RFID中EEPROM时序及控制电路设计

RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电路,使操作变得更加便捷。该电路设计基于0.35μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,仿真结果显示,3.3V电源供电时,擦写编程电流为45μA,读数据工作电流为3μA,读数据周期为300ns,具有低功耗、高速度的特性。     

4kb串行I2C接口EEPROM电路设计

EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)以其非易失性、数据存储能力强、操作灵活等特点广泛应用于对数据存储安全性及可靠性要求较高的场合,如微控制器、传感器、测量和医疗仪表,非接触式智能卡等领域.I2C(Inter-Integrated Circuit)总线是一种紧凑的而且非常节省连线资源的总线接口,由数据线SDA和时钟线...     

EEPROM失效机理初探

在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后，从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量，减小擦／写电压和擦／写时间，减小隧道氧化层的面积，都是提高EEPROM可靠性的有效措施。     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.     

串行EEPROM及其在MCS—96系列单片机中的应用

介绍美国National Semiconductor公司串和EEPROM93C46／56／66的性能特点，引脚功能及指令，并给出93AC56与INTEL公司的80C196的接口及读写程序。     

国外EEPROM器件的可靠性增长与考核技术

分析了提高ＥＥＰＲＯＭ器件耐久性和保持特性的途径,提出了寿命预测的方法和保持特性的考核标准。     

安森美半导体扩充串行EEPROM产品阵容

安森美半导体（0N Semiconductor）推出新的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）器件，用于汽车，医疗及消费市场。     

LCD或LCD TV的画质和色彩在线软调整方法

LCD或LCD TV中,影响画质和色彩最重要的两个参数就是Gamma Table和不同色温的R,G,BGain值。提出了一种软调整方法,该方法采用在线量测LCD或LCD TV一些特定的画面的光学值,并通过色彩空间转换和插值法获得当前LCD或LCDTV最佳Gamma Table和不同色温的R,G,BGain值,然后再通过DDCCI传输这些参数到LCD或LCDTV。从而保证每台LCD或LCD TV都达到最佳的显示效果,克服了目前每台LCD或LCD TV都采用固定值而不能达到最佳显示效果的问题。     

适用于无源RFID标签芯片的SPNVM优化设计

稳定的非挥发性存储器(Non-volatile memory,NVM)是射频识别标签系统中的重要组成部分,作为系统的信息承载体,用于存储用户或产品的基本信息。NVM的性能和造价是约束其发展的主要因素,为了改善非挥发性存储器的性能和降低其成本,文中基于传统的非挥发性存储器EEPROM,采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺,优化设计了一个存储容量为256位高性能低成本的单栅非挥发性存储器,从工作电压、效率、速度和功耗的角度,对存储单元进行了隔离保护处理,改进了电荷泵的升压模块和稳压模块,采用电压检测型灵敏放大器。电源电压1.8V,编程电流为42μA,读电流为2μA,编程时间为5ms/bit,读速率为2Mb/s。     

大容量串行E2PROM AT24C512及其应用

AT24C512是具有I2C总线的E2PROM,该电路具有存储容量大、体积小、功耗低、硬件接口简单的特点.文中给出该电路的性能特点、引脚功能及读写时序,并给出与AT89C2051单片机接口的硬件电路及相应的读写程序.     

一种应用于EEPROM的片上电荷泵电路设计

设计了一种应用于EEPROM的片内电荷泵电路系统。该电路基于Dickson电荷泵结构,通过使用稳定的参考电压驱动压控振荡电路,从而产生了占空比小于50%的精确时钟,提高了电荷泵升压速度;通过使用调压电路,限制并稳定了输出电压。HSPICE仿真结果显示:在5 V电源电压下,时钟频率高达2.085 MHz。电荷泵仅需要56.256μs就可以输出15.962 V的高压。电荷泵的电压上升时间快,性能优越。     

一种适用于射频电子标签的超低功耗嵌入式EEPROM

采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦写/读操作情况下的功耗测试结果.在电源电压为1.8V,数据率为640kHz时,EEPROM编程/擦写的平均功耗约为68μA,读操作平均功耗约为0.6μA.     

An Ultra-Low-Power Embedded EEPROM for Passive RFID Tags

采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦写/读操作情况下的功耗测试结果.在电源电压为1.8V,数据率为640kHz时,EEPROM编程/擦写的平均功耗约为68μA,读操作平均功耗约为0.6μA.     

Multi-Value Voltage-to-Voltage Converter Using a Multi-Stage Symmetrical Charge Pump for On-Chip EEPROM Programming

A fully integrated multi-stage symmetrical structure chargepump and its application to a multi-value voltage-to-voltage converterfor on-chip EEPROM programming are presented. The multi-valuevoltage-to-voltage converter is designed to offer two output voltages,power supply and triple power supply alternatively, which is neededfor a memory array. A dynamic analysis of the multi-stage symmetricalstructure charge pump and an optimization design in terms of circuitarea are also given. The circuit is implemented in a 1.2 CMOSprocess and the measurement results show that a voltage pulse as shortas 5 s with a rise time of 3 s is obtained. For a 5 V powersupply and with a resistive charge of 100 k, the programmingoutput voltage can reach as high as 11 V and output current forprogramming is over 110 A, which are high enough to program thememory cell.     

Low‐Power 512‐Bit EEPROM Designed for UHF RFID Tag Chip

In this paper, the design of a low‐power 512‐bit synchronous EEPROM for a passive UHF RFID tag chip is presented. We apply low‐power schemes, such as dual power supply voltage (VDD=1.5 V and VDDP=2.5 V), clocked inverter sensing, voltage‐up converter, I/O interface, and Dickson charge pump using Schottky diode. An EEPROM is fabricated with the 0.25 μm EEPROM process. Power dissipation is 32.78 μW in the read cycle and 78.05 μW in the write cycle. The layout size is 449.3 μm × 480.67 μm.     

A low power CMOS compatible embedded EEPROM for passive RFID tag

A 512-bit low-voltage CMOS-compatible EEPROM is developed and embedded into a passive RFID tag chip using 0.18 μm CMOS technology. The write voltage is halved by adopting a planar EEPROM cell structure. The wide Vth distribution of as-received memory cells is mitigated by an initial erase and further reduced by an in-situ regulated erase operation using negative feedback. Although over-programmed charges leak from the floating gates over several days, the remaining charges are retained without further loss. The 512-bit planar EEPROM occupies 0.018 mm² and consumes 14.5 and 370 μW for read and write at 85 °C, respectively.     

用于RF ID的EEPROM技术及IP设计

设计了一个1 kb EEPROM IP电路,包括1.2μm EEPROM工艺和EEPROM IP电路的设计。通过对电路结构的改进和对电路的优化设计,达到了低压低功耗的要求,并可以在较大的电压范围内工作。采用与CMOS工艺兼容的1.2μm EEPROM工艺进行流片,降低了生产成本,适用于RF ID系统。     

A 2 Kbits Low Power EEPROM for Passive RFID Tag IC

This paper presents a low power con-sumption and low cost electrically erasable program-mable read-only memory(EEPROM)for radio frequency identification(RFID)ta...     

一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路

提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在～40～100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA.     

一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路

提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在～40～100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA.