LAPLACE变换法确定X光机轫致辐射谱

用双透射电离室法测量了Ｘ光机在管电压分别为２５、３０、３５、５０ｋＶ时产生的Ｘ射线在铝中的衰减特性,采用了一种ＬＡＰＬＡＣＥ变换模型,由衰减曲线计算出了相应能量的Ｘ射线能谱．讨论了影响能谱计算结果的主要误差来源     

杂质的正电子亲和能对慢正电子束研究缺陷深度分布的影响

为了研究杂质的正电子亲和能对正电子技术测量空位型缺陷深度分布的影响,本文利用慢正电子技术研究了不同离子注入Mo样品中产生的缺陷及缺陷的深度分布,所得到的实验结果与SRIM计算模拟结果相比较,慢正电子测量空位型缺陷深度分布范围总是大于SRIM模拟的缺陷分布.慢正电子束测量Cu离子注入的S参数最大值的深度(150 nm)要大于Mo离子注入的深度(125 nm).结果表明,正电子亲和能高的Cu杂质团簇比Mo空位团更容易捕获正电子,且Cu团簇对正电子的捕获会影响到慢正电子束测量表面缺陷深度的结果.     

纯Al和AA2037铝合金腐蚀相关缺陷的正电子湮没研究

应用慢正电子束多普勒展宽技术研究了纯Al和AA2037铝合金与腐蚀相关的缺陷.慢正电子束多普勒展宽测量是通过改变正电子的能量,测量正电子湮没的多普勒展宽谱,分析得到了不同正电子能量的S参数和S-E曲线,然后对S-E曲线进行了分析和处理以得到材料表面及近表面的缺陷真实分布.实验结果表明,纯Al与在1mol/LNaOH溶液中腐蚀引起了纳米尺度界面缺陷的产生,导致S参数明显上升;而水淬AA2037铝合金腐蚀后引起S参数明显下降,其原因可能是Cu在氧化层与基体界面富集.通过原子力显微镜(AFM)观察证实了纯Al样品表面经过腐蚀后有大量几百纳米大小的孔洞产生,而AA2037铝合金中只有少量的孔洞产生.     

聚碳酸酯薄膜的结晶行为

采用旋涂法在硅片上镀聚碳酸酯薄膜.将聚碳酸酯薄膜在200℃下进行不同时长的退火处理后,利用正电子湮没多普勒展宽测量技术与原子力显微镜研究不同退火时间对聚碳酸酯薄膜结晶现象的影响.研究结果表明,慢正电子束多普勒展宽测量技术对于聚碳酸酯薄膜早期结晶行为非常敏感.随着退火时间增长,聚碳酸酯薄膜的结晶度增加,高分子结晶过程之中伴随着原子尺度的自由体积大小和浓度而变化,结晶程度与退火时间有着非常紧密的关系.     

二维空腔运动边界STOKES流动的数值模拟

利用边界元方法数值研究二维空腔运动边界Stokes流动的流场变化问题。首先,在对称流动情形下利用有关文献的理论和实验结果作参考来验证该数值方法的有效性。然后数值研究非对称流动各情形矩形空腔内涡旋生成和发展的规律。数值计算结果表明：s=-1时的数值计算结果与理论分析结果以及实验结果比较一致。对非对称流动情形,在s的绝对值不太大的范围内,伴随s的增加,矩形空腔内涡旋的生成、发展过程可由s的5个临界点分成6个阶段。本方法适用于不同高宽比和任意速率比的矩形空腔对称和非对称流动问题。     

含m 1个线性误差子步的2~m阶外推方法

1.Aitken外推与King外推 假设叙列x_0,x_1,…是由单点迭代函数φ产生的、并且向其极限α的收敛正好是线性的.下列加速其收敛性的外推方法通常称为“δ~2-程序”,它是Aitken所发现并由Steffensen应用到φ上去的:     

定常Stokes 方程组的一个罚方法

把罚方法用于解定常Stokes方程组,当时,文章〔2〕利用外推,得到了较好的误差估计.但在β=2时,只能得到估计式. 本文在β=2时,利用另一个罚函数,经一步外推后,得到估计式,从而补充了文章〔2〕中的定理2.     

相对论性冷电子束流静电双流不稳定性

激光核聚变的"快点火"过程中高能电子的产生会引起相对论性静电双流不稳定性,它对相对论性电子的传输和能量沉积有重要影响。从完全协变相对论性电磁流体力学方程出发,研究了相对论性冷电子束流激发的静电双流不稳定性。研究表明,快电子束流速度越大,对不稳定的增长率和不稳定区域的抑制性越强,即相对论性越强,越能抑制双流不稳定性的产生;而快电子束密度越大,越易于引发双流不稳定性;随着快电子束流速度以及束流密度的增大,不稳定性最大增长率都向小波数区域移动。     

质谱中亚稳峰来源的计算机检索

在质谱仪电离室中,分子被电离、碎裂、形成的正离子(m_1)被电场加速。如果在进入检测器之前,又裂碎为更小的碎片离子(m_2),则在检测器中可以观察到表观质量为m~*的亚稳离子峰。     

C_2a~3П_■.d~3П_g 态振动能级和基态离解能的实验研究

测量了 c_2放电管中 d~3Π_(?)→a~3Π_(?)跃迁电振光谱带系.观察到了(2、0),(1、0)(0、0)和(0、1)各带的带头头和若干“尾带”,从而确定了 a~3Π_u、d~3Π_8二个态的较高振动能级.将 d~3Π_g 能级外推得到 c_2基态的离解能 D(?)=5.05eV.     

生物质与聚合物共裂解及其气态烃类的气相色谱分析

设计的生物质与聚合物共裂解工艺,共裂解产物中C3-C4烃成分占气态烃类的大部分,为可燃气的开发提供理论基础.从生物质与聚合物共裂解产物中气态烃类的分布可见:生物质与聚合物常压共裂解气体转化率更高;相对生物质与聚合物高压无氧共裂解,C1和C2烃类生成相对减少,常压共裂解有利于C3和C4烃烃类的生成,占总气态烃的64.6%(质量比).将毛细管柱与氢火焰离子化检测器(FID)联用,研究了生物质与聚合物共裂解产物中气态烃类的气相色谱分析.通过控制分析条件,有效地使各类烃获得有效的分离.柱温:程序升温,起始温度80℃,保留0 min;以10℃.min-1升温至150℃,保留5 min;再以10℃.min-1升温至180℃,保留20 min.进样口温度200℃.检测器温度250℃.     

腔中捕获原子团间的纠缠态

利用单模腔场与捕获原子团的相互作用,提出原子团之间最大纠缠态的制备方案.数值上给出原子团间的纠缠度随白噪声强度的变化关系.计算出系统的热纠缠及其存在的临界温度.     

Sr原子5snd1D?Rydberg态的多重电离阈

对Sr原子5snd1D?(n=22～27),｜m｜=0,1,2各Rydberg态的场电离阈作了实验测定和理论计算．讨论了原子场电离过程中的能级Stark位移,电离的绝热或非绝热路径以及环境热辐射等因素对场电离可能产生影响．     

阳离子交换皂石黏土在基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析中的应用

将一种人工合成的无机聚合物——蒙脱石皂石黏土（smectite,Sm）应用于基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析（matrix-assisted laser desorption/ionization time of flight mass spectrometry, MALDI-TOF-MS）,以检测糖类化合物。 将传统的有机基质2,4,6-三羟基苯乙酮（trihydroxyacetophenone, THAP）与阳离子交换后的皂石黏土混合制备成新型复合基质,应用于糖类化合物的检测。通过比较不同的制样方法,测定不同分子直径的糖类化合物,发现由于受复合基质晶面间距的限制,只有小分子糖类化合物能进入晶面间隙充分接触有机基质并被离子化,从而实现对小分子糖类化合物的选择性检测。     

阳离子交换皂石黏土在基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析中的应用

将一种人工合成的无机聚合物——蒙脱石皂石黏土（smectite,Sm）应用于基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析（matrix-assisted laser desorption/ionization time of flight mass spectrometry, MALDI-TOF-MS）,以检测糖类化合物。 将传统的有机基质2,4,6-三羟基苯乙酮（trihydroxyacetophenone, THAP）与阳离子交换后的皂石黏土混合制备成新型复合基质,应用于糖类化合物的检测。通过比较不同的制样方法,测定不同分子直径的糖类化合物,发现由于受复合基质晶面间距的限制,只有小分子糖类化合物能进入晶面间隙充分接触有机基质并被离子化,从而实现对小分子糖类化合物的选择性检测。     

气体放电等离子体的耗散结构和密度涨落

本文采用非平衡动力学和随机理论方法讨论了直接电离、电子离子复合情形下的气体放电等离子体密度的耗散行为和涨落;得到稳定性条件和耗散结构分枝解。密度涨落的时间关联特性可以用一个参数C2完全描述。文中解出了等离子体中的涨落波波谱。但其谱性质与线性谱不完全相同。当考     

激光自混合多普勒测速法

利用激光自混合技术结合多普勒测速方法,来改进传统多普勒光路的光路复杂等缺陷.自混合技术中,反馈光会引起腔内的输出增益变化.根据激光的增益变化和频率变化成线性关系,可以对信号进行处理求出多普勒频移.用能量重心校正法对多普勒频移校正,进而得到物体的运动速度的模拟计算值.     

己二酰异羟肟酸与Cu(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)、Zn(Ⅱ)和Mn(Ⅱ)络合稳定常数的测定及其结构

本文报道了己二酰异羟肟酸与Cu(Ⅱ)、Ni(Ⅲ)、Zn(Ⅱ)和Mn(Ⅱ)的络合稳定常数其稳定顺序为:Cu(Ⅱ)>Ni(Ⅱ)>Zn(Ⅱ)>Mn(Ⅱ)。并用金属离子电离势和电子构型解释此顺序。通过红外分析、碰化率和分光光度的测定探讨了络合物的结构与组成。     

激光腔稳定性的衍射解法

由高斯振幅分布的光场之菲涅耳衍射，求得高斯光束的空间传播形式．在此基础上求解激光腔ＴＥＭ０，０模之腰斑Ｗ０２及其相对于腔镜的位置，由此自然地得到，激光腔稳定条件即是激光器产生的高斯光束腰斑大于零的条件。在此过程中，完全摒弃了矩阵光学方法，而强调光波衍射对谐振腔稳定性的基本重要性．引入约化半径ｒ１，ｒ２作参数绘制稳区图．稳区图共有四个明显的稳定区，每一区正好与激光腔一种稳定结构对应．此稳区图比广为采用的ｇ１，ｇ２参数双曲线图直观、方便、实用．提出了求解激光束参数的图解法，此方法有利于激光腔设计者全面地掌握激光器工作状态．     

氢封端聚二甲基硅氧烷的定性分析

使用气相色谱质谱联用（GC-MS）和电喷雾四极杆飞行时间质谱（ESI-Q-TOF）对氢封端聚二甲基硅氧烷进行分析,通过谱图解析,确定了样品中有100个相对分子质量134~3 908的组分,分别属于4种同系物,包括2种链状聚二甲基硅氧烷和2种环状聚二甲基硅氧烷.