同轴电缆反射方案单光子探测器的特性研究

分析了用于消除门控单光子探测器电尖峰噪声的同轴电缆反射方案的特性.重点分析了该方案中,雪崩光电二极管的偏置电压和输出信号的变化特性.根据理论分析的结果,给出了不同的单光子信号与两个门控脉冲的时序关系的确定依据,以及该方案对电尖峰噪声的消除效果,同时给出了探测系统的最小探测周期.并对理论分析的结果进行了实验验证,实验中测得尖峰噪声的抑制比为25.1dB,实验结果与理论分析相符.这些分析结果将有助于红外单光子探测器的设计和性能的优化.     

基于光学参量振荡器的可调谐红外激光的强度噪声特性

红外激光光源在微量气体、高分辨率光谱分析和量子光学研究等领域具有重要的应用.本文利用锁定单共振光学参量振荡器内腔标准具的方案获得了无跳模连续调谐的红外激光输出,理论和实验研究了红外激光的强度噪声特性,分析了影响强度噪声的因素.通过控制非线性晶体的温度和标准具调制信号实现了对红外激光强度噪声的抑制.当控制非线性晶体工作温度为60℃,内腔标准具调制信号为8 kHz时,单共振光学参量振荡器输出信号光和闲置光的强度噪声分别降低了11和8 dB.     

红外测温仪光学系统像质评价的一种方法

本文根据红外辐射测温仪实际工作情况,提出评价测温仪光学系统像质的一种方法。用全视场不同物面光线的点列图计算测温仪探测器接收的目标辐射能量及其集中程度;用计算目标距离不同时(目标温度不变)探测器所接收的辐射能量的相对误差来评价测温仪光学系统的像质。     

超导动态电感单光子探测器的噪声处理

噪声是影响弱信号检测器件性能指标的主要因素之一,而最优滤波算法是白噪声背景中自适应提取弱有用信号的一种常见处理方法.本文针对极低温环境下微波动态电感探测器(microwave kinetic inductance detector, MKID)光子弱信号响应的噪声特性,在改进噪声模型的基础上利用最优滤波算法改进了探测信号的噪声处理.结果表明,经过改进噪声模型的算法处理, MKID的能量分辨(单光子探测器的主要性能指标之一)得到了15%左右的提升,实现了0.26 e V的红外单光子能量分辨.     

谐振式集成光学陀螺噪声分析与实验研究

针对目前谐振式集成光学陀螺(IORG)输出检测精度与其理论极限灵敏度存在两个数量级差别的情况,分析了IORG系统中存在的主要噪声源;搭建了基于单光路锁频和单光路输出的IORG噪声分离系统;分别对无光情况下信号检测系统中各部分的噪声以及陀螺静态频率锁定情况下各部分的噪声影响进行了测试与分析;得到了系统的噪声分布情况。实验结果表明:光路噪声以及包括探测器热噪声和散粒噪声的电路固有噪声为系统的主要噪声源。     

红外探测器模拟器中多通道数模转换输出不一致性校正

针对多通道数模转换电路输出不一致性问题,将两点非均匀性校正算法引入到不一致性问题中,提出了一种不一致性两点校正模型。通过分析红外探测器模拟器输出信号的样本数据,获得不一致性校正因子,并在现场可编程门阵列核心处理器中实现了该不一致性校正模型。利用红外探测器模拟器模拟320×256中波红外制冷探测器的输出信号,获得不一致性校正前后的图像。通过比较分析表明:校正前图像列平均灰度最大起伏量为15,校正后为5,相对改善了约66.7%。     

制冷型红外成像系统内部杂散辐射测量方法

杂散辐射是红外光学系统设计和检测过程中涉及的一项重要指标.为了定量测量红外成像系统内部杂散辐射, 提出一种基于辐射定标的测量方法, 并通过理论推导和实验验证以说明该方法的合理性.首先, 建立了不带光学系统的辐射定标模型, 即探测器直接接收定标源辐射能, 获得探测器内部因素对系统输出的影响; 然后将其与带有光学系统的定标结果进行比较, 得到由光学系统自身辐射对系统输出的影响, 进而计算红外成像系统内部杂散辐射; 最后通过实验证明了本文理论的正确性.该方法操作简单, 对实验条件要求低, 并可以精确地测量红外成像系统内部杂散辐射.可用于指导红外系统设计中的杂散辐射抑制, 验证系统杂散辐射分析结果是否准确以及检测系统杂散辐射指标是否合格.     

外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响

基于外加电场对电子漂移速度的影响,考虑激发能对微米尺度和纳米尺度电子传输的依赖,通过计算仿真研究了外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响.结果表明:在2545kV/cm外加电场下,噪声模型和实验数据吻合;噪声随着外加电场和温度的增加而增加,当温度小于80K时噪声增加迅速,而当温度大于80K时噪声增加缓慢,并且温度越低噪声随外加电场变化越明显;噪声不随微米尺度电子传输激发能的变化而变化,随着纳米尺度电子传输激发能的增加而减小,随着纳米尺度电子传输激发能变化速度的增加而增加.该研究可为量子点红外探测器的优化设计和性能提高提供理论参考.     

组合式Si-PIN 14 MeV中子探测器

提出了一种在多片Si-PIN探测器中间用2mm厚的聚乙烯作为灵敏度增强介质,采用加法电路模式进行信号输出的组合式新型DT聚变中子(14MeV)探测技术原理. 这种组合的主要特点有： 1)大幅度提高了Si-PIN探测器的中子灵敏度和测量统计性; 2)提高了探测器的n/γ分辨本领; 3)在实现多个探测器信号相加的同时,组合探测器相对于单片探测器时间响应没有明显改变. 从实验及理论上对组合探测器的14MeV中子及1.25MeV γ灵敏度、n/γ分辨,时间特性和测量统计性进行了研究. 关键词： Si-PIN半导体探测器 灵敏度 n/γ分辨 时间响应     

基于四元红外探测系统的仿真信号源——目标探测信号的模拟

根据红外导引头研制和生产的检验需要 ,研究了四元红外探测系统输出信号的模拟技术 ,实现了在多种目标和干扰条件下 ,在系统视场内目标由远到近的运动、干扰弹投放、目标像斑沿扫描圆扫描时十字型红外探测器的输出信号等动态过程的计算机模拟仿真 ,可较好地模拟仿真输出信号的幅度和相位关系。对于研制新型红外导引头技术具有重要意义和实用价值。     

稠苯芳杂环及其烷基质子化学位移的计算

本文提出了予测稠苯芳杂环及其烷基链上质子化学位移的计算方法。 将稠苯芳杂环化合物用凯库勒式表示,计算式为为需考虑的苯环内的乙烯基效应。σ_mi,ci为各苯环的环流效应。σ_1,Hc为各芳杂环的屏蔽效应,对杂环上质子它就是该单独芳杂环上相应质子的δ值,对苯环上质子要将它分解为各结构因素的效应,即:σ_1,He=(1/2)^d-1δ_x=y(或σ_z)+σ_c-c·σ_m,H. σ_x-y与σ_z为杂原子或其基团的屏蔽效应,σ_c=c为存在于芳杂环中的乙烯基的效应,σ_m,Hc为芳杂环的环流效应,d为对不同质子所考虑的键数。有取代基时需考虑取代基的效应。计算环上烷基质子的公式为:δ=σ_p,CH3+ασ_c,CH3+βσ_t,CH3+σ_l,G σ_l,G为稠苯芳杂环基的某级效应。     

Structural phase transitions at clean and metal-covered Si(111) surfaces investigated by RHEED spot analysis

Structural phase transitions between various kinds of superlattice structures formed on a Si(111) surface have been investigated by spot analysis of reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Reversible transitions induced by temperature changes and irreversible ones induced by metal depositions were observed. Detailed discussions on the dynamics of the phase transitions are made by quantitative analyses of integrated spot intensity and profile. For a phase transition of 7′7  1′1 structures on a clean Si(111) surface, a hysteresis with temperature difference of 5°C. between in heating and cooling processes was found in the spot intensity change, indicating a first-order transition. Hysteresis was hardly recognized, on the other hand, for transitions of Au-induced superstructures (5×2-Au or ×-Au)  1×1-Au. The spot profiles were found to be broadened during the transition of Si(111)-×-Au  1×1-Au, which was a signature of a continuous transition, while the profiles remained unchanged during the transitions of the 7×7  1×1 and 5×2-Au  1×1-Au phases. Structural conversions induced by In adsorption on the Si(111) surface kept at constant temperatures were also analyzed. The conversions at room temperature were totally dependent on the initial substrate surface structures; the 7×7 surface did not show any structural conversion with In adsorption, while the ×-In surface successively converted to a 2×2 and a × phase with coverage increase. The structural transitions at elevated temperatures were sensitively dependent on the temperatures. Sequences of transitions among the 7×7, 4×1, ×, 1×, and ×4 were quantitatively revealed as changes in RHEED spot intensity.     

ErP5O14非晶玻璃的红外量子剪裁

研究了Er_1.0P₅O₁₄铒非晶玻璃的红外量子剪裁现象. 从吸收谱和激发光谱的计算比较中肯定了Er_1.0P₅O₁₄非晶 玻璃的1537.0 nm红外荧光为多光子量子剪裁荧光. 从Er_1.0P₅O₁₄非晶玻璃的可见和红外荧光发射光谱中发现激发²H_11/2, ⁴G_11/2和⁴G_9/2能级所导致的⁴I_13/2→⁴I_15/2量子剪裁红外荧光很强;基于自发辐射速率、无辐射弛豫速率和能量传递速率等参数的计算,对其量子剪裁机理进行了分析.发现起源于基态的强下转换能量传递{²H_11/2→⁴I_9/2,⁴I_15/2→⁴I_13/2},{⁴G_11/2→⁴I_13/2, ⁴I_15/2→²H_11/2},{⁴G_9/2→⁴F_7/2,⁴I_15/2→⁴I_13/2}和{⁴G_9/2→⁴I_13/2, ⁴I_15/2→²H_11/2}是导致Er_1.0P₅O₁₄非晶玻璃具有强的三光子和四光子量子剪裁红外荧光的原因.研究结果对改善太阳能电池效率有一定意义.     

1-forms over the moduli space of irreducible connections defined by the spectrum of Dirac operators

Let (P) be the moduli space of irreducible connections of a G-principal bundle P over a closed Riemannian spin manifold M. Let D_A be the Dirac operator of M coupled to a connection A of P and f a smooth function on M. We consider a smooth variation A(u) of A with tangent vector ω and denote T_ω:= (D_A(u)−f) (u=0. The coefficients of the asymptotic expansion of trace (T_ω · e^-t(D_A−f)2) near t=0 define 1-forms a^(k)_f, K=0, 1, 2, … on (P). In this paper we calculate aa⁽⁰⁾_f, a⁽¹⁾_f, a⁽²⁾_f and study some of their properties. For instance using the 1-form a⁽²⁾_f for suitable functions f we obtain a foliation of codimension 5 of the space of G-instantons of S⁴.     

Phase formation and magnetic properties of Nd2Fe14B-type Nd16Co76B8−xCx alloys and their hydrides

An attempt is made to synthesize Nd₂Co₁₄C compound by mechanical alloying Nd₁₆Co₇₆B_8−xC_x (0x8) alloys and subsequent annealing. Phase formation and magnetic properties of Nd₂Fe₁₄B-type Nd₁₆Co₇₆B_8−xC_x alloys and their hydrides are investigated. The Nd₂Co₁₄(B,C) phase with Nd₂Fe₁₄B-type structure is formed for Nd₁₆Co₇₆B_8−xC_x (0x7) alloys, while NdCo₇C_δ phase with TbCu₇-type structure is observed in Nd₁₆Co₇₆C₈ alloy. The lattice parameter c of the Nd₂Co₁₄(B,C) phase decreases with increasing the carbon content. A limit volume of the unit cell to form the Nd₂Fe₁₄B-type structure is estimated to be 0.870 nm³. The spin-reorientation temperature T_SR increases with increasing the carbon content, due to an enhancement of magnetocrystalline anisotropy caused by carbon substitution for boron. After hydrogenation, the lattice expansion is observed for Nd₁₆Co₇₆B_8−xC_x (0x7) alloys. The spin-reorientation temperature of Nd₁₆Co₇₆B_8−xC_xH_y (0x7) is much lower than that of the host alloys. Some structural and magnetic properties of hypothetic Nd₂Co₁₄C and Nd₂Co₁₄CH_y compounds are estimated by extrapolation.