卤化银微晶中掺杂的Ca离子对其性能的影响

本文研究了在卤化银微晶沉淀过程中不同量的Ca离子掺杂对其离子电导和照相性能的影响。掺杂Ca离子使卤化银乳剂的介电损耗曲线上的吸收峰向低频方向移动。相应卤化银乳剂的感光度也有一定程度的提高。     

金属离子对溴碘化银乳剂微晶体的掺杂效应——Ⅰ.Fe3+的掺杂

应用常规感光测定法、电镜法、介电损耗仪和微波光导仪研究了Fe³⁺对卤化根乳剂微晶的掺杂效应,结果表明:Fe³⁺使卤化银乳剂的感光度降低,灰雾降低,而反差变化不大。电镜观察和介电损耗测量表明:Fe³⁺在物理成熟过程中对乳剂颗粒大小和离子电导率的影响不大,而微波光导数据表明,掺杂对电子电导的影响是明显的。上述结果表明:在AgBr中,Fe³⁺起了深的电子陷阱作用,使光电子徙动路程缩短,影响潜影的形成效率。     

某些稳定剂对卤化银乳剂微晶体的离子电导率的影响

利用Maxwell-Wagner效应,采用介电损耗测定法,在10kHz—3MHz的频率范围内,研究了苯亚磺酸钠(sodium benzosulfinate,简称BSI),1-苯基-5-巯基四氮唑(1-phenyl-5-mercaptotrazole,简称PMT)和5-甲基-7-羟基-1,3,4-三氮吲(口乃木)利嗪(5-methyl-7-hydroxyl-1,3,4-triazaindolizine,简称TAI)对卤化银乳剂微晶体的离子电导率的影响。加入BSI(4.76—19.07g/M AgBr)并不引起离子电导率的降低,而加入PMT和TAI(只是0.93g/M AgBr)却使离子电导率降低2个对数单位,升高了卤化银乳剂微晶体的离子电导活化能△E和表面电位eφ_s(约升高0.12eV)。进一步的研究表明:在乳剂微晶体中所含的碘,对于TAI吸附在微晶体上所引起的离子电导率的降低具有很强的抑制作用。文中对稳定剂对于离子电导性质影响的根据进行了讨论。     

金属离子对溴碘化银乳剂微晶体的掺杂效应——Ⅱ. Pb2+的掺杂

应用常规感光测定法、电镜法、介电损耗仪和微波光导仪研究了Pb²⁺对卤化银乳剂微晶的掺杂效应。结果表明:Pb²⁺使乳剂的感光度降低,灰雾明显升高,而反差变化不大。由电子显微镜照片表明,Pb²⁺对乳剂微晶大小和形状影响不大,但是离子电导和微波光导数据显示出,Pb²⁺的掺杂使离子电导率降低0.15个对数单位,电子电导成倍降低。上述结果暗示:Pb²⁺对照相性能的影响不是由于乳剂微晶大小和形状的变化,可能由以下两个原因引起:(1)Pb²⁺起了深的电子陷阱作用,使光电子徙动路程缩短,影响潜影的形成效率,(2)Pb²⁺(或PbBr₂)成为复合中心,加速光电子与空穴的复合,催化显影过程。     

卤化银乳剂微晶体的结构与性能研究——Ⅶ.切角立方体核壳乳剂的壳厚对于微晶体的光吸收及其电性质影响

应用双注法制备了一系列不同外壳厚度和核壳比分别为1.2.3.4的切角立方体乳剂。用光镜和图象处理方法测定了颗粒大小及其分布,用紫外光度法测定了它们的光吸收,用介电损耗法测定了离子电导率,用微波光导法测定了光电导和光电子寿命。对本系列的核壳乳剂的外壳厚度对上述各种光物理性质以及感光性能的影响进行了讨论,发现最合适的外壳层的厚度与卤化银乳剂微晶体的双电层的厚度(即所谓的Debye长度)大致相当。     

片状卤化银晶体的制备、结构与性能的研究——Ⅲ.碘离子分布对片状卤化银晶体光电性能的影响

本文制备了一系列结构不同的片状卤化银晶体,用扫描透射电子显微镜和X射线能谱仪相结合的方法对单个微晶进行了亚显微结构分析。半定量地测定了碘离子在不同结构的片状晶体中的分布,同时测量了各样品相应的介电损耗、Dember效应的光电压及高低照互易律失效。结果表明,在四种碘离子分布不同的片状卤化银晶体中,其微晶的离子电导率、高低照互易律失效、Dember效应的光电压衰减都随微晶中碘离子的分布不同而异,而且与乳剂的感光性能有很好的对应关系。     

片状卤化银晶体的制备、结构与性能的研究——Ⅱ.pAg对片状颗粒的尺寸、纵横比、碘离子分布及离子电导率的影响

本文研究了双注法制备片状卤化银微晶时,pAg值对所形成的卤化银片状颗粒的尺寸、纵横此、碘离子分布以及离子电导率的影响。随着pAg值的升高,片状颗粒的尺寸和纵横比都相应地增大和升高,且越来越多的碘离子从颗粒中心向外层迁移,直至到达表层,这说明存在晶体的重结晶过程。表面层的溴碘原子比是用X射线光电子能谱仪(XPS)测定的,并测量了不同pAg值下制备的不同尺寸的片状卤化银乳剂的介电损耗频谱。其结果表明,片状颗粒的尺寸影响其离子电导率,表层碘含量的影响不明显。     

改善高氯卤化银乳剂的高照度性能

本实验制备了高氯卤化银立方体系列乳剂和高氯卤化银(100)晶面T颗粒乳剂,对高氯卤化银立方体乳剂进行了不同种类掺杂剂的掺杂试验.通过测定以上各乳剂在常规曝光和高照度曝光下的照相性能,表明了在高氯卤化银乳剂中掺杂碘化物、掺杂铱络合物和掺杂浅电子陷阱掺杂剂都可以不同程度地改善乳剂的高照度性能,几种改进措施的结合效果更好.     

介电损耗法测定卤化银乳剂微晶体的离子电导

卤化银乳剂层在交变电场中显示出介电色散现象(Maxwell-Wagner效应),即在交变电场的频率f不同时,卤化银乳剂层的介电损耗ε″也不相同。根据ε″～1f,曲线可以计算卤化银微晶体的离子电导σ₂。我们注意到,不同类型的明胶具有不同的介电常数ε′₁,同一明胶在不同频率和真空度下所显示的ε′₁也有差别。含湿量的增大使乳剂的ε″_max,ε′_max和ε_∞的数值增大,使ε″～1gf曲线的低频端提高,使f_max向低频偏移。通过抽气严格控制样品含湿量是得到准确的σ₂的关键。此外,我们还考察了乳剂层的层数和电极的尺寸对f_max和σ₂值的影响。     

卤化银乳剂微晶体的成核过程研究进展

卤化银照相乳剂的感光性能与卤化银微晶体的晶体结构和尺寸大小有很重要的关系, 而卤化银微晶的结构和尺寸大小是由其沉淀过程决定的.     

测定染料增感峰的一个简便方法

卤化银乳剂经晶体生长、水洗、化学增感以后,还必须进行光谱增感,即加入感绿和感红的染料,以扩大卤化银乳剂微晶体对绿光和红光的光谱响应范围.     

卤化银乳剂微晶体的结构与性能研究 Ⅶ.切角立方体乳剂微晶体的核壳复合结构

本工作应用双注仪制备了一系列不同碘含量的切角立方体核壳乳剂,用紫外光度法测定了它们的光吸收,用介电损耗法和微波光导法分别测定了它们的离子电导及光电导。结果表明,乳剂微晶体的光吸收和离子电导率都随着碘含量的增加而增加,光电导也随碘含量增加而增大,光电子衰减遵循二级反应动力学过程。碘的引入以及立方体切角使立方体乳剂微晶体的感光性能成倍地增长。     

片状卤化银晶体的制备、结构与性能的研究——碘离子在不同结构的片状卤化银晶体中的分布及其离子电导行为

本文制备了三种结构不同的片状卤化银晶体。用电子显微镜和X射线能谱仪相结合的方法,对单个晶体进行了微区微观结构分析,测定了碘离子在三种不同结构的片状颗粒中的分布,并测量了不同结构片状颗粒的和同一结构不同碘含量的片状颗粒的介电损耗。     

单分散扁平卤化银微晶成核过程的研究

多年来,卤化银乳剂微晶体制备的研究重点一直放在宏观相的结构与性能的关系上,已经发现卤化银照相乳剂的感光性能与晶体的结构和大小有很重要的关系^[1,2]。随着研究工作的深入,人们逐渐认识到:晶体的成核过程决定着宏观相微晶体的结构和形状,因此成核过程的研究日益受到人们的关注。Tanaka^[3,4]应用分光光度法从反应动力学角度入手研究AgX微晶的成核过程。     

碘在卤化银微晶的成核及生长过程中的作用

现代卤化银高感照相乳剂大多是具有不同碘含量和碘分布的溴碘化银乳剂.由于碘化银参与到晶体成核和生长的不同阶段,便出现了所谓双层结构、多层结构、核壳结构等不同类型的实用卤化银照相乳剂.因此,对于碘在卤化银结晶过程中的作用的认识就显得尤为重要.本文通过文献综述旨在探讨碘对卤化银晶体成核与生长的影响.     

直流极化法对溴化银T颗粒乳剂电性能的研究

采用Wagner直流极化法对溴化银T颗粒乳剂的电性能作了研究.研究结果表明,未经光照的溴化银T颗粒乳剂具有一定的电子电导率.与曝光后的溴化银T颗粒乳剂相比,未经光照的溴化银T颗粒乳剂具有更高的电子电导率.另外,在未经光照的卤化银乳剂微晶体中,如果添加防灰雾剂,其电子电导率会明显上升.感光乳剂电性能的变化反映出溴化银乳剂微晶体内自由电子与填隙银离子结合的状态.本文还从分子结构的角度探讨了四氮唑等防灰雾剂对溴化银乳剂微晶体自由电子与填隙银离子结合的阻滞作用.     

某些有机物在溴化银重结晶过程中的作用

卤化银晶体的习性对乳剂的照相性能起决定性作用。因此多年来人们对影响卤化银晶体物理成熟过程的各种因素进行了研究。     

新型卤化银微晶——中空颗粒乳剂的制备

近十五年来,卤化银感光乳剂的制备有了长足的发展,出现了一系列新型卤化银微晶,例如扁平T-颗粒、双层结构颗粒、外延复合晶体、多层结构颗粒、糙面颗粒等等.这些新型微晶乳剂的出现使“微粒高感”成为可能,在此基础上开发出的新一代彩色和黑白感光材料的质量和性能达到了前所未有的高水平.这表明卤化银乳剂制备技术的更新对感光材料的发展起着决定性的作用.     

钨酸钙核/卤化银壳微晶乳剂的二次定影研究

近２０年来,随着卤化银微晶合成技术的进步,合成出了诸如Ｔ－颗粒、核壳乳剂和外延复合颗粒乳剂等性能优异的微晶体,极大地提高了乳剂的感光性能．但这些乳剂也有一个共同的缺点,即大量消耗贵金属银,且未成影像的银均随定影过程而浪费．为改善此类乳剂的不足,各国科...     

溴碘化银T-颗粒乳剂晶体的表面形貌研究

用原子力显微镜研究了T-颗粒卤化银晶体、掺杂有浅电子陷阱掺杂剂K₄[Ru(CN)₆]的掺杂乳剂晶体、经硫加金化学增感后的掺杂乳剂晶体的表面形貌以及曝光后表面形貌的变化.观察结果表明,T-颗粒晶体表面存在很多突起,经曝光后这些突起高度增加,更集中.掺入浅电子陷阱掺杂剂K₄[Ru(CN)₆]后,T-颗粒晶体对光更敏感,曝光后表面突起高度的增加幅度大于未掺杂乳剂光照后表面高度的变化.同时硫增感剂对表面突起的分布也有很大的影响.