一端附壁高分子链的Monte Carlo研究

采用简立方格点上的Monte Carlo模拟,研究一端被无限大不可穿透平面壁吸附的高分子链的均方末端距<R²>,以及高分子链的质量中心到平面吸附壁的平均距离<Z>,与链长N、参数u(u=e^-ε/kT,ε是链骨架原子间的相互作用能量,k是玻耳兹曼常数,T是热力学温度)的关系。结果表明:<R²>和<Z>都服从标度律,<R²>=αN^γ,<Z>=βN^η,其中,γ、η、α、β都是u的函数;u从1减小到0.5,则γ从1.01增大到1.19,η从0.51增大到0.60.     

镁基合金自由枝晶生长的相场模拟研究

利用定量相场模型, 以Mg-0.5 wt.%Al合金为例模拟了基面((0001)面)内镁基合金的等温自由枝晶生长过程. 通过研究该合金体系数值模拟的收敛性, 获得了最优化值耦合参数λ = 5.5及网格宽度Δx/W₀ = 0.4, 并在该参数下系统研究了各向异性强度和过饱和度对枝晶尖端生长速度、尖端曲率半径、Péclet数及稳定性常数σ^* 的影响. 结果表明, 由微观可解性理论得到的稳定性系数σ^* 与ε₆ 拟合值σ^*≅ ε₆ ^1.81905, 更接近理想值σ ^* (ε₆) ≅ε₆ ^1.75. 此外, 当过饱和度Ω < 0.6时, 稳定性系数σ ^* 不随ε₆ 的变化而变化, 而当Ω > 0.6时, 稳定性系数σ ^* 随着ε₆ 的增加而减小. 这反映了枝晶的生长由扩散控制向动力学控制的转变. 随着过饱和度的增加, 枝晶形貌由雪花状枝晶向圆状枝晶转变.     

La0.67Sr0.08Na0.25MnO3的奇特输运性质及CMR效应

用固相反应法制备了La_0.67Sr_0.08Na_0.25MnO₃样品.通过磁化强度-温度(M-T)曲线、电阻率-温度(ρ-T)曲线以及ρ-T拟合曲线研究了样品的输运性质及庞磁电阻(colossal magnetoresistance，CMR)效应.结果表明，ρ-T曲线和磁电阻-温度(MR-T)曲线均出现双峰现象；高温峰是伴随顺磁-铁磁(PM-FM)相变出现绝缘体-金属(I-M)相变，低温峰是颗粒界面效应；两个绝缘相输运机理不同：较低温度下(248K<T<274K)，ρ(T)符合极化子的可变程跃迁模型，而在更高温区(330K<T<374K)，ρ(T)符合极化子近邻跃迁模型；两个类金属相输运机理也不同：在低温区(67K<T<186K)，满足ρ-T^2.5关系，输运机理是自旋波散射和电-磁子散射作用，而在高温区(292K<T<304K)，满足ρ-T²关系，输运机理是单磁子散射作用. 关键词： 庞磁电阻 金属-绝缘体转变 晶界效应 输运行为     

一类演化方程的高稳定性的差分格式

考虑一类演化方程u_t=au∂_2k+1(其中a是常数,u∂_2k+1=∂^2k+1u/∂x^2k+1,k=1,2……)的有限差分解法。构造了两类具有高稳定性的显式差分格式。并用引入耗散项的方法建立了两类半显式差分格式,它们是无条件稳定的且可显式地进行计算。     

确定等价电子杨盘基的等概率比对方法

给出了等价电子正则杨盘T^［λ］_ig的基本对称算子、完全对称算子概念,同时给出了这些对称算子作用于任一Slater函数_i所产生的根态、生成态概念.由正交归一化杨盘T^［λ］_ie的纵置换算子A^［λ］_ie的构造规则,给出了A^［λ］_ie中存在的对称算子和确定T^［λ］_ie的等概率比对方法,从而基本避免了牵涉到许多算子的极其复杂的代数,给出了求解N值较大的电子系统杨盘基问题的新方法. 关键词： 正则杨盘 对称算子 根态 等概率比对方法     

一维长程关联无序系统的局域性

研究了在紧束缚近似下,由de Moura和Lyra提出的一维长程关联无序模型的局域性. 分布在［-W/2,W/2］区间的格点位能,其关联函数〈ε_iεj〉的傅里叶变换满足S(k)∝k^-α,其中关联强度α>0. 利用participation ratio不仅证实了在α>2和W<4 关键词： 安德森局域化 长程关联 扩展态     

Cu1-xHxZr2(PO4)3中Cu2+的EPR谱和局域结构研究

本文采用Cu²⁺斜方对称电子顺磁共振（EPR）参量的高阶微扰公式计算了晶体Cu_1-xH_xZr₂（PO₄）₃中Cu²⁺的EPR参量（g因子和超精细结构常数A因子）．计算结果表明,晶体Cu_1-xH_xZr₂（PO₄）₃中[CuO₆]^10-基团的Cu-O键长分别为R_||≈0.241 nm,R_⊥≈0.215 nm,平面键角τ≈80.1°;由于对称性降低,中心金属离子基态²A_1g（θ）和²A_1g（ε）有一定程度混合,混合系数α≈0.995．所得EPR谱图的理论计算值与实验数据符合得很好．     

NFX(X=-1,0,+1)分子离子基态的结构与势能函数

用密度泛函理论的B3LYP方法,分别以6-311++g(df,3pd),6-311g(3d,3p)和6-311++g(3df,3pd)为基函数对NF分子、NF⁺和NF^-离子基态进行几何优化和频率计算,并进行单点能扫描计算.用最小二乘法拟合得到NF^X(X=-1,0,+1)分子离子基态的Murrell-Sorbie势能函数.利用得到的解析势能函数计算出的NF分子和NF⁺离子基态光谱常数(B_e,α_e,ω_e,ω_eχ_e)与实验值符合很好.首次得到NF^-离子基态的光谱常数(B_e,α_e,ω_e,ω_eχ_e)和力常数(f₂,f₃,f₄),为NF-离子基态的后期研究提供理论参考.     

一类广义强阻尼Sine-Gordon方程的整体解

同时考虑黏性效应及外阻尼作用研究了一类广义强阻尼Sine-Gordon方程-利用Galerkin方法,首先证明了该方程在初值u(x,0)∈H¹₀(Ω),u_t(x,0)∈L²(Ω)的条件下初边值问题存在整体弱解u(x,t),并证明了整体弱解关于初始条件具有 关键词： Sine-Gordon型方程 强阻尼 Galerkin方法 整体解     

在丙酮溶液中18-冠-6与CoCl2配位化合物的NMR研究

本文研究了丙酮溶液中配合物的平衡和结构。建立了一套计算机程序。通过化学位移数值的分析说明在溶液中主要存在两种平衡,并确定了平衡常数k₁₁=2.95×10²l/mol,k₁6.1l/mol以及冠醚络合物的极限化学位移D₁₁^(H)=350Hz,D₁₁^(C)=-290Hz,D₂^(H)=1300Hz,D^(C)=-1600Hz。确认位移机制是电子磁矩和共振核的核磁矩通过空间直接偶极-偶极相互作用。     

准周期层状铁磁超晶格的实空间重整化群方法

本文用实空间重整化群方法讨论了准周期层状铁磁超晶格的磁自旋波,用Reduce语言推导了decimation变换公式,从而求得了局域格林函数、局域态密度和约化磁矩。发现局域态密度的带宽和约化磁矩与最近邻相互作用J₁、J₂及格点自旋s_a、s_b密切相关。     

具有Dzyaloshinskii-Moriya相互作用的XY模型的量子相干性

研究了具有Dzyaloshinskii-Moriya(DM)相互作用的一维横场XY自旋链的量子相变和量子相干性.采用约旦-维格纳变换严格求解了哈密顿量,并描绘了体系的关联函数和相图,相图包含反铁磁相、顺磁相和螺旋相.利用相对熵和Jensen-Shannon熵讨论了XY模型的量子相干性.研究发现,相对熵与Jensen-Shannon熵所表现的行为都可以很好地表征该模型的量子相变.非螺旋相中量子相干性不依赖DM相互作用,而在螺旋相DM相互作用对量子相干性有显著影响.此外,指出了在带有DM相互作用的这一类反射对称破缺体系中关联函数计算的常见问题.     

PrNi$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;的磁和磁热性能研究

在一些磁性材料内, 磁性离子间交换作用和磁性离子的自旋涨落对材料磁性有影响. 本文根据磁比热实验值确定了晶场参数后, 利用包含自旋涨落的交换作用有效场H_m= n₀ (1 + γ T + β e^{ω T})M, 计算了PrNi₂晶体晶场能级的Zeeman劈裂. 在温度为3.8 K ≤T≤ 30 K范围内, 计算了该晶体多晶磁矩随外磁场的变化, 以及外磁场H=5000 Oe时磁化率倒数随温度的变化, 计算结果和实验值符合较好. 当外磁场在0–50000 Oe时, 计算的该晶体的磁熵变与已有文献的理论结果相似. 计算结果说明, 提出的包含自旋涨落的交换作用有效场不仅适合亚铁磁性晶体, 而且也适合顺磁性晶体. 关键词： 2')" href="#">PrNi₂ 磁比热 交换作用有效场 磁矩 磁熵变     

Dielectric and piezoelectric properties of(110) oriented Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3 thin films

A phenomenological Landau–Devonshire theory is developed to investigate the ferroelectric, dielectric, and piezoelectric properties of(110) oriented Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3(x = 0.4, 0.5, 0.6, and 0.7) thin films. At room temperature, the tetragonal a_1 phase, the orthorhombic a_2c phase, the triclinic γ_1 phase, and the triclinic γ_2 phase are stable. The appearance of the negative polarization component P_2 in the a_2c phase and the γ_1 phase is attributed to the nonlinear coupling terms in the thermodynamic potential. The γ phase of the Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3 thin films has better dielectric and piezoelectric properties than the a_2c phase and the a_1 phase. The largest dielectric and piezoelectric coefficients are obtained in the Pb(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3 thin film. The piezoelectric coefficient of 110–150 pm/V is obtained in the(110) oriented Pb(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3 thin film, and the Pb(Zr_(0.3)Ti_(0.7))O_3 thin film has the remnant polarization and relative dielectric constant of 50 μC/cm~2 and 100, respectively,which are in agreement with the experimental measurements reported in the literature.     

稠苯芳杂环及其烷基质子化学位移的计算

本文提出了予测稠苯芳杂环及其烷基链上质子化学位移的计算方法。 将稠苯芳杂环化合物用凯库勒式表示,计算式为为需考虑的苯环内的乙烯基效应。σ_mi,ci为各苯环的环流效应。σ_1,Hc为各芳杂环的屏蔽效应,对杂环上质子它就是该单独芳杂环上相应质子的δ值,对苯环上质子要将它分解为各结构因素的效应,即:σ_1,He=(1/2)^d-1δ_x=y(或σ_z)+σ_c-c·σ_m,H. σ_x-y与σ_z为杂原子或其基团的屏蔽效应,σ_c=c为存在于芳杂环中的乙烯基的效应,σ_m,Hc为芳杂环的环流效应,d为对不同质子所考虑的键数。有取代基时需考虑取代基的效应。计算环上烷基质子的公式为:δ=σ_p,CH3+ασ_c,CH3+βσ_t,CH3+σ_l,G σ_l,G为稠苯芳杂环基的某级效应。     

Electronic structures and topological properties of TeSe2 monolayers

The successfully experimental fabrication of two-dimensional Te monolayer films [Phys. Rev. Lett. 119 106101 (2017)] has promoted the researches on the group-VI monolayer materials. In this work, the electronic structures and topological properties of a group-VI binary compound of TeSe₂ monolayers are studied based on the density functional theory and Wannier function method. Three types of structures, namely, α-TeSe₂, β-TeSe₂, and γ-TeSe₂, are proposed for the TeSe₂ monolayer among which the α-TeSe₂ is found being the most stable. All the three structures are semiconductors with indirect band gaps. Very interestingly, the γ-TeSe₂ monolayer becomes a quantum spin Hall (QSH) insulator with a global nontrivial energy gap of 0.14 eV when a 3.5% compressive strain is applied. The opening of the global band gap is understood by the competition between the decrease of the local band dispersion and the weakening of the interactions between the Se p_x, p_y orbitals and Te p_x, p_y orbitals during the process. Our work realizes topological states in the group-VI monolayers and promotes the potential applications of the materials in spintronics and quantum computations.     

LaBaMnO薄膜的铁磁共振

用电子自旋共振实验研究La_0.65Ba_0.35MnO₃(LBMO)薄膜的磁性,从磁性膜的各向异性铁磁共振谱得到不同角度θ_h时的共振磁场B_r,求出样品的等效磁场B_eff及旅磁比γ,并通过样品的饱和磁化强度M_s,求出各向异性常数K.     

色散方程的一类具任意稳定性的显格式

本文对色散方程u_r=au_xxx构造了一类中间层包含四个结点,带两个参数m和θ的三层显式差分格式。当m和θ满足一定的关系时,其稳定性条件为|γ|≤(m+1)/(4(m-1))(|m|>1),从而当取m充分接近1时,可得到任意大的稳定性条件,并且保持截断误差阶不变。数值例子验证了理论分析的结果。