会聚束电子衍射

引 言 会聚束电子衍射(CBED)技术是由Kossel和 Mollenstedt[1]在1939年首创.到六十年代,Goodman等[2]改装了电子显微镜,用较小的电子束斑得到了一些有意义的结果[3].样品的厚度和取向是电子衍射中两个十分关键的参数,厚度和取向的变化导致等厚条纹和等倾条纹(所谓摆动曲线).会聚束衍射最大的好处是束斑很小(<100nm),这样由厚度和取向而引起的变化可以减到最小,结果高阶劳厄带效应不但不可以忽视,而且成为十分重要的信息.在七十年代,Steeds[4]及同事很系统地研究和发展了CBED,并且把这技术应用于各种材料研究中[5].随着扫描透射电子显微…     

位错的会聚束电子衍射研究

从硅位错附近得到的会聚束电子衍射图样表明高阶劳厄带线和菊池线分裂,晶体学等效的衍射显示不同的分裂或不分裂,这些结果可以用晶体缺陷的衍衬理论来解释,不分裂的衍射相当于位错的不可见,即g·b=0,会聚束电子衍射提供了强有力的研究缺陷的高空间分辨率手段。 关键词：     

大角度会聚束电子衍射的新方法

会聚束电子衍射是测定晶体点群、空间群的有效方法。要清楚地判断会聚束电子衍射图样的对称性,电子束的会聚角要大,但衍射盘不能重叠。本文提出了一种新方法来获得不重叠的大角度会聚束电子衍射。新方法是使电子束离焦,固定样品,从而保留了样品的同心倾动位置,作大角度倾动时不会失去原来感兴趣的区域。新方法在原理上和田中等人提出的方法相同,但优越性更大。同时也研究了大束斑(≥2μm)大角度会聚束电子衍射。 关键词：     

三铌酸锂空间群的会聚束电子衍射测定

用会聚束电子衍射图中显现的动力学消光线,测定了三铌酸锂的空间群。结果表明,三铌酸锂有一2次螺旋轴和一垂直它的滑移面,从而空间群是P2₁/a。同时得出点阵参数a=1.545nm,b=0.503nm,c=0.753nm,β=107°。 关键词：     

GH302合金中C14型Laves相的会聚束电子衍射研究

用会聚束电子衍射、选区电子衍射和X射线微区分析,将GH302合金中的枝晶状析出相确认为C14型Laves相。 关键词：     

用会聚束电子衍射测定LiZnTa_3O_9,LiCaTa_3O_9的对称性

本文用会聚束电子衍射方法测定了我们生长的新晶体LiZnTa_3O_9和LiCaTa_3O_9的对称性,得出LiZnTa_3O_9晶体属三方晶系,点阵参数a=0.557nm,a=56.12°,点群为3m,空间群为R3c。LiCaTa_3O_9晶体属四方晶系,点阵参数a=0.778nm,c=0.783nm,点群为4/mmm。     

结合会聚束电子衍射和高分辨电子显微术来测定十四铌酸锂的结构

我们在一台有0.4nm点分辨率的分析透射电子显微镜上,结合会聚束电子衍射(CBED)和高分辨电子显微术(HREM)研究了十四铌酸锂的结构。CBED结果证明十四铌酸锂的空间群是C2/m,HREM结构象表明十四铌酸锂是由4×4氧八面体方块组成,方块中3×3通道及八面体中心的金属原子可以清楚地看到,其距离是0.38nm。结合CBED和HREM来做结构分析是发展电子晶体学的重要的一步。 关键词：     

GaN晶体中堆垛层错的高分辨电子显微像研究

借助高分辨电子显微像结合解卷处理的方法研究了GaN晶体中的堆垛层错.简要介绍了高分辨电子显微像的解卷处理原理，指出通过解卷处理可以把本来不直接反映待测晶体结构的高分辨电子显微像转换为直接反映晶体结构的图像.用高分辨电子显微像观察了GaN晶体中的堆垛层错，对高分辨电子显微像作了解卷处理.在解卷像上清晰可见缺陷核心的原子排列情况，据此确定了层错的类型.此外，还讨论了解卷处理在研究晶体缺陷中的效用. 关键词： GaN 晶体缺陷 高分辨电子显微学 解卷处理     

倾转晶体电子衍射图的自动标定

用电子计算机标定倾转晶体电子衍射斑点指数的计算公式如下:[hkl]=[xy0]Γ^(θ)Γ^(ω₀-ω)Γ^(θ₀)P^-1H,其中θ,ω为倾转角,θ₀,ω₀为初始倾转角。一个适合于任意晶系的计算机程序已经编写出来。与极图法比较起来,用计算机标定既简便又迅速。 关键词：     

反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究

以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As₄等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据. 关键词： 分子束外延 反射式高能电子衍射 表面重构 温度校准     

硅蹼中位错和层错的X射线貌相研究

利用X射线投影貌相术观察和分析了硅蹼中的位错和层错。在生长态硅蹼中,除观察到柏氏矢量为1/2<110>的刃型、螺型与60°全位错以及柏氏矢量为1/6<112>的Shockley刃型半位错外,还观察到平行于硅蹼表面的大面积层错和蹼中的60°,30°Shockley半位错。位错在热处理过程中运动并发生位错反应形成近六角形的位错网络。热处理改变生长态硅蹼中层错的组态和衬度,并由于杂质聚集破坏了Shockley半位错的消象法则。还观察到层错象中的位错。对所观察的结果都分别作了分析和简要的讨论。 关键词：     

用高分辨电子显微术直接鉴定ZnS多型体中堆垛序列和缺陷

用倾斜束照明的电子显微术在分辨率为3.12?的水平上摄照了点阵象,直接观察了ZnS多型体的堆垛次序,这方法被用于揭示ZnS堆垛的无序和层错。 关键词：     

安康矿一维无公度调制结构的电子衍射研究

用电子衍射方法研究了我国新发现的矿物安康矿(Ba_0.827(Ti_5.827V_2.294Cr_0.053)O₁₆)的一维无公度调制结构。确定了其平均结构属四方晶系,平均结构的晶胞参数为a=10.2?,c=2.96?。沿c方向的调制波长为λ=2.30c。详细分析了安康矿电子衍射花样的特征,讨论了安康矿无公度调制结构的可能机制,提出一个空位-位移型调制结构的模型,并讨论了因位移函数初始位相各处不一而引起的 关键词：     

量子化极限情况下MOS反型层二维电子气定域态电子电导率σxx的低频效应

本文分析了量子化极限情况下MOS反型层二维电子气(2DEG)定域态电子电导率的频率特性。主要内容:(1)用费密分布函数随频率变化导出了在2DEG两种主要导电过程的频率特性。即向迁移率边激发导电过程电导率σ_ME(ω)和可变程跳跃导电过程电导率σ_VRH(ω)。发现:σ_ME(ω)和σ_VRH(ω)是一个复数。(2)说明了σ_ME(ω)有较长时间常数τ_n,对应一个低频过程。σ_VRH(ω)有较短时间常数,对应一个高频过程。(3)理论与实验作了比较,拟合结果表明,在实验条件下,向迁移率边E_c激发时间常数τ_n 3.6×10^-6。 关键词：     

ON THE EQUATION OF TRANSVERSE MOTION IN ELECTRON LINAC

The general equation of transverse motion is discussed and its solution is presented. It indicates that in the currently used equation of motion the focusing effect of the magnetic field is overestimated when the initial moment is not zero.     

形变α黄铜中层错的X射线测量

本文是文献[1]的续篇。对于原A,B,C三种样品在已测得D_eff,ρ,M,R_e和(E/V)的基础上,又分别测出了抽出型、插入型和孪生层错几率α′,α″和β以及层错能γ,真正晶块大小D₀。 关键词：     

Al-Mn合金中Ⅰ相电子衍射图指标化

本文以正12面体为几何模型,用投影作图结合晶体衍射几何,尝试用三指数对Al-Mn合金中I相的2次、3次、5次旋转轴电子衍射图进行指标化,得到较有意义的初步结果.