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利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半
关键词: 相似文献
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含铀(U)薄膜在激光惯性约束聚变的实验研究中有重要的用途.研究其在不同气氛下的氧化性能可以为微靶制备、储存及物理实验提供关键的实验数据.通过超高真空磁控溅射技术制备了纯U薄膜及金-铀(Au-U)复合平面膜,将其在大气、高纯氩(Ar)气及超高真空度环境中暴露一段时间后,利用X射线光电子能谱仪结合Ar~+束深度剖析技术考察U层中氧(O)元素分布及价态,分析氧化产物及机理.结果显示,初始状态的U薄膜中未检测到O的存在.Au-U复合薄膜中的微观缺陷减弱了Au防护层的屏蔽效果,使其在3周左右时间内严重氧化,产物为U表面致密的氧化膜及缺陷周围的点状腐蚀物,主要成分均为二氧化铀(UO_2).在高纯Ar气中纯U薄膜仅暴露6 h后表面即被严重氧化,生成厚度不均匀的UO_2.在超高真空度环境下保存12 h后,纯U薄膜表面也发生明显氧化,生成厚度不足1 nm的UO_2.Ar~+束对铀氧化物的刻蚀会因择优溅射效应而使UO_2被还原成非化学计量的UO_(2-x),但这种效应受O含量的影响. 相似文献
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离子注入层的X射线光电子能谱分析 总被引:6,自引:0,他引:6
采用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源发出的强束流脉冲钨离子,对H13钢进行了离子注入表面改性研究,借助X射线光电子能谱(XPS)考察了注入表面层中钨,氧,铁的化学状态,研究发现,钨离子注入层中钨元素以替位钨和三氧化钨形式存在,铁元素以金属铁和三氧化二铁形式出现,而且各价态元素的原子比随深度而变化。 相似文献
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PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析 总被引:1,自引:1,他引:1
利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,苝环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;CO键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。 相似文献
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简要介绍了几种俄歇参数定义以及俄歇参数图中涉及的原子外部驰豫能和俄歇双电离体系终态能,最后评述它们的应用。 相似文献
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应用X光光电子能谱法测定了几种彩色胶片表面层中氟的1s能级的结合能;分别比较了水处理前后、溅蚀前后胶片护膜层氟的变化,表明氟化物分布在护膜最表层,是一种易溶于水的氟化物;测定了彩色片护膜层所含硅2p能级的结合能,与自制彩色片护膜层测定结果比较,优质片含一种较多负电性,用与自制片的无机硅不同的硅化物作毛面剂;对溅蚀前后优质片和自产彩色片中的硅铝比变化进行比较,提出优质彩色片F-400的护膜层可能是双 相似文献
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利用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对气体源分子束外延(GS-MBE)生长的GaP/Si异质结构进行了详细的分析.其结果表明:(1)外延层内Ga、P光电子峰与GaP相相符,且组份分布均匀,为正化学比GaP.(2)在不同富PH3流量条件下生长的样品,其表面富P量稍有不同,而GaP外延层内的测试结果相同.界面也未见有P的富集.(3)XPS剖析至GaP/Si界面附近,随外延层界面向衬底过渡,Si2p光电子峰向高结合能方向移动,且其结合能高于原衬底p型Si,接近于n型Si.但Ga、P光电子峰未发现有明显能移.(4)在XPS检测限内,外延层内和界面都未见有C、O等沾污.这一研究表明:无污染的本底超高真空、相对过剩的富3生长环境、成功的Si衬底清洗方法等措施保证了GS-MBE生长出正化学比GaP/Si外延异质结构. 相似文献
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用热脱附谱等方法研究了NO分别在清洁和Cs覆盖的Ru(10^-10)表面上的吸附。结果表明:存在两种NO分子吸附态(a1,a2),脱附温度分别处于325℃和550℃附近。Cs的存在增加了Ru(10^-10)表面上a2态的吸附位置,提高了该态的脱温度。Cs在Ru(10^-10)表面的存在同时促进了吸附NO分子的分解。NO在Ru(10^-10)表面上分解后形成吸附O原子和N原子。N原子复合以N2在约5 相似文献
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分别采用具有和不具有弯曲弧磁过滤器的两种真空阴极弧离子镀方法,在不同工艺参量下制备了类金刚石碳膜.采用Raman光谱和X射线光电子能谱(XPS),分析了不同工艺参量下的类金刚石碳膜的键结构,通过对Raman光谱的D峰、G峰和C1s电子结合能峰位、强度的对比,详细讨论了沉积工艺参量对类金刚石碳膜结构的影响.研究发现,不同工艺下具有高强度D峰Raman光谱的类金刚石碳膜,其C1s电子结合能却分别位于284.15,285.50eV,表明高度石墨化和高度金刚石化两种状态类金刚石碳膜,都可以形成具有高强度D峰Raman光谱曲线
关键词:
类金刚石碳膜
Raman光谱
X射线光电子能谱 相似文献
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PHOTOELECTRON SPECTROSCOPIC STUDY OF THE EFFECT OF Cs INTRALAYER ON THE BAND LINEUP OF Ge/InP(100) HETEROJUNCTION 下载免费PDF全文
The formation and band lineup of the Ge/InP(100) interface with or without alkali metal Cs intralayer (IL) are studied by means of X-ray photoemission spectroscopy (XPS) and ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS). It is found that the Cs atoms do not react with or diffuse into the subatrate and the Ge overlayer. The thin Cs IL will induce an increase of the valence band offset (ΔEv) for the Ge/InP(100) heterojunction. The changes of ΔEv are proportional to the IL thickness and them saturate for IL thickness of about one half of a monolayer of Cs IL. Without the IL, ΔEv of the Ge/InP(100) heterojunction is equal to 0.70eV, and ΔEv with one half of monolayer IL is up to 0.90eV. These results show that the interface dipole plays a major role in the band lineup at the heterojunction interface. 相似文献
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浊度法和离子选择电极电位法是测定氯离子的简便和常用的方法。对于低于10~(-5)mol/L氯离子的测定,这些方法遇到不少困难。本法利用氯离子对银的原子化程度的影响,用AAS法来间接测定低于10~(-5)mol/L浓度氯离子,无需分离,方法快速。这种分析方法具有实际应用价值。 相似文献
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直流等离子体原子发射光谱法测定天然水中锂 总被引:3,自引:0,他引:3
陈冠华 《光谱学与光谱分析》1995,15(3):83-86
本文对应用直流等离子体原子发射光谱法测定天然水中的锂进行了研究。在天然水样中加入碳酸钾进行预处理,方便地分离了锂的主要干扰元素钙和镁。对模拟水样和天然水样进行了测定,取得了满意的结果。 相似文献