中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究

这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E_0和散射电子偏角θ_1的变化比较敏感.     

中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究

这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响。研究表明：在中高入射能下,截面的角分布由 binary 峰和 recoil 峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献。更进一步,修正后的 binary 峰的幅值对入射电子能量 和散射电子偏角 的变化比较敏感。     

大能量损失小动量转移几何条件下氦原子(e, 2e)反应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型在共面、大的能量损失和近于最小的动量转移这一特殊几何条件下对氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算和研究，对截面的结构进行了分析，并把计算结果与最新实验测量结果进行比较发现：BBK模型和修正后的BBK模型均给出了与实验结果较符合的binary峰和recoil峰的比率以及双峰的角分布. 关键词： binary峰 recoil峰 能量损失 动量转移     

氢原子(e,2e)反应中BBK模型非一阶效应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型对入射能分别为54.4eV,150eV,250eV时共面非对称几何条件下电子离化氢原子的三重微分散射截面进行了计算,并把结果与一级玻恩近似下的计算结果以及实验数据进行了比较,对修正后的BBK模型中非一阶效应进行了分析和探讨.发现该模型中的末态三体间的屏蔽包含了极强的非一阶效应的信息. 关键词： 非一阶效应 DS3C模型 binary峰 recoil峰     

Ag+(4d10)离子三重微分截面的研究

用自旋平均静态交换势下的三体扭曲波波恩近似计算了d轨道电子(Ag+(4d10))在共面非对称几何条件下的三重微分截面, 结果表明在高入射能的条件下, 随散射电子角度θa的增加, binary峰和recoil峰分裂的个数都会增加, 电子的电离振幅会随之下降, d电子的三重微分截面比s, p电子的复杂.     

电子碰撞He电离激发过程(e+He(1s2)→2e+He+(n=2))的理论研究 (cited: 1)

考虑He靶原子具有径向及角度关联的初态波函数,应用三体库仑模型(简称3C)研究电子碰撞He原子电离激发过程,并进行理论推导,按照实验要求计算和分析了在共面不对称几何条件下,能量分别为5.50、1.50和0.570 keV的入射电子碰撞He原子电离激发的三重微分截面(TDCS),并将其计算结果与绝对实验数据及其它理论结果进行了比较. 计算结果表明,BBK模型能够定性地描述这样的反应过程,且能反映实验数据中TDCS呈现出一强的recoil峰,对于某些能量和散射角,其recoil峰甚至高于binary峰,这与中高能单电离过程是完全不相同的.     

利用正交投影解析求解氢原子的(e,2e)反应

利用能壳上跃迁矩阵元的后滞形式和双势公式,对快电子碰撞氢原子的单离化反应,提出了一个新的计算方法.跃迁矩阵元被表示为两项,当入射电子和散射电子近似为平面波时,跃迁矩阵元的第一项是一个发散的复数;而第二项计算的角分布就已有双峰结构了.那么通过碰出电子的库仑波函数在氢原子束缚态上的正交投影,使得前者对三重微分截面的贡献为零.计算发现正交投影过程增大了binary峰,降低了recoil峰.另外,当量子数n增大时,正交投影过程对三重微分截面的影响是减弱的.理论曲线与实验数据进行了比较.     

快电子碰撞碳原子K-壳层电离的三重微分截面

利用3C、DS3C和S3C模型分别计算了共面非对称几何条件下快电子碰撞碳原子K-壳层电离的三重微分截面(TDCS),将S3C模型计算结果与其它理论结果和实验数据进行了比较.表明:内壳层电离的TDCS呈现出一强的recoil峰,对于某些参量,recoil峰甚至高于binary峰.这一点与外壳层电离过程不相同.S3C模型能够较好地描述这样的电离过程.?     

垂直入射几何条件下氦原子(e,2e)反应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型在电子垂直入射几何条件下对氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行比较,对截面的结构进行了分析,并对交换效应进行了系统的研究. 关键词： DS3C模型 中间峰 屏蔽效应 交换效应     

电子垂直入射电离氦原子碰撞机理的理论研究

用3C模型和修正后的3C模型在低能、两个出射电子等能分享几何条件下,对电子垂直入射碰撞电离氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行了比较,系统研究了(e,2e)反应中各种屏蔽效应对氦原子三重微分散射截面的影响,同时对截面中形成各峰的碰撞机理做了详细的探讨.研究结果表明:在入射能较低时,各种屏蔽效应对氦原子的三重微分散射截面幅度以及角分布均存在一定影响,并且形成各峰的碰撞机理直接影响截面的变化规律.     

共面双对称几何中Li+(1s2)(e,2e)反应的理论研究

利用Berakdar理论,考虑了入射道的库仑相互作用,在共面双对称碰撞几何中,计算了能量为251eV入射电子碰撞Li⁺(1s²)(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS),讨论了不同散射振幅对截面的贡献,分析了干涉效应及入射道库仑场对截面的影响.结果表明,它们对决定TDCS的角度分布和大小起着重要作用. 关键词：     

(e,2e)反应中电子的角度分布

利用修正的BBK理论模型,在共面,等能分享,固定相对角度几何条件下,计算了能量分别为58.4,68,81.6,108.8和174.4eV的入射电子碰撞He⁺(1s)(e,2e)反应三重微分截面(TDCS),并讨论了交换,关联与干涉效应及入射道库仑场对TDCS的影响。结果表明,这些效应对决定TDCS的角度分布及大小是非常重要的。     

On the theory of (e, 2e) reactions in atomic hydrogen and helium

We compare the results of eikonal-Born series calculations which we have performed for the (e, 2e) reaction in atomic hydrogen with recent absolute measurements of triple differential cross sections for that process, carried out in the asymmetric coplanar geometry. We find that second-order effects play a crucial role in understanding both the angular positions and the magnitudes of the binary and recoil peaks. The implications of our analysis for the case of (e, 2e) reactions in helium are also discussed.     

Triple differential cross section in (e, 2e) collisions for sodium in a coplanar symmetric geometry

The triple differential cross sections for (e, 2e) ionization of sodium in a coplanar symmetric geometry have been studied in distorted wave Born approximation with the modified semiclassical exchange potential. The present calculations improve the agreement between the theoretical and experimental results. The post-collision interaction and target polarization effects have also been studied. In addition, the variation trends of the shape and ratio for the forward and backward scattering peaks have been discussed. Besides, the small bump observed between these two peaks has been analyzed by the interaction between active electron and passive electrons.     

低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS)，通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3，28.3，30.3，32.5，34.3，36.5和40.7eV时，低能电子入射电离He原子的DDCS；研究表明：DS3C的计算结果，除在低入射能(比如26.3eV)和小敲出角之外，均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外，对直接和交换效应也进行了研究，给出了交换效应对截面的贡献.     

裸碳碰撞氦原子单电离全微分截面的理论分析

利用四体模型计算了100 MeV/amu裸碳碰撞氦原子单电离全微分截面,发现在散射面四体模型和实验结果符合很好,但是在散射平面外与实验数据符合有较大差别. 分析了不同散射振幅对全微分截面的贡献. 结果表明在recoil峰区域附近,由于入射粒子和靶核相互作用的振幅和入射粒子和敲出电子相互作用的振幅之间的干涉所贡献的截面更接近于实验数据,特别是在垂直平面,这两振幅的干涉所形成的截面产生了实验的双峰结构. 然而,总相互作用振幅的干涉并没有呈现这个特征. 四体模型不能给出垂直平面内实验结果的特征是由于三项散射振幅的权重不同.     

64.6 eV电子碰撞电离氦原子(e, 2e)反应的理论研究

利用BBK理论及其修正模型,计算了入射能64.6 eV、 不同枪角情况下,电子碰撞电离氦原子(e, 2e)反应的三重微分散射截面. 分析了曲线结构,对其内部碰撞机制进行了详细的研究和探讨.结果表明: 在非共面几何条件下,碰撞微分截面上所呈现出来的特征是由多种效应共同作用所决定的, 随着条件的不同而相互转化.且在垂直入射几何条件下,末通道存在着极强的动力学屏蔽.