ROS管通过省级鉴定

<正> 我校物理系叶安祚副教授等人研制成功了ROS管并于1985年10月通过省级鉴定。专家们认定ROS管是一种国内外未见报导的新型半导体器件;肯定了本研究在理论上建立的ROS管物理模型;认为按此模型进行的分析推导正确,且为样管性能测试参数所证实。1986年3月,该项科研成果已申请专     

基于CNFET的低功耗三值门电路设计

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出一种基于CNFET的低功耗三值门电路设计方案.该方案在分析CNFET结构及其不同尺寸的碳纳米管对应于不同阈值电压特性的基础上,以多值逻辑理论为指导,设计基于CNFET的三值反相器、与非门、或非门等单元门电路,最后利用HSPICE对所设计的电路进行仿真.结果表明:所设计电路具有正确的逻辑功能,与传统三值门电路相比,三值CNFET门电路平均传输速度提高52.7%,平均能耗节省54.9%.     

一种新型的单电子数值比较器

基于单电子晶体管的I-V特性,在构建反相器的基础上,推出了或非门及与或非逻辑门,并最终实现了一种新型的2位单电子数值比较器,利用SPICE模拟器验证了电路设计的正确性.该比较器结合了单电子晶体管与MOS管的优点.分析结果表明:与仅由单电子晶体管实现的比较器相比,电路的驱动能力提高的同时减少至少12个晶体管;与具有相同逻辑结构的CMOS实现的电路相比,该新型比较器使用了简单的单电子器件,使得电路的结构尺寸得到了极大的缩小,电路的功耗仅在10-10W数量级上,为将来超大规模集成电路进一步微型化奠定了基础.     

基于传输电压开关理论的单栅极SET电路设计

在分析了单电子晶体管(SET)的I-V特性后,通过对SET背景电荷的设置,使之具有类似PMOS或NMOS的电学特性;同时将传输电压开关理论引入到SET的电路设计中,并用单栅极SET实现了该理论的基本运算电路.随后以异或门和一位比较器为例,利用这些基本运算电路,进行了基于SET的开关级电路设计.最后,利用Pspice软件验证了所设计的电路逻辑功能正确,设计方法可行;电路的输入输出高低电平一致,具有良好的电压兼容性,易于级联.仿真结果表明,与基于互补结构设计的SET电路相比,基于开关级设计的SET电路具有结构简单、功耗低、延迟小的特点.     

氢敏感钯栅MOS电容

本文介绍了钯栅MOS电容的制作工艺及其对氢敏感的工作原理。采甩高频C—V特性测试法,得到了钯栅MOS电容在吸附氢原子前后的C—V曲线,结果表明,这种元件对氧具有较强的敏感性。最后,对影响结果的一些可能因素进行了简单的讨论。     

外延层质量与恒流器体特性关系的研究

目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(Current Regulator Diode)即在P型硅衬底上,外延生长3～5μm,电阻率为1～2Ω.cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和P型衬底构成,参图1.为了减小导通电阻,在顶栅扩散后光刻 .源、漏接触窗口,通过浓磷扩散形成n~+区最后制作欧姆接触电极.工艺中关键是外延层生长和顶栅结制备.     

基于互补型SET的通用阈值逻辑门设计

与MOS管相比,单电子晶体管(SET)具有超低功耗、超高集成度等优点,被认为是可能取代MOS管的新一代量子器件的主要竞争者.在简要介绍SET特性及通用阈值逻辑门(UTLG)的基础上,沿用CMOS逻辑电路的设计思想,提出了功能强大的基于互补型SET的三变量UTLG实现方案.利用一个UTLG辅之少量门电路就可实现全部256个三变量逻辑函数.通过实例说明了利用查表设计进行UTLG综合的过程.对所设计的SET电路进行了Pspice仿真,结果表明,基于SET的UTLG以及用UTLG实现的全比较器均具有正确的逻辑功能.     

基于多β 晶体管的高速电子模拟开关

本文在分析双极型模拟开关和多β 晶体管工作特性的基础上, 利用多β 晶体管工作在线性放大区、工 作速度高、射极输入射极输出结构等优点, 设计了基于多β 晶体管的高速电子模拟开关.计算机模拟表明, 该模拟开关不仅具有结构简单, 导通阻抗小, 而且速度极高.本文还通过多路复用器设计, 显示了该模拟开关的射极输入射极输出特性使有关电路设计变得简单容易.     

2种陆生植物浸提液对四尾栅藻的化感作用

通过合果芋（Syngonium podophyllum）和榕树（Ficus microcarpa）2种陆生植物不同质量浓度、不同部位浸提液对四尾栅藻（Scenedesmus quadricauda）化感作用的研究,结果表明：合果芋叶和茎浸提液对四尾栅藻表现出促进作用,仅浸提液高质量浓度（50 g.L^-1）处理组分别在实验前3 d和1 d表现出微弱的抑制作用.合果芋叶浸提液对四尾栅藻的促进作用强于茎浸提液.除浸提液30 g.L-1处理组第2 d之外,各质量浓度的榕树叶浸提液作用下的四尾栅藻密度均低于对照组,显示了较强的抑制作用.与榕树叶浸提液对四尾栅藻化感作用相似,榕树气生根浸提液对四尾栅藻显示了一定的抑制作用,且随投加浸提液质量浓度的升高对四尾栅藻的抑制作用增强.榕树叶和气生根浸提液对四尾栅藻的EC50,96 h值分别为11.17和47.97 g.L^-1,榕树叶浸提液对四尾栅藻的抑制效果好于榕树气生根浸提液.     

各向同性晶体栅阵反射系数的二维理论分析

声表面波器件是一个有限弹性体而不是半无限体,依据有限弹性体中的声表面波传输理论,分析声表面波器件周期栅阵对声表面的反射.假定晶体是各向同性的,结合声表面波在周期栅中传播特性的变分原理,用有限弹性体中二维理论的振动位移推导力学负载效应引起的反射系数,求解短路栅阵质量负载的反射系数.通过数值计算得到了玻璃基片不同长度下铝指条的反射系数.发现当基片长度与声波波长之比是奇数倍时,反射系数为正,但绝对值较小;当基片长度与声波波长之比是偶数倍时,反射系数为负,但绝对值较大.这说明要得到较大的反射系数,基片长度应当是声波波长的偶数倍.     

基于多β晶体管的三值全功能触发器及其应用

本文在分析多β晶体管工作原理的基础上,提出了利用多β晶体管结合ECL构成三值开关,并以此为基础设计了三值D型锁存器和三值主从型D触发器．本文还设计了三值全功能触发器,并讨论了三值全功能触发器的逻辑功能及其激励函数,最后应用全功能触发器对时序电路的实例进行了设计,实例设计表明应用该触发器可以简化电路结构,提高电路的工作速度．     

磁场对晶体管特性参数的影响

本文用JT-1型晶体管特性图示仪和晶体管直流静态测试法,观测了磁场对晶体管特性参数的影响。结果表明:磁场对晶体管某些特性参数确有影响,但对于不同类型的晶体管,影响的程度不同。此外,文中推导出了集电极电流的变化量△I_c与磁场B之间的关系式。     

基于多β 晶体管的高速开关及其应用

本文利用多β 晶体管设计了差动式非饱和高速整形开关, 并利用它设计了反相器及存贮单元.它与原有的超高速线性与或门一起组成了完备的逻辑单元集合     

立体X线电视中的X线源及其特性

根据立体X线电视成像原理,要在单只影像增强器上形成并区分左右两个物体像,需要二个X线源按一定的频率交替发射.采用二只普通二极X线管予以机械同步遮光是一种可以实现的方法,但装置复杂,不便调节,可靠性差.我们在研制立体X线电视系统中,采用二只栅控X线管,组装成栅控双三极管X线源,由电视系统电子同步控制.理论和实践表明栅控X线源不但小型轻便、稳定可靠、容易调节,而且具有辐射剂量低,对生物体破坏作用小等独特的优点,它在X线电视系统、快速X线照相以及其他需要严格时间控制的X线技术中有很大的应用价值.     

基于钟控神经MOS管的多值双边沿D触发器设计

通过对钟控神经MOS管特性和冗余抑制技术的研究,提出了一种新型多值双边沿D触发器的设计方案．该方案利用钟控神经MOS管多输入栅加权信号控制、浮栅上的电容耦合效应及具有对浮栅进行初始化并将数据保存在浮栅上等特性,实现D触发器的多值输出．与传统触发器相比较,此多值触发器不但减少时钟冗余信号,降低电路功耗,提高电路效率,而且无需改变电路的结构就可实现不同基的多值D触发器．最后,采用0．25μm CMOS工艺,利用PSPICE模拟验证了所设计的电路具有正确的逻辑功能,并与相同功能多值D触发器比较,多值双边沿D触发器具有明显的低功耗特性．     

可控硅电路中的截流问题分析

一个理想的晶体管可以关断。这就是说,在管子流通正向电流时,只要使基极电流为零,就可使管子的正向电阻恢复到无限大。对可控硅来说,情况并非这样。可控硅元件一经触发导通后,闸极就失去控制作用。因此,欲使可控硅元件由导通转为截止,必须在阴极和阴极间加反向电压,或者使阳极电流在t≥t时间内小于维持电流或減小为零。在现代工业电子技术中,应用可控硅的开关电路和功率电路越来越普     

基于R-SET结构的逻辑门电路和触发器设计

提出一种基于单电子晶体管的新型电路结构--R-SET结构,并从R-SET结构的反相器着手对该结构电路的工作原理和性能进行了分析.构造出基于R-SET结构的或非门、一位数值比较器、SR锁存器和D触发器.通过对各电路进行SPICE仿真,验证了各电路的正确性.最后对R-SET和互补型SET 2种结构的D触发器进行性能比较,得出R-SET结构的D触发器具有结构简单,功耗低,延时小的特点.     

基于CNFET的三值脉冲型移位寄存器设计

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)多阈值特性和多值逻辑原理的研究,结合移位寄存器设计方法,提出基于CNFET的具有左移右移并入并出功能的三值脉冲型移位寄存器设计方案.该方案首先利用开关信号理论和CNFET特性设计三值D触发器;然后设计三值T运算电路,并实现数据选择器逻辑功能;最后,在此基础上设计基于CNFET的三值脉冲型移位寄存器.经实验验证,所设计的电路输出稳定,具有正确的逻辑功能,且与CMOS低功耗移位寄存器相比,功耗延时积(Power-Delay Product)降低76.7%.     

低功耗全加器的电路设计

在对现有全加器电路研究分析的基础上,提出了基于传输管逻辑的低功耗全加器.所建议的电路采用对称结构平衡电路延迟,削减了毛刺,降低了功耗.采用TSMC 0.24 μm CMOS工艺器件参数情况下,对所设计的低功耗全加器进行PSPICE模拟.模拟结果表明,在3.3 V和1.8 V电源电压下,与已发表的全加器相比,所建议的全加器电路功耗改进可分别高达58.3%和60.8%.     

硝基芳烃对斜生栅列藻毒性的定量构效关系研究

用DFT-B3LYP方法分别在ST()-3G,6-31G*,6-311G**基组水平上对25种硝基芳烃化合物进行全优化计算获得了相应量子化学参数,利用线性逐步回归法(LSR)建立硝基芳烃对斜生栅列藻毒性的定量构效关系(QSAR)模型,采用内部及外部双重验证的办法深入分析和检验模型的稳健性,选出最佳模型.与此同时,利用人工神经网络误差反传算法(BP网络)建立了非线性QSAR模型.LSR和BP建模的复相关系数(R2),去一法(LOO)交互检验复相关系数(R2cv),外部预测样本复相关系数(R2ext)分别为0.926,0.866,0.843和0.938,0.763,0.843,表明所建立的QSAR模型的稳定性和预测能力良好.结果表明:硝基芳烃对斜生栅列藻的毒性与次最低空轨道能、最正的硝基净电荷和前沿轨道能级差的相关性较好.