一种新型低噪声电流控制逻辑的分析与设计

本文绘出了一种新型电流控制逻辑的电路结构和工作原理，并由此提出了该逻辑的优化设计方法。通过采用恒定工作电流和限制电路的输出逻辑摆幅，电流控制逻辑能避免静态CMOS电路工作时引入的瞬态开关噪声电流。理论分析和电路模拟结果都表明，和静态CMOS电路相比，电流控制逻辑的峰值开关电流下降了近两个数量级．该逻辑可应用在高性能的模／数混合集成电路中。     

一种高速低功耗MOS电流模逻辑加法器的设计

对具有不同输入端的MOS电流模逻辑(MCML)门电路进行了设计分析,应用MCML单元逻辑电路,设计了一个4位超前进位加法器.基于SMIC 0.13 μm CMOS工艺平台,对设计的加法器进行仿真.结果表明,该加法器的延迟比传统CMOS电路小,可广泛用于高速低功耗逻辑运算单元.     

一种瞬态大电流、大功率厚膜混合集成电路的设计

给出了一种瞬态大电流、大功率厚膜混合集成电路的设计思路及方法。     

一种新的高精度电流/频率转换电路逻辑控制方法

电流/频率转换器主要是对加速度计输出电流进行高精度测量,典型展宽复位电荷平衡式电流/频率转换器的逻辑控制方法对精度影响较大.针对典型逻辑控制方法的不足,提出了一种新的逻辑控制方法.电路积分器输出通过一级D触发器作为比较电路实现模拟数字转换输出,然后通过二级D触发器和与门形成的自锁电路产生计数器启动触发脉冲,最后通过计数器电路计数形成开关控制逻辑.新方法避免了典型方法中对积分时间的约束,减小了大电流输入和小电流输入时积分器输出波形的平均值差异,从而有效提高了电路精度.对同一个硬件电路通过编写不同的CPLD算法程序进行性能对比测试,结果表明新的方法比典型的方法使电路精度得到明显提升.     

高精度电压／电流转换器混合集成电路VIC的性能与应用

简要介绍电压电流转换器的内部功能，外部特性以及应用电路。     

一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件

高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路，高压集成电路的研究与发展，主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件，并对该器件结构进行了耐压分析，给出了该器件的击穿特性；等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明，该结构具有比较高的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，不失为一种提高集成电路耐压的新途径。     

采用数/模混合控制的交流电源的设计

介绍了一种采用数字和模拟混合控制的交流电源.该交流电源不仅能够输出频率幅值可调的正弦电压,而且能够输出周期性畸变电压.该电源采用数/模混合控制及重复控制方法,数字部分实现高精度的波形发生器和电压有效值控制;模拟部分采用电压电流瞬时值控制,提高响应速度.最后给出测试波形.     

新型低噪声电流型CMOS边沿触发器设计

提出以电流信号表示逻辑值的新型低噪声触发器设计,用于高性能混合集成电路的设计中以减少存贮单元开关噪声对模拟电路性能的影响。所提出的设计包括主从型边沿触发器和单闩锁单边沿触发器。单个锁存器的电流型边沿触发器设计是通过在有效时钟沿后产生的窄脉冲使锁存器瞬时导通完成一次取样求值。与主从型触发器相比,单闩锁结构的触发器具有结构简单、直流功耗低的特点。采用0.25μm CM O S工艺参数的HSP ICE模拟结果表明,所提出的电流型触发器工作时,在电源端产生的电流波动远远小于传统的CM O S电路。     

适用于ASIC的高速低功耗逻辑单元

本文介绍一种ECL电路结构形式的ASIC逻辑单元的设计和应用。该单元使用2.5V的电源,内部开关电流设计为0.5mA,逻辑摆幅设计为340mV,输入输出均采用双向互补信号。它具有信息的基本记忆功能,用它进行多级组合配套设计,可制作不同模数的分频器、寄存器和计数器等。设计灵活,功能强,电路速度快,功耗低,仅为具有相同功能的普通ECL电路的1/30。这些电路可用在通讯机、电子控制系统、电子测量系结中作高速数字锁相环,数字信号处理的专用集成电路。     

一种适用于0.8VCMOS助听器的电流模前馈增益控制系统

摘要：本文介绍了一种适用于助听器前端系统的电流模前馈增益控制系统。和传统自动增益控制系统相比,电流模前馈增益控制通过数字增益控制码来实现前端系统总谐波失真的显著降低。为了从麦克风微弱的输出信号中得到数字控制码, 本文提出了用电流模实现的整流电路和电流模状态控制电路.该设计基于0.13微米CMOS工艺. 测试表明芯片可工作于0.6V的电源电压.在电源电压为0.8V下, 输出摆幅500mVp-p的信号总谐波失真在0.06% (-64dB)以下, 且功耗控制在40uW以内.另外,系统的等效输入噪声达到4uVrms,最大增益保持在33dB.     

厚膜混合集成电路的质量控制

厚膜混合集成电路在批量生产过程中，如何进行质量控制、质量把关，提高产品合格率显得尤为重要。本文从质量体系建设、原材料采购、供方管理、过程质量控制、现场管理等方面结合厚膜混合集成电路的工艺特点，论述厚膜混合集成电路生产线的质量控制。     

一种数模混合集成电路衬底耦合参数快速提取算法

边界元方法在计算衬底耦合电阻时，需要直接求解稠密矩阵方程Х＝Ｚ．Ｉ，时间复杂度为Ｏ（Ｎ＾３），Ｎ是总的衬底端口单元数，使得能计算的电路规模受到很大的限制。根据阻抗矩阵Ｘ中元素的物理意义，采用分段曲线拟合的方法。把它很好地表示成距离倒数的项式形式。在此基础上，采用多极点ＧＭＲＥＳ算法迅速求解Х＝Ｚ．Ｉ矩阵方程。时间复杂度为Ｏ（Ｎ），而结果和直接求解的结果非常接近。     

一种适用于电流模BUCK电路的失控辅助电路

在某些特殊的工作条件下,峰值电流模BUCK转换器会工作在输入电压和输出电压差值较小,且开关占空比较大的情况下。此时,如果发生负载由重载跳变到极轻载的变化,可能会导致输出电压高于输入电压的不利情况发生,整个控制环路出现失控,输出电压出现振荡波形。本文提出的辅助控制电路通过对输入、输出电压的比较检测,判断BUCK环路是否处于异常状态,并在合适的时间内关断高低侧功率管,保证了输出电压的稳定性。基于0.35μm CMOS工艺的仿真结果表明,当BUCK转换器负载发生重载6 A跳变为极轻载100 mA使得输出电压V_O超过输入电压V_(IN)时,失控辅助电路开始工作并在V_O掉到V_(IN)以下时及时输出恢复信号并关闭该辅助电路,恢复时间为87μs,整个过程未出现输出电压振荡现象。     

一种新型的高性能CMOS电流比较器电路

分析了目前几种高性能连续时间 CMOS电流比较器的优缺点 ,提出了一种新型 CMOS电流比较器电路 .它包含一组具有负反馈电阻的 CMOS互补放大器、两组电阻负载放大器和两组 CMOS反相器 .由于 CMOS互补放大器的负反馈电阻降低了它的输入、输出阻抗 ,从而使电压的变化幅度减小 ,所以该电流比较器具有较短的瞬态响应时间和较快的速度 .电阻负载放大器的使用减小了电路的功耗 .利用 1.2 μm CMOS工艺 HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了模拟 ,结果表明该电路的瞬态响应时间达到目前最快的 CMOS电流比较器的水平 ,而功耗则低于这些比较器 ,具有最大的速     

一种新型的高性能CMOS电流比较器电路

分析了目前几种高性能连续时间CMOS电流比较器的优缺点,提出了一种新型CMOS电流比较器电路．它包含一组具有负反馈电阻的CMOS互补放大器、两组电阻负载放大器和两组CMOS反相器．由于CMOS互补放大器的负反馈电阻降低了它的输入、输出阻抗,从而使电压的变化幅度减小,所以该电流比较器具有较短的瞬态响应时间和较快的速度．电阻负载放大器的使用减小了电路的功耗．利用1.2μm CMOS工艺HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了模拟,结果表明该电路的瞬态响应时间达到目前最快的CMOS电流比较器的水平,而功耗则低于这些比较器,具有最大的速度/功耗比．此外,该CMOS电流比较器结构简单,性能受工艺偏差的影响小,适合应用于高速/低功耗电流型集成电路中．     

一种新型可扩展的电流排序电路

本文提出了一种新的可扩展电流型排序电路。该电路在功能上,不权可以将输入电路按大小顺序输出,而且还可以确定输出电流相应的输入端。该电路的埯序时间和面积复杂度仅为Ｏ（Ｎ）,Ｎ为待排序电流输入端数。在结构上,该电路简单、灵活,芯片之间可以扩展。由于该电路完全同数字ＣＭＯＳ工艺相兼容,易于赵大规模集成电路制作。     

适用于宽带通信装置的可编程逻辑器件

Cypress半导体公司(位于加州的San Jose)计划开发一系列可编程串行接口(PSI)芯片;它将可编程逻辑器件,与一个并一串/串一并变换器,一个高速串行接口,通信用存储器,逻辑线路,以及PLL等线路,集成在同一块芯片上。开发此系列芯片是为了能够快速地组成通信设备的背板与线卡(参看原理图)。该公司的Warp软件将推广     

一种适用于Buck型DC/DC变换器的高精度片上电流采样电路

电流采样电路作为电流控制的DC/DC变换器重要组成部件之一,其精度和响应速度已受到越来越高的重视.提出的电流采样电路没有使用运算放大器,简化了电路结构,降低了功耗.同时,电路中引入的补偿电流进一步提高了采样的精度.基于0.5μm CMOS工艺实现该电路,HSPICE模拟仿真结果表明该电路具有较高的采样精度,最高可达99.9%,且在负载、输入电压、温度变化时,采样精度波动很小.