半导体和集成电路无损显微分层内窥的新方法

本文中我们首次在这里公布近些年来我们对半导体材料及微电子器件进行无损显微分层内窥新方法(简称显微分层内窥法)的一些电子显微镜照片及研究结果。这个方法目前已可应用到对半导体材料的亚表面层内的微结构和缺陷进行检测。亚表面层内的微结构状况和缺陷的有无及多少,将直接地决定着用这些材料制作的微电子器件的质量。对亚表面层内有缺陷的半导体材料可以用我们按照显微分层内窥法研制成的扫描电子显微镜(SEM)的专用附件——托莫(下称SETM)来加装到SEM上,对投料生产微电子器件前的半导体材料的亚表面层进行无损显微分层内窥检测,筛…     

超大规模集成电路气体净化工艺

介绍超大规模集成电路生产所使用的主要气体的净化工艺和装置以及系统设计和安装中应 问题。     

透表面显微内窥半导体和集成电路的新方法

在信息时代,面对铺天盖地大量涌来的各种信息,需要对其进行采集、处理、传输、存储编辑、显示、打印和应用。这就需要使用计算机、通讯和自动化等各种技术手段来完成上述任务,而这些技术手段又是以半导体材料和集成电路为基础的。随着需要采集和处理的信息量越来越大,对半导体材料和集成电路的要求也越来越高,要求制作出集成度更高的高可靠性的超大规模、甚大规模和巨大规模的集成电路。为了要保证高可靠性,就必须对半导体材料和集成电路在制作过程中和制作完成后都要能进行严密科学的检测,以便保证所制作出来的集成电路能可靠地工作。在研…     

国外超大规模集成电路的生产状况

介绍了国外超大规模集成电路的发展趋势,列举了21世纪需要研究的7类集成电路新技术。阐述了超大规模集成电路在武器装备中的作用,美、欧、日、韩今后的发展对策及其集成电路生产厂的主流产品与生产状况。     

超大规模集成电路无网格布线算法研究

本文提出一种高性能超大规模集成电路无网格布线算法，对于给定的布线平面，算法首先生成该布线平面的非均匀网格图，然后以绕障长度为布线参数，采用优化迷宫算法完成具体的布线过程。算法保证能够找到存在的最短布线路径，并能进行变线宽、变线距布线，布线速度很快，效果很好。     

超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究

详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（SiOF）介质薄膜制备的工艺,并分析了试样的FTIR光谱,发现薄膜中大部分的氟以Si--F键形成存在。C-V特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。     

超大规模集成电路的可制造性设计

以Synopsys推出的TCAD软件TSUPREM-Ⅳ和Medici为蓝本,结合100nm栅长PMOSFET的可制造性联机仿真与优化实例,阐述了超大规模集成电路DFM阶段所进行的工艺级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。     

彩电用超大规模集成电路TDA9370实测数据

TDA9370是飞利浦公司推出的彩电用超大规模集成电路,内含PAL、NTSC多制式中频、视频、色度、行场扫描小信号处理电路,及各种提高图像质量的补偿、校正和降噪电路,它还将CPU电路集成其内,通过I~2C总线对整机电路进     

超大规模集成电路中的可靠性技术应用与发展

论述了大规模 /超大规模集成电路可靠性技术的应用与发展 ,重点强调在大规模 /超大规模集成电路中可靠性技术的地位和作用 ,对“十五”超大规模集成电路可靠性的发展提出了思路     

超大规模集成电路芯片的激光缺陷检测技术

介绍了激光扫描散射检测超大规模集成电路芯片上缺陷的原理，描述了对芯片沾污质粒子与芯片电路图形缺陷的检测方法，并对它们的特点进行了比较。     

国外军用超大规模集成电路的应用与发展趋势

论述了国外超大规模集成电路的发展趋势及在武器装备中的作用.介绍了美、欧、日、韩今后发展超大规模集成电路的对策.分析了国外超大规模集成电路民技军用的背景,随着集成电路技术的发展,民用市场上会有更多质优价廉的民用集成电路产品适合军事装备的需要,民技军用是国外军用集成电路今后的发展趋势.