致的.     

135La高自旋态的实验研究

利用在束γ谱实验技术,通过¹²⁸Te(¹⁰B,3n)¹³⁵La反应研究了¹³⁵La的高自旋态.基于γγ符合关系、γ射线的相对强度和各向异性度的测量结果,建立了¹³⁵La的能级纲图.在hω≈0.40MeV附近,观测到基于πh_11/2质子轨道上的负宇称带的带交叉.比较N=78同中子素链能级结构的系统性,认为该带交叉是由一对h_11/2准质子发生转动顺排造成的.在高自旋态处,观测到具有很强M1跃迁、Signature劈裂很小的ΔI=1负宇称带,根据系统性认为该带是建立在πh_11/2(νh_11/2)²组态上的γ≈–60°的扁椭球形变带.     

J/ψ三级二体强衰变过程的自旋-宇称分析

本文给出了级联衰变过程e⁺+e^－→J/ψ→V+X,X→P₁+Y,Y→P₂+P₃(V代表矢量介子,P_i代表赝标介子)的角分布螺旋度形式,为通过J/ψ三级二体强衰变过程对中间态X粒子进行自旋-宇称分析提供理论公式.     

轴对称晶场中d3离子激发态对4A2基态自旋哈密顿参量的影响

采用完全对角化方法，讨论了三角对称和四角对称下d³离子自旋二重态和自旋四重态对基态⁴A₂(⁴F)自旋哈密顿(SH)参量(包括零场分裂(ZFS)和g因子)的影响机理. 并对影响基态SH参量的四种机理(SO机理，SS机理，SOO机理和SO-SS-SOO联合机理)进行了分析. 结果表明，自旋二重态与四重态对d³离子基态零场分裂都具有重要贡献；而基态g因子主要由四重态决定，二重态对g因子贡献很小. 此外，发现SS机理和SOO机理对基态EPR参量的贡献主要由四重态决定，二重态的影响很小.     

测定J/ψ辐射衰变产物自旋宇称方法的灵敏区研究

当J/ψ辐射衰变产物X是两个赝标介子的束缚态时,螺旋性振幅理论给出了它的角分布W_J.我们注意到.用这个角分布来确定X的自旋宇称存在着不灵敏区.本文对不灵敏区问题作了进一步研究.结果表明:1)确实存在着不灵敏区; 2)θ(1720)的自旋宇称是2⁺还是0⁺尚不能最后肯定; 3)窄峰ξ(2230)如果存在的话,可以排除其自旋宇称是0⁺的可能性.     

e+e－→J/ψ→γB,B→P1P2的角分布和玻色子B的自旋分析

本文给出了过程e⁺e^－→J/ψ→γB,B→P₁P₂的螺旋性形式(HF)^[1]和等效相互作用形式(EIF)^[2]之间的关系.在B的不同自旋(J=2,4)下赝标介子的角分布显示,为了确定B的自旋,存在敏感区域和不敏感区域.令人遗憾的是,θ/f₂(1720)和ξ(2230)的数据正好掉入不敏感区域.     

Al2O3:V3+晶体局域结构及其自旋哈密顿参量研究

提出了解释掺杂离子局域结构畸变的配体平面移动模型，建立了此模型下晶体微观结构与自旋哈密顿参量之间的定量关系.在考虑自旋与自旋、自旋与另一电子轨道和轨道与轨道作用等微小磁相互作用的基础上，采用全组态完全对角化方法，对Al₂O₃晶体中V³⁺的局域结构和自旋哈密顿参量进行了系统的研究.结果表明，V³⁺掺入Al₂O₃晶体后，上下配体氧平面间距离增大了0.0060 nm.从而成功地解释了Al₂O₃:V³⁺晶体的自旋哈密顿参量.在此基础上，研究了三角晶场下3d²离子自旋哈密顿参量的微观起源.研究发现，自旋三重态对自旋哈密顿参量的贡献是主要的，微小磁相互作用对自旋哈密顿参量的贡献只与自旋三重态有关.     

过程J/ψ→γX,X→P1P2中X自旋的矩分析法

本文给出了用矩分析法分析J/ψ→γX,X→P₁P₂辐射衰变过程中玻色子X自旋的原理和方法,并利用这种方法对θ(1720)的自旋进行了蒙特卡洛研究,从中看到该方法可以有效地测定X的自旋.作为一个例子,把该方法用于北京谱仪(BES)J/ψ→γK⁺K^－衰变道低质量区域共振态的自旋分析,结果表明该方法是可行的.     

瞬态自旋光栅系统的建设及其在自旋输运研究中的应用

简要介绍了瞬态光栅系统原理及光路的建设,包括瞬态光栅的产生与探测.采用了外差探测法（heterodyne detection）,大大提高了信噪比.利用瞬态自旋光栅系统,研究了(110)方向生长的本征GaAs/AlGaAs单量子阱中自旋输运特性,测得室温下电子自旋的扩散常数D_s=551 cm/s. 关键词： 瞬态自旋光栅 自旋扩散 自旋输运 自旋弛豫     

Tunneling Conductance in a Normal Metal/Ferromagnetic Superconductor Nano-Junction at a Finite Temperature

In this study, we investigate the tunneling conductance at a finite temperature in a normal metal/ferromagnetic superconductor nano-junction where the ferromagnetic superconductor (FS) is in three different cooper pairing states: spin singlet s-wave pairing (SWP), spin triplet opposite spin pairing (OSP), and spin triplet equal spin pairing (ESP) while including Fermiwave mismatch (FWM) and effective mass mismatch (EMM) in two sides of the nano-junction. We find that the conductance shows clearly different behaviors all depending on the symmetries of cooper pairing in a mannerthat the conductance spectra shows a gap-like structure, two interior dipsstructure and zero bias peak for SWP, OSP, and ESP, respectively. Also, theeffective FS gap (δ_eff) is a linear and decreasing function of exchange field. The slope of (δ_eff) versus exchange field for OSP is twice the SWP. Thus, we can determine the spin polarization of N/FS nano-junction based on the dependence of (δ_eff) to exchange field.     

单量子阱的自旋电流

利用密度矩阵的方法,由多粒子体系的薛定谔方程得到了微观体系中电子输运的概率方程，由此推出了单量子阱的自旋电流和电荷流的表达式.研究发现，在某种条件下单量子阱中只存在自旋电流；同时还给出了左右自旋电流之间的关系.结果表明:当单量子阱中的电子发生自旋共振时,自旋电流出现极大值并且随着自旋退相干时间的减小而减小. 关键词： 自旋共振 自旋电流     

InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究

采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In_01Ga_09N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为02,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1,而不支持1∶1或1∶094的观点同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理. 关键词： 电子自旋 InGaN 自旋极化 自旋弛豫     

光自旋霍尔效应及其研究进展

光束在经过非均匀介质后,自旋角动量相反(左、右旋圆偏振)的光子在垂直于入射面的横向相互分离,造成光束的自旋分裂,这种现象叫做光自旋霍尔效应.它类似于电子系统中的自旋霍尔效应:自旋光子扮演自旋电子的角色,而折射率梯度则起外场作用.光自旋霍尔效应为操控光子提供了新的途径,在纳米光学、量子信息和半导体物理方面具有重要的应用前景;同时由于它与凝聚态和高能物理中的带电粒子自旋霍尔效应有高度的相似性和共同的拓扑根源,所以又为测量自旋霍尔效应这类弱拓扑现象提供了独特而又方便的机会.文章简单介绍了光自旋霍尔效应,并总结了近几年国内外的研究进展.     

氮化硼纳米带功能化碳纳米管的热自旋输运性质

热自旋电子学器件结合了自旋电子学和热电子学各自的优点,对人类可持续发展具有重要作用.本文研究了锯齿形BN纳米带(ZBNRs)共价功能化碳纳米管(SWCNT)的电子结构,发现ZBNRs-B-(6,6)SWCNT为磁性半金属,nZBNRs-B-(6,6)SWCNT(n=2—8)为磁性金属;nZBNRs-N-(6,6)SWCNT(n=1—8)为双极化铁磁半导体;4ZBNRs-B-(4,4)SWCNT和4ZBNRs-N-(4,4)SWCNT为磁性半金属,4ZBNRs-B-(m,m)SWCNT(m=5—9)为磁性金属;4ZBNRs-N-(m,m)SWCNT(m=5—9)为双极化铁磁半导体.然后,基于锯齿形BN纳米带共价功能化碳纳米管设计了新型热自旋电子学器件,发现基于ZBNRs-N-(6,6)SWCNT的器件具有热自旋过滤效应;而8ZBNRs-N-(6,6)SWCNT和nZBNRs-B-(6,6)SWCNT(n=1,8)都存在自旋相关塞贝克效应.这些发现表明BN纳米带功能化碳纳米管在热自旋电子学器件方面具有潜在的应用.     

Josephson current versus potential strength of the interface in ferromagnetic superconductors

Based on the scattering theory, we calculate the Josephson current in a junction between two ferromagnetic superconductors as a function of the interface potential z. We consider the ferromagnetic superconductor(FS) in three different Cooper pairing states: spin singlet s-wave pairing(SWP) state, spin triplet opposite spin pairing(OSP) state, and spin triplet equal spin pairing(ESP) state. We find that the critical Josephson current as a function of z shows clear differences among the SWP, OSP, and ESP states. The obtained results can be used as a useful tool for determining the pair symmetry of the ferromagnetic superconductors.     

Mean spin direction and spin squeezing in superpositions of spin coherent states

We consider the mean spin direction (MSD) of superpositions of two spin coherent states (SCS) | ± μ〉, and superpositions of | μ〉 and | μ*〉 with a relative phase. We find that the azimuthal angle exhibits a π transition for both states when we vary the relative phase. The spin squeezing of the states, and the bosonic counterpart of the mean spin direction are also discussed.      

Spin Hall Magnetoresistance and Spin Nernst Magnetothermopower in a Rashba System: Role of the Inverse Spin Galvanic Effect

In ferromagnet/normal‐metal bilayers, the sensitivity of the spin Hall magnetoresistance and the spin Nernst magnetothermopower to the boundary conditions at the interface is of central importance. In general, such boundary conditions can be substantially affected by current‐induced spin polarizations. In order to quantify the role of the latter, we consider a Rashba two‐dimensional electron gas with a ferromagnet attached to one side of the system. The geometry of such a system maximizes the effect of current‐induced spin polarization on the boundary conditions, and the spin Hall magnetoresistance is shown to acquire a non‐trivial and asymmetric dependence on the magnetization direction of the ferromagnet.     

从自旋冰到自旋液态的渡越——结构与磁性质的演化

使用固相反应法得到了Ho_2-xTb_xTi₂O₇（x=0,05,1,15,2）系列多晶样品.X射线衍射（XRD）实验与2K到300K温度区间的直流磁化率测量结果显示,随着Tb即是x的增加,体系由自旋冰Ho₂Ti₂O₇向自旋液Tb₂Ti₂O_{7关键词： 自旋冰 自旋液体 自旋阻挫 晶格结构}