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硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,langasite,简称LGS)是一种多功能晶体。LGS和石英同属32点群,具有良好的压电和电光性质,本文在综述LGS晶体基本性质的基础上,总结了我们对这种晶体生长和性质的研究工作,测量了LGS晶体电光性质,采取措施消除旋光性影响,首次用其设计制作了电光Q开关,结果表明其效果与DKDP晶体电光Q开关相当;进而开发了高功率高重复频率Q开关,双端面泵浦模式,激光重复频率为50 KHz时,最高输出可以达到12.5瓦,脉宽为46 ns。通过改进晶体生长条件,可获得直径约50 mm,长度为100 mm,重约1000 g的光学级LGS晶体,基本满足晶体电光Q开关应用的要求。 相似文献
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旋光晶体在偏光干涉实验中电光效应的研究 总被引:5,自引:3,他引:2
研究了旋光晶体在偏光干涉实验中的电光效应,给出了旋光晶体在偏光干涉实验中出射光强与晶体旋光性之间关系的表达式I—Ao^2cos^2[β-(π/λ)(n1-nr)l],以及与旋光晶体电光效应之间关系的表达式I—Ao^2cos^2[β-(π/λ)(n1-nr)l (π/λ)(n2-n1)l]。根据这些表达式给出的关系,将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14制作成了电光Q开关,像那些用无旋光性晶体制作的Q开关一样工作良好。在中等功率输出的激光器中,La3Ga5SiO14晶体电光Q开关有可能取代氘化磷酸二氢钾(DKDP)晶体电光Q开关。 相似文献
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退压式La3Ga5SiO14晶体电光调Q Nd:YAG激光器激光性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对硅酸镓镧(LGS)晶体旋光性与电光效应的交互作用的理论研究,推导出晶体旋光性和电光效应共同作用下的光强表示式I=1-4B2(Asin 2ω-Ccos 2ω)2.利用此表示式设计计算了旋光晶体LGS尺寸为8 mm×8 mm× 25 mm电光Q开关在1064 nm波长使用时的开关电压和偏振角分别为4995 V和27.3°.将理论研究得到的结论应用于LGS晶体电光调Q的Nd:YAG晶体激光器的实验研究中,实验结果与理论计算结果基本一致.得到输出能量为361 mJ,脉冲宽度为7.8 ns的脉冲激光输出. 相似文献
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高纯CdS单晶生长及光学性质 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道用物理蒸气输运(PVT)法,通过对原料的提纯和控制组分蒸气压生长出高纯CdS单晶.叙述了控制晶体化学比的方法并通过比较CdS的激子光谱以评价材料的纯度. 相似文献
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通过对硅酸镓镧(LGS)晶体旋光性与电光效应的交互作用的理论研究,推导出晶体旋光性和电光效应共同作用下的光强表示式I=1-4B2(Asin 2ω-Ccos 2ω)2。利用此表示式设计计算了旋光晶体LGS尺寸为8 mm×8 mm×25 mm电光Q开关在1064 nm波长使用时的开关电压和偏振角分别为4995 V和27.3°。将理论研究得到的结论应用于LGS晶体电光调Q的Nd∶YAG晶体激光器的实验研究中,实验结果与理论计算结果基本一致。得到输出能量为361 mJ,脉冲宽度为7.8 ns的脉冲激光输出。 相似文献
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针对硅酸镓镧声表面波压力传感器,提出了一种温度和压力的多参数解耦方法。理论上采用有限元方法与微扰理论结合,计算传感器在不同温度、压力下频率响应。根据计算结果,构造出传感器温度与压力的解耦公式。以一种基于LGS(0°,0°,100°)点压力式SAW传感器为例,理论计算得到其温度与压力解耦公式的具体参数,同时与在-55℃-125℃,0-1 MPa范围内的实验测试结果对比。理论分析和实验测试结果基本吻合,验证了温度压力多参量解耦方法的正确性。 相似文献
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自助熔法从富Bi2O3 的Bi1 .8 + xPb0 .2Sr1 .65La0 .35CuOy(x= 0 .1 ,0 .2,0 .3 ,0.4 ,0 .5) 熔体中生长出了高质量的Pb、La 掺杂的Bi2201 相大单晶,最大尺寸达8 ×4 ×0 .05mm3 .在生长单晶时不同程度过量的Bi2O3 用作助熔剂,最佳助熔剂含量以及最佳温度控制过程被确定.通过单晶的(00l) XRay 衍射和摇摆曲线以及电子衍射对一块尺寸为4 ×1 .6 ×0 .03mm3 的高质量单晶做了结构表征.由试验发现从富Bi2O3 的熔体中生长高质量Bi2201 相大单晶的关键是合适的助熔剂含量和温度控制过程 相似文献
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用气相法生长成足够大的N-salicylideneaniline(SA)单晶,并研究SA单晶对不同偏振探测光的光致变色性质.在不同温度和不同偏振的情况下,测试了光致着色和光致褪色过程中光密度变化的时间依存性质,并通过计算获得SA单晶用不同偏振探测光测得的激活能.并通过理论计算和实验结果发现,在200K温度用紫外光照射样品时,生成的酮分子中约有60%是trans酮构型和约40%的cis酮构型
关键词:
N-salicylideneaniline单晶生长
光致变色
偏振特性 相似文献
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晶体生长的缺陷机制 总被引:4,自引:0,他引:4
晶体生长是一个复杂的相变过程。自80年代以来,闵乃本及其研究组系统地研究了晶体生长的缺陷机制。在理论分析和实验观察的基础上,他们发展了晶体生长的位错机制(包括刃位错和混合位错机制),层错机制,孪晶机制、重入角机制以及重入角生长和粗糙界面生长的协同机制。根据这些机制可以得出结论:任何可以在晶体生长表面提供台阶源的缺陷都能为晶体生长作出贡献,这些台阶源包括完全台阶和不完全台阶(亚台阶),近年来,P.Bennema及其合作者系统地研究了在照相工业中广泛应用的卤化银和金属银的晶体生长机理,在大量实验事实和理论分析的基础上,他们认为亚台阶理论(称作闵氏理论)不仅可适用于溶液生长,也适用于气相生长的机理研究;不仅适于作理论分析,而且可用于寻求最佳生产条件的指导,亚台阶理论是晶体生长的一个普适理论,文章介绍了闵乃本及其研究组提出理论及P.Bennema研究组近年来在这方面的工作进展。 相似文献
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本文报道了采用自助溶剂法对不同组分K0.8Fe2-ySe2单晶生长和结构研究的实验结果.X-射线衍射XRD(Cu靶和同步辐射)结构分析表明样品中存在两套衍射峰(分别对应相1和相2),相1能够用ThCr2Si2结构,空间群I4/mmm(No.139)指标化,对应超导相.而相2能够用单一米勒指数(0 0l)标定,可能对应一个新的物相.相2的存在能够在不同组分的KxFe2-ySe2单晶样品中很好的重复.利用高分辨透射电子显微镜(TEM)研究了K0.8Fe2Se2样品的"结构相分离"特征,结果表明样品中存在明显的位错缺陷,可能与两相结构的竞争有关.对K0.8Fe2Se2单晶样品直流磁化测量表明相2可能为弱铁磁性,从而引起高温Tp~125K的ZFC与FC磁性反常. 相似文献
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介绍一种应用电光晶体补偿位相测量微小位移的方法,着重分析其测量精度,并应用这种方法校正压电陶瓷的线性,精度优于1%波长。 相似文献