硅酸镓镧单晶的生长、性质及电光应用的研究

硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,langasite,简称LGS)是一种多功能晶体。LGS和石英同属32点群,具有良好的压电和电光性质,本文在综述LGS晶体基本性质的基础上,总结了我们对这种晶体生长和性质的研究工作,测量了LGS晶体电光性质,采取措施消除旋光性影响,首次用其设计制作了电光Q开关,结果表明其效果与DKDP晶体电光Q开关相当;进而开发了高功率高重复频率Q开关,双端面泵浦模式,激光重复频率为50 KHz时,最高输出可以达到12.5瓦,脉宽为46 ns。通过改进晶体生长条件,可获得直径约50 mm,长度为100 mm,重约1000 g的光学级LGS晶体,基本满足晶体电光Q开关应用的要求。     

退压式La_3Ga_5SiO_(14)晶体电光调QNd∶YAG激光器激光性能研究

通过对硅酸镓镧(LGS)晶体旋光性与电光效应的交互作用的理论研究,推导出晶体旋光性和电光效应共同作用下的光强表示式I=1-4B2(Asin 2ω-Ccos 2ω)2。利用此表示式设计计算了旋光晶体LGS尺寸为8 mm×8 mm×25 mm电光Q开关在1064 nm波长使用时的开关电压和偏振角分别为4995 V和27.3°。将理论研究得到的结论应用于LGS晶体电光调Q的Nd∶YAG晶体激光器的实验研究中,实验结果与理论计算结果基本一致。得到输出能量为361 mJ,脉冲宽度为7.8 ns的脉冲激光输出。     

退压式La3Ga5SiO14晶体电光调Q Nd:YAG激光器激光性能研究

通过对硅酸镓镧(LGS)晶体旋光性与电光效应的交互作用的理论研究,推导出晶体旋光性和电光效应共同作用下的光强表示式I=1-4B2(Asin 2ω-Ccos 2ω)2.利用此表示式设计计算了旋光晶体LGS尺寸为8 mm×8 mm× 25 mm电光Q开关在1064 nm波长使用时的开关电压和偏振角分别为4995 V和27.3°.将理论研究得到的结论应用于LGS晶体电光调Q的Nd:YAG晶体激光器的实验研究中,实验结果与理论计算结果基本一致.得到输出能量为361 mJ,脉冲宽度为7.8 ns的脉冲激光输出.     

RTP晶体的调Q特性研究

介绍了一种适用于在高重复频率调Q工作的RbTiOPO4（RTP）电光晶体。通过分析温度变化对RTP晶体透过率的影响,得出通过极精确地控制RTP晶体温度变化范围来补偿晶体的自然双折射是不实用的,而必须用两块相同的正交放置的RTP晶体Q开关,才能补偿晶体的自然双折射,保证Q开关的稳定性。用两块相同的正交放置的RTP晶体Q开关进行了不同频率的电光调Q实验,实验结果说明了RTP晶体作为电光Q开关在高重频工作的潜力。     

电光晶体研究究进进展及其对称性性研研究

由电场引起的晶体折射率的变化称为晶体的电光效应,具有电光效应的晶体称为电光晶体。利用电光效应可以制作电光Q开关等重要光电器件。晶体的电光效应及其有效利用,均与其对称性密切相关。本文在综述电光晶体研究进展的基础上,推导了不同晶系中各晶类电光效应类型及其特点,并以电光Q开关的要求为例讨论了晶体的电光效应及其对称性之间的关系。从讨论结果得出:立方晶系Td-ˉ43m,三方晶系C3v-3m,四方晶系D2d-4ˉ2m,D4v-4mm和六方晶系D3h-6ˉm2,C6v-6mm点群中相应电光系数的横向或纵向效应可能有实用价值。在考虑旋光性影响后,立方晶系T-23,三方晶系D3-32,四方晶系中S4-4ˉ,六方晶系中C3h-6ˉ等也有可能应用。但是,电光晶体的应用与许多因素相关,对称性只是其中一个基本条件。     

旋光晶体在偏光干涉实验中电光效应的研究

研究了旋光晶体在偏光干涉实验中的电光效应，给出了旋光晶体在偏光干涉实验中出射光强与晶体旋光性之间关系的表达式I—Ao^2cos^2[β-（π/λ）（n1-nr)l]，以及与旋光晶体电光效应之间关系的表达式I—Ao^2cos^2[β-（π/λ）（n1-nr)l (π/λ）（n2-n1)l]。根据这些表达式给出的关系，将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14制作成了电光Q开关，像那些用无旋光性晶体制作的Q开关一样工作良好。在中等功率输出的激光器中，La3Ga5SiO14晶体电光Q开关有可能取代氘化磷酸二氢钾(DKDP)晶体电光Q开关。     

20mm孔径重复频率等离子体电光开关研究

等离子体普克尔盒可以采用薄晶体,是大口径平均功率激光器理想的光开关器件。采用有限元方法,分析了20mm口径重复频率等离子体电光开关的热光效应,模拟计算了在平均功率负荷下,3mm厚的DKDP晶体由于热致双折射引起的退偏损耗为0.16%。采用电容分压技术,实现了基于DKDP晶体的等离子体电光开关的单脉冲驱动,通过针对重复频率等离子体普克尔盒的优化设计,研制完成了Φ20mm口径、10Hz重复频率等离子体电光开关样机,静态透射率97.2%,开关效率99.8%,开关上升时间11ns。     

旋光性与电光效应交互作用及其对旋光晶体电光Q开关的影响

研究了晶体的旋光性与电光效应的交互作用、以及此交互作用对 旋光晶体电光Q开关的影响. 关键词： 旋光性 电光效应 电光Q开关 3Ga₅SiO₁₄晶体')" href="#">La₃Ga₅SiO₁₄晶体     

旋光-电光晶体的电光调制特性及π-电压

分析旋光-电光晶体的电光相位以及强度调制特性,并定义晶体的π-电压。对于具有旋光性的电光晶体,以往半波电压的概念不能准确描述其电光偏振、强度调制的周期性,因而引入π-电压这一概念,并将其定义为此类晶体的椭圆双折射相位延迟变化量等于π时所需要的调制电压。对于置于两个偏振器之间的旋光-电光晶体强度调制器,旋光性可以为电光强度调制提供光学偏置,但调制光强度是调制电压的偶函数,只有当检偏器的主透光方向平行或垂直于晶体出射线偏振光波的偏振方向时,才能实现完全的电光开关。当将此类晶体用于电光开关时,可定义能够实现完全开关状态转换所需要的最大调制电压为开关电压。通过实验测量了一块尺寸为6 mm×4 mm×2.9 mm的硅酸铋(Bi_(12)SiO_(20))晶体的π/4-电压,对于635 nm的光波长,π/4-电压约为3 kV。对于具有旋光性的弹光调制器,可以引入π-应力和π-应变的概念。     

670nm电光调Q陶瓷激光器

为了进一步研究Nd∶YAG陶瓷激光器的红光波段,研制了一台重复频率为1 000 Hz的670 nm电光调Q Nd∶YAG陶瓷激光器.采用三个激光二极管列阵侧面抽运掺杂浓度为1.1at%、尺寸为Φ3×50 mm2的Nd∶YAG陶瓷晶体,根据实验测量的陶瓷晶体热透镜焦距,优化设计了折叠腔的各个参量,并对陶瓷晶体及倍频晶体热...     

基于双缝隙结构的电光调制器设计与工艺实现

受铜线带宽小、延时大、功耗高的限制,下一代芯片互连较为可行的一种解决方式是采用光互连.调制器作为其中的关键器件,有重要的研究意义.设计了一种新型的硅基双缝隙波导电光调制器,该调制器结构采用法布里-珀罗微谐振器,依靠缝隙内高非线性聚合物的快速电光效应,通过外加电压达到调制效果.调制器结构包含了新型的一般微纳波导到双缝隙波...     

Study on measurement of linear electro-optic coefficient of a minute irregular octahedron cBN wafer

The cubic boron nitride (cBN) is a kind of artificial electro-optic (EO) crystal, and we have not found any relative reports so far. Because the artificial synthetic cBN wafers are very small and hard, the wafers cannot be cut into rectangular slabs. The polarizer-sample-λ/4 retardation plate (compensator)-analyzer (PSCA) transverse EO modulator has to be adjusted to the minute irregular octahedron of cBN wafers. When the applied voltage is along [1 1 1] direction of the wafer, due to refraction, the angle between the incident beam direction and the (1 1 1) plane (top or bottom plane) of the wafer should be 25.4°, and the angle between the polarization direction of the polarizer and the plane of incidence should be 50.8° by calculation, respectively. The half-wave voltage of the cBN sample was obtained for the first time, by means of detection of the output optic signals from the modulator with and without an applied electric field on the sample, respectively. Furthermore, the linear EO coefficient was obtained, . The analysis of the experimental resulting error was carried out.     

导弹逼近光电告警系统的新进展

综述国外导弹逼近红外告警和紫外告警系统的最新进展。     

气相色谱法测定医用高分子材料硅凝胶中环氧乙烷的残留

以 HP- INNOWAX(Crosslinked Polyethlene Glycol交链聚乙二醇 )毛细管柱为固定相 ,使用氢火焰离子化检测器 (FID) ,二阶程序升温 ,外标法定量 ,气相色谱法分析硅凝胶中环氧乙烷的残留量 ,检出限为1ng环氧乙烷 ,相对标准偏差均小于 4 .32 % ,回收率在 98.2 5 %— 10 1.84 %之间 ,该方法操作简便、灵敏、准确、重现性好 ,适用于硅凝胶中环氧乙烷的残留量分析     

光电对抗装备的分类及其分析

光电对抗装备现已大量装备各国的陆、海、空三军,成为军事装备现代化的一个重要标志。光电对抗装备具有手段多样的特点,为了加深对光电对抗装备的理解,适当的分类是必须的。主要介绍了光电对抗装备的发展和应用,讨论了已有光电对抗装备的分类方法,并从装备效能评估的角度出发,提出了按功能对光电对抗装备进行分类的方法。     

光电跟踪系统论证与设计

以配套于武器系统的光电跟踪系统为基础,论述了光电跟踪系统在论证与设计中应主要考虑的问题。从实际系统情况出发,讨论了光电跟踪系统的传感器选择原则和T型与U型架式配置优缺点。分析了确定作用距离、跟踪精度、响应速度、工作范围等核心指标的主要因数,确定了与核心指标相对应的光电跟踪系统内部的指标需相应考虑的因数,提出了导引截获、轴系关系等与系统关联的技术因数等。     

声电光效应的耦合波方程理论

将声光效应与电光效应的耦合波方程相结合，统一为声电光效应的耦合波方程，并对之进行求解，给出声电光效应的衍射效率公式。     

机载光电系统的目标定位研究

为了解决光电系统的目标定位问题,提出了一种机载光电系统的自主定位方法.利用齐次坐标变换方法推导了机载光电目标从光电平台极坐标系到WGS-84大地坐标系的转换方程;采用工程实例进行了机载光电系统的目标定位误差分析.分析结果表明,该方法可以减小定位误差,获得较高的定位精度,满足对海上或陆上目标定位的需求.该方法实现简单,具...     

Study on a low loss, low voltage, polarization-independent EO modulator based LPG

In this paper, a new type of high-speed EO modulator is presented. It is a multi-cladding structure with LPG written in the core, and polymer with high EO coefficient is fabricated as the outer layer. A special material with ultra-negative temperature coefficient is used for the temperature compensation. This modulator is polarization independent, it can be coupled with the optical fiber very easily and can work steadily with low voltage, high speed, is temperature insensitive, and its cost is low. To our knowledge, this is the first time a modulator has been designed with such a simple and effective structure.