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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
在室温和流体静压力达12500公斤/厘米2下,测量了不同掺杂浓度的n型(5×1013—2.3×1018厘米-3和p型(2.6×1014—6.0×1017厘米-3)InSb的霍耳系数和电导率。分析结果发现,霍耳系数公式中散射因子随压力而减小,禁带宽的压力系数不是常数;得出禁带宽、载流子浓度、电子和空穴迁移率与压力的关系,并对压力下的载流子散射机构作了初步讨论。  相似文献   

2.
利用密度泛函理论和弹性散射格林函数方法,对硫醇分子膜的电学特性进行了理论模拟,计算结果表明,分子结的导电能力随着压力增加而增加,对单分子构成的分子结来说,电流的增加主要是由于电极距离的变化导致单个分子与电极的耦合增强,对于由多个分子构成的分子膜来说,由于外加压力的变化,导致分子结的链内隧穿和链间隧穿几率增大,从而导致导...  相似文献   

3.
1引言R134a作为一种新工质,有关对其迁移性质的研究目前还进行的不多,已有的迁移性质计算公式适用范围亦不宽。这些都影响了系统的优化设计和动态仿真。针对这一问题,作者在本文对R134a的导热系数、粘度关系式进行了研究。2有关R134a导热系数、粘度系数的实验研究国内外公开发表的有关R134a导热系数、粘度系数实验研究的报告如表1和表2所示。表1近年来对R134a导热系我实验研究表2近年来对R134a粘应的实验研究本文曾于1996年10月在武夷山召开的中国工程热物理学会工程热力学与能源利用学术会议上宣读.表1、表2列出了各研究者对R134a迁…  相似文献   

4.
用固态反应的方法制备了层状化合物NaxCoO2(0.52≤x≤0.8),并系统地研究了化合物的结构和输运性质.研究表明,随着Na含量x的增加.晶胞参数α增大,而晶胞参数c减小并且其数值远小于那些从Na0.77CoO2中用化学方法脱Na制得的样品的晶胞参数.所有的样品都呈现金属特征的输运性质并且电阻率曲线在x=0.68附近达到一个最小值.本工作还发现对于某些样品在某个温度点Tx附近,dρ/dT会出现一个跳变,这二跳变很可能对应于NaxCoO2材料输运性质从钴氧层内输运到三维空间输运的转变.  相似文献   

5.
用固态反应的方法制备了层状化合物NaxCoO2 (0.52≤x≤0.8),并系统地研究了化合物的结构和输运性质.研究表明,随着Na含量x的增加,晶胞参数a增大,而晶胞参数c减小并且其数值远小于那些从Na0.77CoO2中用化学方法脱Na制得的样品的晶胞参数.所有的样品都呈现金属特征的输运性质并且电阻率曲线在x=0.68附近达到一个最小值.本工作还发现对于某些样品在某个温度点Tx附近,dρ/dT会出现一个跳变,这一跳变很可能对应于NaxCoO2材料输运性质从钴氧层内输运到三维空间输运的转变.  相似文献   

6.
用熔融法合成了单相填充式skutterudite化合物CeyFexCo4 -xSb12 (x =0— 3 0 ,y =0— 0 74) .对Ce的填充范围 ,置换Fe原子对化合物的结构及热电传输特性的影响进行了研究 ,Ce的填充分数随Fe含量的增加而线性增加 ,当Fe含量大约为 3时 ,Ce的填充分数达到 0 74.晶格常量a随Fe含量的增加而增加 ,Ce的填充使晶格常量进一步增加 .当Ce填充分数达到饱和状态时 ,CeyFexCo4 -xSb12 化合物表现为 p型传导 ,霍尔系数RH 随Fe含量的增加而降低 ,空穴浓度 p和电导率σ随Fe含量的增加而增加 ,泽贝克系数α随Fe含量的增加而降低 .当Fe/Co比大约为 1 5 / 2 5时 ,CeyFexCo4 -xSb12 的晶格热导率 (κl)达到最小值 .  相似文献   

7.
用Monte Carlo方法模拟闪锌矿相(zinc blende)ZnS电子的输运特性.实验采用的是非抛物线模型计算电子的能带结构,模拟包含了声学声子散射,极性光学声子散射,压电散射,电离杂质散射,能谷间散射以及自散射等散射机理.通过模拟得到了ZnS材料的平均漂移速度、平均电子能量随电场强度变化的曲线图,以及总散射率随电子能量变化图,并将结果与文献报道的模拟结果[1]进行比较得出:本实验方法具有模型简单,计算速度快,获得结果比较准确的优点.  相似文献   

8.
通过对M~T曲线、M~H曲线和P~T曲线的测量,研究了Bi0.5Ca0.5Mn1-xCrxO3(O≤x≤0.12)系列样品的磁性和电输运特性.结果表明,随Cr掺杂量的增加,反铁磁转变和电荷有序转变分别在x~0.03和x~0.12相继消失.低温下始终出现自旋玻璃或团簇玻璃行为,说明存在反铁磁与铁磁的相互竞争.对电阻率数据的拟合表明,所有组分载流子的电输运可用可变程跃迁描述.我们用相分离的图象解释了相关现象.  相似文献   

9.
李宏伟  王太宏 《物理学报》2001,50(12):2501-2505
在77到292K的范围内,系统研究了含InAs自组装量子点的金属-半导体-金属双肖特基势垒二极管的输运特性.随着温度上升,量子点的存储效应引起的电流回路逐渐减小.在测试温度范围内,通过量子点的共振隧穿过程在电流电压(I-V)曲线中造成台阶结构,且使电流回路随温度的上升急剧减小.根据肖特基势垒的反向I-V曲线,计算了势垒的反向饱和电流密度和平均理想因子.发现共振随穿效应使肖特基势垒在更大的程度上偏离了理想情况,而量子点的电子存储效应主要改变了肖特基势垒的有效势垒高度,从而影响了势垒的反向饱和电流密度 关键词: 自组装量子点 肖特基势垒 电流-电压特性  相似文献   

10.
a—SITFT对TFT—AMLCD光学特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
钱祥忠  成建波 《应用光学》2001,22(6):1-3,14
分析非晶硅晶体管(a-SiTFT)的电9学特性与薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示(FTF-AMLCD)光学特性的内丰联系,讨论加在a-SiTFT源极上的驱动电压、a-SiTFT的寄生电容和阵列结构对TFT-AMLCD光学特性的影响。  相似文献   

11.
分析了土壤盐分运移的各种机理,在同时考虑水分和盐分运移温度效应的基础上,建立了非饱和土壤热、湿、气及盐分耦合运移的数学模型,继而通过数值计算考察了20 cm深的砂土中盐分运移温度效应的大小,结果显示: 5年后温度效应对4个不同深度处土壤溶液中盐分浓度的相对影响分别达7.8、4.8、0.8和0.34倍。  相似文献   

12.
半导体光磁电效应的非线性特征   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文从Shockley-Read统计出发,引入载流子寿命与浓度的相关性,将载流子的输运方程化为二阶非线性微分方程,并用双参数摄动法找到了方程的一般解,且在二级近似下,计算了半导体材料的短路电流和光导电流,揭示了大信号情况下光磁电效应的非线性特征,进一步拟合了实验数据。 关键词:  相似文献   

13.
本文通过实验研究了拉伸应变对YBCO涂层导体的临界电流(Ic)、n值和交流损耗的影响(零场,77K),实验结果表明,随着拉伸应变的增大,YBCO涂层导体Ic的变化分为三个阶段,开始缓慢上升,然后缓慢下降,最后快速下降,Ic的上升表明带材中存在残余压缩应变,Ic的衰减是由于应变导致弱连接区域的钉扎势与晶界间临界电流密度同时减小引起的;而n值随应变增加基本上没有变化,说明沿导体长度方向的Ic分布没有变化.由于临界电流密度沿样品宽度方向分布不均匀,实验所得的交流损耗结果与采用Norris模型计算所得的结果不一致,同时,当应变超过不可逆应变、电流接近Ic时,交流损耗快速增加.  相似文献   

14.
拉丝张力对光纤性能的影响   总被引:1,自引:2,他引:1  
蔡春平 《应用光学》1994,15(6):47-55
分析拉丝张力对光纤轴向应力、拉丝诱导缺陷、光损耗、强度、折射率分布、截止波长、瑞利散射系数等性能的影响。指出拉制光纤必须选择合理的拉丝张力,以确保光纤质量。  相似文献   

15.
电磁量计随爆轰波运动惯性性质的二维数值模拟   总被引:1,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
 利用二维非线性有限元动力分析程序,对金属电磁测速量计在爆轰波质速测量中随爆轰波运动的惯性性质进行了二维数值模拟。  相似文献   

16.
分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性,讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺,存储电容以及栅脉冲延迟效应等对a-SiTFT-LCD的通断电流比,信号响应与保持特性,图像亮度与对比度等光学特性的影响。  相似文献   

17.
木材微结构对其传热特性影响的实验研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
对落叶松和红松的试样进行了剖面结构的扫描电镜观察,图片显示在木材内部有非常明显而规则的多孔结构。通过实验测量了不同含水率的木材试样在20-200℃范围内的导热系数,并根据其多孔结构的特点对木材的传热特性进行了理论分析。结果表明,木材微结构的不同对其传热特性有显著影响,木材多孔部分在整个传热过程中起重要作用。木材的传热特性随着其多孔部分的孔隙分布和孔隙大小的不同而变化,在相同含水率的情况下,孔隙率高而孔隙小的木材传热能力较弱。  相似文献   

18.
LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
刘宝林  杨树人 《发光学报》1993,14(4):387-390
众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm[1],而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1~1.8μm内任意波长发射[2],并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm~1.65μm[3],因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。  相似文献   

19.
本文对以Alq为发光层的有机薄膜电致发光器件,在连续及脉冲恒压驱动下连续工作时的老化特性进行了系统研究。发现器件所加脉冲电压的占空比越小,以及工作前在空气中存放的时间越短,则老化越慢。上述结果说明:器件工作时自身的发热以及吸附气体等因素在器件的老化过程中起重要作用.  相似文献   

20.
采用高温固态反应和均衡热压方法相结合,我们制备了一系列Gd掺杂的Chevrel相GdxPb1-xMo6S8超导样品。为了研究掺入的磁性Gd^3离子对于磁通线的钉扎作用和对临界电流及其它性质的影响,我们系统地测量了样品的电阻率,热电势,比热和临界电流密度。同时,我们计算了磁性Gd^3离子与磁通线之间的相互作用和这种作用可能导致的磁通钉扎及对临界电流的影响,并与实验结果进行了比较。结果显示除非Gd^3  相似文献   

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