新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

富士通和爱普生将联合开发下一代FRAM非易失性存储器技术

富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）非易失性存储器技术。     

4Mb非易失性FRAM存储器——结合了德州仪器的130nm工艺和Ramtron先进的FRAM单元架构

FM22L16是采用44引脚TSOP封装的3V并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在引脚上兼容，适合于工业控制系统应用，如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机和自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。     

Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器

世界项尖的非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封（TSOP）的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在管脚上兼容，适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。FM22L16以德州仪器先进的130nmCMOS制造工艺为基础，在标准CMOS逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅增加了两个掩模步骤。[第一段]     

几种新型非易失性存储器

本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等.     

FM31X：非易失性FRAM内存

Romtron国际公司宣布推出以FRAM为基础的处理器外围电路（Processor Companion）系列产品，为基于处理器的系统带来高度集成的支持和外围功能。FM3104、FM3116、FM3164和FM31256器件将非易失性FRAM与实时时钟（RTC）、处理器监控器和其它外围功能相结合。RGmtron的处理器外围电路是目前集成度最高的FRAM产品，具有通用的系统功能，适用于汽车、消费电子、通信、工业、测量和计算等各式应用。     

非易失性存储器：在二十一世纪的问题,挑战和发展趋势

引言 本世纪末,存储器市场的预测表明,存储器将占集成电路总市场份额的二分之一。 当然,这个市场的主要部分是由DRAM所占有,但与此同时,非易失性存储器(NVM)显得越来越重要,它们将占总市场的11％。在非易失性存储器市场中,闪速存储器预计占60％以上的份额。事实上,闪速存储器对整个非易失性存储器市场来讲将成为非常重要的分支。     

非易失性并行存储器的应用

以EPROM2764为例，介绍如何用存储器实现组合逻辑电路，拓展了存储器的应用领域。     

4位非易失性状态保存器

4位状态保存器FM111x以4位FRAM技术为基础，无须耗电即可保存逻辑状态，并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内，这是因为FRAM存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性，以及极高的耐用性。     

新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展

通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力,总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析,得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS)外围电路的抗辐射能力。该结论为抗辐射非易失性存储器的研究提供了参考。     

ONO结构及其在非易失性存储器中的应用

详细说明了ONO结构在ETOX和SONOS两种存储管中的应用，分析了EEPROM和Flash中存储阵列的结构和工作原理，介绍了ONO结构应用的新进展。文中也提及了作者在ONO结构应用方面所作过的一些工作。     

面向纳电子时代的非易失性存储器

目前,业界对两大类全新的非易失性存储器进行了可行性调研,其中一类是基于无机材料的存储器技术,如铁电存储器(FeRAM)、磁阻存储器(MRAM)或相变存储器(PCM),另一类存储器技术则基于有机材料,铁电或导电开关聚     

非易失性存储器在二十一世纪的问题,挑战和发展趋向

引言 本世纪末,存储器市场的预计表明,存储器将占集成电路总数的二分之一。 当然,这个市场的主要部分是被DRAM所占有,但与此同时,非易失性存储器(NVM)显得越来越重要,这样,它们将占总市场的11％。在非易失性存储器市场中,闪速存储器预计占60％以上的份额。事实上,闪速存储器对整个非易失性存储器市场来讲将     

意法半导体在非易失性存储器开发中取得进步

意法半导体日前宣布该公司在开发新型的可能会取代闪存的电子存储器中取得进步,这种新的技术叫做换相存储器(PCM),其潜在性能优于闪存,包括更快的读写速度、更高的耐用性以及向单个存储地址写入的能力。这项技术的内在灵活性高于目前正在应用中的其它非易失性存储器技术。     

高速和功率灵活的1Mb串行FRAM存储器

V系列FRAM产品的首款器件FM25V10是1Mb、2．0～3．6V、具有串行外设接口（SPI）的非易失性RAM,采用8引脚sOIC封装,其特点是快速访问、无延迟写入、1E14读／写次数和低功耗,可代替工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域的1Mb串行闪存和串行EEPROM。     

意法半导体（ST）非易失性存储器开发取得进展

意法半导体(STMicroelectronics)官布新型存储器开发取得重大进展，新产品被称为换相存储器(PCM)，其潜在性能优于闪存，优点包括更快的读写速度、更高的耐用性，以及向单个存储地址写入的能力。据称这项技术的内在灵活性高于目前正在应用中的其它任何非易失性存储器技术。     

非易失性静态随机存储器研究进展

在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。