粉末材料的场致发光(1)

1.场致发光的基本现象及一般原理 (1)交流激发下的场致发光 用于交流激发的粉末场致发光材料主要是ZnS:Cu之类材料。 交流场致发光的亮度和所加电压的关系符合经验公式: B=B_0exp[-(V_0/V)~(1/2)] 其中B为亮度,V为外加电压,B_0和V_0为和电压无关的常数。从这个经验公式可以知道,亮度是随电压的增大超线性增加的。B_0和V_0与温度、电压的频率,所用的发光粉,发光屏的结构有关。频率越高,温度越     

由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光

本文报导ZnS—Ⅰ单晶的均匀(没有通常看到的那种亮点和线)击穿前场致发光。用欧姆接触加电压,当电压达到晶体内平均电场为≥10~2v/cm时,可以看到这种场致发光。单晶是用气体输运反应法制得的,接着在熔融锌中进行处理,在室温和液氮温度研究了光谱、电压—亮度、电流—电压(Ⅰ—Ⅴ)和随时间变化的特性。场致发光光谱除了宽的红带和兰带以外,还有个一紫外带,延伸到330nm。在用上升时间为0.2微秒的方脉冲电压激发时,场致发光亮度波形的前沿没有时间延迟。N形的伏安特性和电流及亮度发生振荡的事实表明,晶体中产生了可动的电子畴,它集中了电场,并可能是决定这种场致发光的特征的主要因素。从振荡周期计算出的电子畴的运动速度和ZnS中的声速一致。从这一事实可以设想,在场致发光时存在着声电不稳定性。     

《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

稳定的低压场致发光屏

在各种不同的技术领域中,作为指示器及光源用的场致发光屏,为了得到所需的亮度,一般都用较高的交流电压(100—220伏)激发。参考资料[1—3]指出了利用各种有机粘合剂制备在较低电压下有几十个尼特亮度的场致发光屏的可能性。但是这些场致发光屏的稳定性很差(特别是用细的场致发光粉时),并且在连续工作时亮度急剧下降。只有采用稳定过的细的荧光粉,情况才比较好。本文研究了解决这个问题的另一种途径,即利用玻璃介质制备稳定的低压场致发光屏。     

在反向偏压下肖特基二极管的场致发光

在半导体上用金属整流接触所构成的肖特基二极管,在反向偏压下可有场致发光。作者用硒化锌作了详细的实验,以阐明它的工作机理。电子从金属隧道进入半导体,在耗尽层场中被加速,然后通过在导带内产生辐射跃迁或者碰撞离化,碰撞激发发光中心而发光。 导带内热电子跃迁引起的发光能够给出关于带结构的数据,而这些数据用其他方法是难于得到的。这种发光过程可望制成有较快的上升和下降时间的场致发光二极管,虽然其效率比较低。 发光中心的碰撞离化可以通过倍增测量来研究,其结果与场致发光测量密切相关。本文提出了一种简单的碰撞激发场致发光理论,由此引伸的碰撞离化,已得到证实。这个理论对用作光源的二极管的有关过程和性能,作了定量的描述。 已经用ZnSe制成了在适当电压和电流下用于显示的具有足够光输出的发光二极管。对于用其他材料的有关的工作也进行了描述。     

埸致发光

将一种发光材枓置于两个平行的平板电极间(其中一个电极必需是透明的),在两个电极上加上电压就能发出光来的现象称为场致发光。图1为场致发光的示意图。早在1923年,     

可变色的ZnSe:Er3+ MIS发光二极管

本文首次利用高场和低场激发下的有效发光中心,设计和制备了随外加电压极性改变而变色的ZoSe:Er3+ MIS发光二极管。这种发光二极管在正向电压激发下得到蓝色发光,而在反向电压激发下得到绿色发光。     

动态报导

一种新的低压场致 发光层的制备方法 苏联Светотехника杂志1973年第4期报导了一种新的低压场致发光层的制备方法,内容如下: 在工业中广泛采用的场致发光层的制备方法是喷敷法和浇敷法,用这两种办法可以制备出很均匀的屏,但是厚度较厚20—70微米。这一点就决定了在电压40—60伏,频率400—1000赫芝时,场致发光指示器的亮度很低。利用新的办法制备场致发光层,也就是被我们称为汲取的方法,能提高指示器的     

后栅结构四针状纳米ZnO场致发射显示器的研制

为了解决二极结构FED驱动电压高的问题,设计制作了后栅式三极结构纳米ZnO场致发射显示器,进行了场致发射实验,验证这种结构的可行性。采用丝网印刷厚膜技术实现后栅极结构FED的制作,工艺简单,实现了较低电压的调制。对影响场致发射性能的栅极电压、阳极电压进行了分析讨论。将阴栅极板和荧光屏封装成5英寸三极结构的场致发射显示器,实现了稳定的场致电子发光显示。     

一种利用双发光区的有机红光电致发光器件

针对一般掺杂结构的红光有机电致发光器件效率随外加电压的增加而迅速下降。同时色度逐渐变差的特点,我们引入了在NPB层和Alq3层内同时掺杂DCJTB的具有双发光区的器件结构。制备的双发光区掺杂器件在驱动电压8—20V内发光效率只下降了4％;而色度从8V时的(x=0．6287,y=0．3663)变化到20V时的(x=0．6075,y=0．3841);器件的发光亮度从8V时的178cd／m^2变化到20V时的5962cd／m^2,具有较好的性能水平。观察到器件效率基本上不依赖于外加电压的变化而变化的特性,同时器件也保持一个比较好的色纯度,并对结果进行了分析。     

有机薄膜电致发光器件结构与发光特性的研究

从有机电致发光薄膜的发光机理出发，通过以Ａｌｑ薄膜器件、ＰＶＫ为空穴传输层和Ａｌｑ为发光层的双层 及ＰＶＫ掺荧光材料Ｐｅｒｙｌｅｎｅ的双层薄膜器件的研制，从器件的电致姚谱、电流密度－电压特性、亮度－电压特性的曲线的测试结果，计算分析了器件的流明效率、量子效率，并对有机薄膜电致发光器件的结构与发光特性之间的关系进行研究，利用能级理论分析了器件的姚特性随器件的结构不同所具有的规律。实验表明，加入ＰＶＫ     

近期外文资料索引

一、场致发光:薄膜显示开关(a cEL屏用)AD一772544 场致发光屏(用电介质材料) OTKP址THa,H3o6.nPoM曰坦几eHnHeo6Pa3双H,?oBaPHHe 3HaKH 1973,50 (25)198.(Zn,Cd)S磷光体的结构和光学特性IndianJ。Chem。,1973,11(8)场致发光屏亮度和稳定性的提高C刀eToTexaHKa 1974(6)11792重掺杂半导体场致发光理论中T n 1973,7(11)2103 稀土掺杂的ZnS场致发光薄膜器件中亮度对电压的依赖性 Jap.J.Appl.Phys.1974,13(2)性264低温下重掺杂半导体场致发光结构的特中T n 1973,7(12)2269 通过EL对Znse边缘发射中施主一受主对复合的观察 J。…     

场致发光矩阵扫描装置的改进

从前是在场致发生层的上面和下面配置互相绝缘的平行导体组成的水平电极群和与此垂直的互相绝缘的平行导体组成的垂直电极群。用这种场致发光矩阵屏显示出种种图象,需要用适当的转换装置进行扫描。在两个电极的交叉点上形成的场致发光单元是受脉冲状的电压激励而发光的。     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

PVK/BCP体系电致激基复合物的研究

在PVK/BCP双层电致发光器件中发现了电致激基复合物的发光,器件的光谱中,除了有与光致发光相同的发光峰,在长波方向还有一个新的发光峰,该发光峰就是电致激基复合物的发光,发光来源于BCP的激发态向PVK基态的跃迁。PVK∶BCP混合型器件由于复合区域扩展,BCP分子可以与PVK充分接触,因此电致激基复合物的发光更强。不论是在双层器件还是在混合型器件中,随驱动电压的增加,电致激基复合物的发光都会增强,而混合型器件更加明显,当电压比较高时,器件只有电致激基复合物的发光了,而没有本征发光。     

ZnO磷光体系统的场致发光

研究了ZnO—ZnSe:Cu,XAl;ZnO—CdSe:Cu,XAl 和ZnO—CdS:Cu,XAl 的场致发光(式中X=Cl,Br或l)。随着化合物组分的变化,谱峰逐渐从绿向红位移。描述了ZnO—ZnSe在外加电压和频率作用下的场致发光亮度波形。100％的 ZnO示出了第一和第二谱峰。而在ZnO—ZnSe化合物系统中只观察到第一谱峰。     

GaN发光二极管表观电阻极值分析

利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。利用LED串联等效电路对表观电容和表观电阻进行了测量,表观电阻-正向电压曲线出现了一个极值点。通过对相关文献分析,提出负电容现象的根本原因是在较高的正偏下微分电容dQ/dU<0;推论出pn结的微分电容先随正向偏压的增大而急剧增大,当出现复合发光后随正向偏压的增大而减小,直到随正向偏压的增大而出现负值;正向偏置电压较大时,结电导电流的变化率根据I-V特性曲线取极大值,此时微分电容由于强复合效应已快速变小,表观电阻有极大值;得到了表观电阻极大值表达式。表观电阻与正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性。     

“国外发光与电光”一九七四年分类目录

一固体发光的一般问题: 固体发光简介 发光材料的光谱特征(1) 制备荧光纯硫化锌原料的一种新方法 发光材料的光谱特征(2) 光度学简介 东芝磷光体 简讯: 用高压烧结法制备磷光体,51一5583一8753一5977一8786一9415一231 2 3 3 56二场致发光材料和器件: 场致发光的应用和固体显示前景 硫化锌和有关化合物的直流场致发光 直流场致发光材料与平板电视显示技术 场致发光磷光体 场致发光Zns: Er“ 薄膜的激发机理 固体X射线图象转换器 新的场致发光显示屏 场致发光体悬浮浓的电泳沉积 粉末材料的场致发光(1) 简讯: 关于场致发光器件的讨论 ZnS:…     

场致发光器件工作电路的改进

过去用半导体开关元件控制场致发光的方法如图1所示。图中显示器是场致发光器件,用从发生器来的交流电压激发。发生器的一头和显示器直接相联,另一头则通过一个串联电路(用直流电源供电)与显示器相联。串联电路中有一个开关晶体管,两个半导体开关元件的阳极一阴极     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题: 对发光材料的光学和电学性质的研究 A D 778 413 某些n一VI族化合物的禁带宽度与温度的关系同前1974,(12)53含氧化锌发光材料的直流场致发光板日本特许74 011796高分辨率场致发光X射线象转换器日本特许74 01179734(12)Phys.Chem.Solids.,1973, 2167了 489二、场致发光:ZnS。.。S。。.‘晶体中的绿色场致发光Appl.Phys。Lett.,1974 25(9) 参加场致发光过程的陷阱光谱 J .Lumineseenee,19749(2)156 晶体光致发光和场致发光磷光体 PWN,1974,164 5.(波) 稀土场致发光溶液 美国专利3835345 介质与场致发光亮度/温度…