真空断路器弧后残余等离子体的探针诊断方法

真空断路器开断过程中弧后残余等离子体是表征其开断性能的重要参量。基于探针电子饱和区域工作原理,提出了一种真空电弧弧后残余等离子体电子密度测量方法,分析了其结构和工作原理。设计了探针诊断系统的探针结构和控制系统,基于可拆卸真空腔体进行了残余等离子体电子密度的单探针测量实验,采用高速相机观测电弧发展演变过程,研究了电流大小、触头结构等参数对残余等离子体衰减过程的影响。通过前人其他诊断方法对比验证了该测量方法的有效性,为后续真空断路器弧后微观特性研究提供了一种低成本、有效的诊断方法。     

Preparation of DNA films for studies under vacuum conditions

Experiments were carried out to determine the optimum conditions required for the preparation of uniform films of supercoiled plasmid DNA to be used in irradiation experiments under high vacuum conditions. Investigations reveal that significant damage to the DNA molecules occurs due to the evacuation process when films were formed from DNA samples in ultra high purity water only. A variety of bases were tested for their possible protective capabilities and sodium hydroxide solution was found to be the most effective in maintaining the supercoiled structure of plasmid DNA during the preparation process. Using a transmission electron microscope we also examined the structure of the DNA films which are formed upon evacuation and how the proposed adducts influence the preparation process. It was found that the addition of bases cause the DNA to aggregate, noting that a base is required for the stability of the DNA molecules. The experimental results presented in this paper show that it may not be possible to perform experiments on so-called pure DNA under vacuum with no stabilizers being added to the sample before the evacuation process.     

HL-2M 真空室制造工艺难点分析及优化

根据 HL-2M 真空室结构及运行工况,对 HL-2M 真空室制造过程的工艺难点进行了深入的分析。结 合前期试验段制造经验,优化了真空室制造工艺,细化了真空室产品的制造工艺方案。通过优化后工艺措施的实 施,提高了真空室的制造质量,并为后续磁约束聚变装置真空室的制造积累了大量的经验。     

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用ANSYS有限元软件计算了等离子体破裂时真空室上的涡流、电磁力和应力。有限元模型包含了基本的第一壁部件,以更加准确地研究真空室在瞬态电磁力作用下的结构强度。结果表明,高场侧靶板和内靶板带给真空室较大瞬时应力,但真空室的结构强度仍然满足强度要求。分析可校核和改进第一壁部件的结构设计。     

Molecular dynamics simulation of Co thin films growth on Cu(001)

Results of MD simulations of the structure of ultrathin films of Co on Cu(001) are presented. Growth conditions corresponding to vacuum evaporation as well as laser ablation are considered. The dynamics of the growth process and the structure of the as-deposited films are investigated as a function of the kinetic energy of adatoms. The effect of fast interdiffusion due to a high impact energy is observed. Tight-binding potentials in the second-moment approximation are used. Co–Cu interaction parameters are determined from ab-initio electronic structure calculations.     

GaAs光电阴极激活后的表面势垒评估研究

根据阴极制备过程中单独Cs激活和Cs-O交替激活两个阶段产生的光电流的峰值比,结合对电子穿过表面单势垒和双势垒后能量分布的理论曲线,提出了一种评估NEA GaAs光阴极表面势垒参数的新方法.利用该方法研究的结果完全符合双偶极层模型理论,并且和对实测阴极电子能量分布曲线拟合的结果非常一致.该方法简单、有效,在不增加测试手段的前提下,丰富了对NEA GaAs光电阴极激活效果及表面特征评价的方法和途径. 关键词： GaAs 光电阴极 表面势垒 能量分布     

GaAs光电阴极激活时Cs的吸附效率研究

从NEA GaAs光电阴极的激活光电流曲线发现,当系统真空度不很高时,在首次Cs激活阶段,表面掺杂浓度较低的阴极材料,其光电流产生需要的时间也较长.同时,随着系统真空度的提高,这种时间上的差异又变得不再明显.该现象表明,Cs原子在阴极表面的吸附效率同表面层掺杂浓度以及系统真空度之间有直接的联系.为定量分析这种关系,本文根据实验数据建立了Cs在阴极表面吸附效率的数学模型,利用该模型仿真的结果同实验现象非常符合.该研究对进一步开展变掺杂阴极结构设计和制备工艺研究具有重要的价值和意义. 关键词： GaAs光电阴极 吸附效率 真空度 表面掺杂浓度     

HL-2M 真空室内壁螺柱焊接工艺研究与实施

针对 HL-2M 真空室内壁螺柱焊接,从焊接螺柱结构设计、焊接工艺研究、焊接工艺试验、焊接质量 评判等方面进行了详细研究,最终确定了包括焊接电流、焊接时间、伸出长度、提升高度、总提升高度等焊接参 数和接地线位置、焊枪手把方向的真空室内壁螺柱焊接工艺方案。通过大量工艺试验,有效地解决了 HL-2M 真 空室内壁(5mm,Inconel625 材质)-大直径(∅12mm,316L 材质)螺柱焊难题,焊缝成型均匀,飞溅和焊瘤少,表面 发黑明显改善,满足真空清洁度要求。焊接稳定性高,良品率高,拉伸试验和疲劳试验也满足设计要求。      

HL-2M 真空室制造中的焊接与磁导率控制技术

以 HL-2M 真空室研制实践为基础,介绍了 Inconel625 材料的高气密性焊接工艺措施,该工艺措施 能有效减少焊缝漏点的出现,保证了真空室运行时的极限真空度能稳定达到 10⁻⁶Pa;另外,介绍了 316L 奥氏体 不锈钢在加工过程中的磁导率控制技术,使加工后的零部件相对磁导率保持在 μ<1.04。     

非等同双原子与双模腔场拉曼相互作用模型的腔场谱

研究了非等同双原子与双模腔场拉曼相互作用模型的腔场谱,分析了谱结构随原子与腔场相对耦合常数R=g2/g1的变化规律,发现R对真空场、弱场、强场谱结构都有不同程度的影响.当R=1或R=0时,一般呈现简并的谱结构,而当R介于0与1之间时,腔场谱一般呈现复杂的非对称多峰结构.同时还发现,当R固定不变时,低频腔场初始场强对高频真空场谱结构也有较明显的影响. 关键词： 量子光学 腔场谱 拉曼相互作用 双模腔场     

适用于聚变装置偏滤器部件的高热负荷测试平台真空腔体系统设计

对托卡马克聚变装置偏滤器的高热负荷测试平台真空腔体系统进行了结构设计,其中包括真空室、真空抽气系统、部件调节机构、小型水冷系统和电子枪操作平台,利用Ansys对真空室主体结构的合理性和可靠性进行了验证.模拟结果表明:真空室外壁温度不超过50℃,真空室及其支撑上的最大应力分别为134.49MPa和48.76MPa,满足许...     

未来聚变堆真空室制造过程中曲面拟合算法研究

对未来聚变堆(CFETR)真空室制造过程中的制造误差和真空室结构不对称问题,将被测表面网格化,为各测量点引入权重系数,并通过最小二乘法拟合,实现了真空室部件制造误差分配的调整和轮廓精度的改善.     

长间隙真空触发开关导通特性

基于真空触发开关的导通机理,设计了长间隙真空触发开关导通特性的实验方案。根据高速摄像图片讨论了长间隙真空触发开关的导通过程和影响导通特性的因素。通过实验得到了触发电流对间隙脉冲电流的影响规律：采用上升时间较短且峰值较高的触发电流,能够明显降低主间隙的火花电阻和导通延时,验证了对导通过程的理论预测。     

Characteristics of VUV ionizer in a vacuum chamber of flat panel displays

Flat panel displays are often exposed to the electrostatic damage during various panel manufacturing processes. In this paper, we report the electrostatic discharge failure in a unique process condition of OLED display process during which the substrate of OLED display is turned over while in the vacuum chucking condition. In order to solve this failure, we adopted newly developed technology of VUV (Vacuum Ultraviolet) radiation to neutralize the electrostatic electricity. This technology generates ions and electrons by ionizing residual molecules in vacuum chamber such that it enables the charged substrates to be neutralized in the chamber. While this new neutralization method is certainly effective in high vacuum process, the lifetime and performance of the VUV ionizer are not validated. To understand the lifetime and performance of VUV ionizer, we conducted the experiments in the vacuum chamber of an 8th generation display facility with various operating time of UV lamp. We analyzed the characteristic of VUV lamp and suggested the neutralization mechanism of VUV ionizer in a low pressure. Based on the experiments, this new neutralization method performs well under the high vacuum environment and is able to completely reduce the electrostatic potential down to 0 V within a short time.     

一种新型的石油测井用金属保温瓶

介绍了一种新型的绝热容器的研制过程,该容器用于井下高温环境的保温,要求具有直径小、真空间隙小、耐高压、保温时间长的特点.针对这些特点,我们进行了严格的设计、计算和工艺改进,得到了比较满意的试验结果.     

长间隙真空触发开关导通特性

基于真空触发开关的导通机理,设计了长间隙真空触发开关导通特性的实验方案。根据高速摄像图片讨论了长间隙真空触发开关的导通过程和影响导通特性的因素。通过实验得到了触发电流对间隙脉冲电流的影响规律:采用上升时间较短且峰值较高的触发电流,能够明显降低主间隙的火花电阻和导通延时,验证了对导通过程的理论预测。     

真空二极管辐射微波的机理分析

在研究真空开关的过程中,发现真空二极管能辐射出宽带微波.这种器件只由带触发装置的阴极和平板阳极组成,不存在金属波纹慢波结构,所以真空二极管的辐射机理与等离子体填充微波器件不同,不能直接套用等离子体填充微波器件的相关理论.本文描述了真空二极管产生辐射的物理过程,建立了真空二极管辐射的数学模型,通过求解波动方程得到产生辐射的色散关系,并绘制出了色散曲线.将理论分析得到的色散曲线与已经测得的微波辐射进行比较,两者能很好地符合.理论分析和实验结果表明,电子束和磁化等离子体的相互作用是真空二极管产生微波辐射的原因.     

Impact of oxygen in electrical properties and hot-carrier stress-induced degradation of GaN high electron mobility transistors

The role of the oxygen in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) before and after semi-on state stress was discussed. Comparing with the electrical characteristics of the devices in vacuum, air, and oxygen atmosphere, it is revealed that the oxygen has significant influence on the electric characteristics and the hot-carrier-stress-induced degradation of the device. Comparing with the situation in vacuum, the gate leakage increased an order of magnitude in oxygen and air atmosphere. Double gate structure was used to separate the barrier leakage and surface leakage of AlGaN/GaN HEMT it is found that surface leakage is the major influencing factor in gate leakage of SiN-passivated devices before and after semi-on state stress. During semi-on state stress in the oxygen atmosphere, the electric-field-driven oxidation process promoted the oxidation of the nitride layer, and the oxidation layer in the SiN/AlGaN interface leads to the decreasing of the surface leakage.     

BEPCⅡ大功率波导真空阀门的研制

大功率波导真空阀门是BEPCⅡ直线加速器微波系统的重点改进项目,作为微波大功率传输和真空密封双重功能的超高真空微波器件,机械结构比较复杂,制造工艺难度大。经过各方努力,已经研究完成16台大功率波导真空阀门,并在2004年全部安装在加速器上使用。目前进入到波导真空阀门的脉冲功率为30~50 MW,高功率运行工作状态良好。对阀门从设计原理、机械结构、微波测试及高功率运行等方面作了较详细的阐述。     

一种高功率微波源真空保持研究

针对一种陶瓷真空界面、天鹅绒阴极和不锈钢外壳的无氧铜压封高功率微波管,利用真空设计软件VacTran建立了系统抽气模型,模拟了真空室主要材料放气率和抽气曲线;通过吸气剂简单吸气模型,对保真空过程中吸气剂的吸气行为进行了模拟。实验对比了高功率微波管真空室在常温和烘烤状态下抽真空至10-4 Pa量级所需的时间。在真空度满足要求后,采用非蒸散型吸气剂（NEG）作为吸气泵进行保真空实验,静态下保真空超过30 d后,真空度仍维持在210-4 Pa。在此基础上,对保真空状态下的高功率微波管进行加速寿命实验：温度为80 ℃,累计时间超过140 h,真空度仍好于110-2 Pa,据此估计高功率微波管在常温下保持真空度高于110-2 Pa的时间超过1年。