微光电视摄象器件

本文报道了近几年国外研制和生产的几种高分辨率、低晕光微光摄象管,还叙述了固体微光摄象器件取得的一些新进展。一、引言七十年代初曾为微光电视系统研制了硅靶摄象管。由于硅靶灵敏度高,惰性低,     

中国科学院西安光机所科技成果介绍之七

彩色条纹滤色器是一种新型的光学元件。用它可以制造各种类型的彩色条纹摄象管和固体CCD彩色摄象器件;在彩色光学信息处理方面也有重要的应用,如在彩色全息技术,彩色图象的储存和复现等方面都要应用它。     

不可见光摄象装置

一、引言从广义说,不可见光摄象装置可以分为:由变象管和可见光摄象装置组合起来的摄象装置;内部装有将不可见光直接变换为电子的光电变换面的摄象装置;无扫描电子束的自扫描固体摄象装置和机械扫描摄象装置。     

彩色条纹滤色器制造技术

彩色条纹滤色器是一种新型的光学元件。在彩色光学信息处理方面有重要的应用。比如在彩色全息技术,彩色图像的储存和复现都要应用它。在特种彩色电视技术中它有更重要的,更广泛的应用。因它可以制作各种类型的彩色条纹摄象管以及彩色固体摄象器件。 目前国外已公布的彩色条纹滤色器制造方法有好几种。如果按照彩色膜不同的形式来分类主要有:有机膜染色法;物质吸收特性法;多层干涉膜法等三种。     

微光CCD—TV摄象机

CCD(电荷耦合器件)图象传感器是一种高灵敏度摄象器件。如果把 CCD 图象传感器冷却,或用纤维光学把象增强器和 CCD 耦合,或 CCD 以电子轰击方式工作,均可获得良好的微光性能。本文报导了国外各种微光CCID(电荷耦合成象器件)和 CCD—TV 摄象机的研制水平和使用情况.     

CCD摄象器件的调制传递函数

本文从理论上讨论了影响正面受光线阵 CCD 摄象器件调制传递函数的几个因素。对转移失效造成的调制传递函数提出了一个简单的解释模型,讨论了影响 CCD调制传递函数的主要因素。     

高迁移率Ge沟道器件研究进展

高迁移率Ge沟道器件由于其较高而且更对称的载流子迁移率, 成为未来互补型金属-氧化物-半导体(CMOS) 器件极有潜力的候选材料. 然而, 对于Ge基MOS器件, 其栅、源漏方面面临的挑战严重影响了Ge基MOS 器件性能的提升, 尤其是Ge NMOS器件. 本文重点分析了Ge基器件在栅、源漏方面面临的问题, 综述了国内外研究者们提出的不同解决方案, 在此基础上提出了新的技术方案. 研究结果为Ge基MOS 器件性能的进一步提升奠定了基础.     

金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应

研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进 行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比 较,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件,界面态 建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨. 关键词： 金属-氧化物-半导体场效应 辐射效应 阈值电压漂移     

无结的半导体器件

美帝贝尔电话公司最近制出一种新的半导体器件,叫做电荷耦合器件。它基本上不用P—n结,而是利用绝缘体—半导体界面的效应,就具有线路的功能。据说,这种器件制作工序比现有其它器件简单,元件密度大,可以用于计算机的移位寄存器。它吹嘘说,还可以用于逻辑、延迟线、电视摄象装置甚至显示。关于器件的工作原理,可参     

高速电视摄象系统的象质评价和动态计测精度

本文对高速摄象系统(包括电视摄象系统和光机式摄象系统)的象质评价方法予以讨论,并用实验方法对目前广泛使用的Kodak SP-2000、NAC HSV-200等高速电视摄象系统及我们自己开发的一维扫描电视摄象系统的象质,在新的定义下给出了评价,对它们的动态精度作了对比性测试,同时和光机式高速摄象系统作了比较。     

MOS系统中钠离子的运动模型

一、引 言 为了解决半导体硅器件特别是MOS器件的稳定性问题,从六十年代中期开始,对MOS系统中由于可动离子沾污而引起的不稳定性问题,进行了大量的工作.研究结果表明,Na ,K ,Li 及F-等在二氧化硅层中都是可以移动的[1,2].在实际半导体硅器件中沾污最严重,对器件特性影响最大的是Na . 为了进一步控制钠离子沾污对器件特性的影响,人们用不同的电学测量方法[3]从各种不同角度对钠离子在氧化层中的运动规律进行了广泛的研究.各人提出了各自的模型,用以解释自己的实验结果.由钠离子运动的瞬态特性的测量,已提出了钠离子在氧化层中的运动主要…     

介质靶成象过程分辨率的研究

本文研究了在某些摄象器件、存贮器件或电光显示器件中介质靶诸因素对分辨率的影响。在考虑各向异性介质靶的普遍情况下,推导了由表面电荷光栅图象到电位图象或光象的介质靶的光学传递函数。定量地分析了它的分辨率极限;较详细地讨论了表面漏电和靶而其他介质膜层的引入对分辨率的影响。作为例子,利用TQ-16型计算机计算了摄象管中的硅靶、录象磁带中的聚苯乙烯靶和大屏幕投影电视中的DKDP晶体各向异性介质靶的MTF曲线,从而求得了它们的分辨率,所得结果与国外资料报道的实验曲线和数据很好地吻合。最后,用DKDP晶体所做的实验进一步证实了计算的结果。 关键词：     

一种宇航用的多幅/单管摄象光学系统设计

本文所介绍的一种小型彩色电视摄象光学系统,用在宇宙飞船驾驶舱摄象机装置上。该光学系统的一个重要部件是能区分光谱的分光棱镜系统,它要求与摄象管组合使用。管子的靶面是由光学纤维和光学玻璃材料组成的三合一面板。这种结构能使几个相邻的、尺寸相同的象聚焦在摄象管的同一个靶面上,达到彩色摄象的目的。     

应用光学—光学系统设计指南 第十六章 光电探测器和热探测器(续)

16.4.5.2 固体光-电图象传感器开关器件用固体图象板也能完成电视摄象管的作用。这种图象板通常由二极管列阵组成,通过开关按顺序读出二极管列阵的各个象素。例如,集电极层可以扩散成许多行,基极和发射极区可以分别扩散到硅基片。然后用铜条把发射极连接成列。打开所需要列的开关,把读出信号加到所要求的行,就可以读出任何所需要的象素。在这种器件中,常常希望入射通量在长时间内积蓄。利用上述方法是可能做到这一点的。     

微光摄象管的一种新方案

一前言对一台微光摄象系统来说,希望它能具备如下三项功能: 1) 能在最黑暗的阴云星光下实现摄象; 2) 作用视距尽量地远; 3) 在上述两个条件下,所摄取的景物的象应尽可能清晰。不言而喻,要满足上述要求,所采用的微光摄象管应具有非常优良的工作性能。自从SEM管问世以来,一级象增强器和SEM管耦合而成的复合式微光摄象管(用I SEM表示之)已把微光摄象技术向前推进了一大步,但是,目前世界上所拥有的I SEM管距离实现上述目标尚有差距,有的管种差距还十分巨大。从理论上分析这些差距,提出两个判据正是本文所要探讨的任务之一,从而为微光摄象管今后应向哪些方面发展,提供出一个粗线条。本文的主要任务,是提出微光摄象管的一种新方案。作者希望,文中的讨论能引起在微光领域工作的有关人士的关注。     

增强型Cascode结构氮化镓功率器件的高能质子辐射效应研究

针对增强型共栅共源(Cascode)级联结构和耗尽型AlGaN/GaN功率器件,利用60 MeV能量质子开展辐射效应研究.获得了经质子辐照后器件电学性能的退化规律,并与常规耗尽型HEMTs器件辐照后的电学性能进行了比较,发现增强型Cascode结构器件对质子辐照更加敏感,分析认为级联硅基MOS管的存在是其对质子辐照敏感的主要原因.质子辐照使硅基MOS管栅氧化层产生大量净的正电荷,诱导发生电离损伤效应,使其出现阈值电压负向漂移及栅泄漏电流增大等现象.利用等效(60 MeV能量质子,累积注量1×10¹² p/cm²)剂量的⁶⁰Co γ射线辐射器件得到电离损伤效应结果,发现器件的电学性能退化规律与60 MeV能量质子辐照后的退化规律一致.通过蒙特卡罗模拟得到质子入射在Cascode型器件内诱导产生的电离能损和非电离能损,模拟结果表明电离能损是导致器件性能退化的主要原因.     

高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究

高功率微波(HPM)通过使半导体器件特性退化和功能失效,从而干扰电子系统无法正常工作. 针对金属氧化物半导体(MOS)器件的HPM效应, 建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)特性退化的物理过程与模型. 器件仿真结果中nMOSFET的输出特性曲线显示栅极注入HPM引起器件特性退化,包括阈值电压正向漂移、 饱和电流减小、跨导减小等;结合物理模型分析可知, HPM引起的高频脉冲电压使器件进入深耗尽状态, 热载流子数目增多,热载流子效应导致器件特性退化. MOS器件的HPM注入实验结果显示,器件特性曲线、器件模型参数变化趋势与仿真结果一致, 验证了HPM引起nMOSFET特性退化的物理过程与模型.     

氮化硅膜致小尺寸金属氧化物半导体晶体管沟道单轴应变物理机理

应力作用下MOS性能可显著提升, 小尺寸MOS沟道中单轴应力的引入可通过在MOS表面覆盖淀积SiN膜实现. 虽然该工艺已广泛应用于MOS性能的提升, 但有关SiN膜致MOS沟道应力的产生机理、作用机理, 以及SiN膜结构与MOS沟道应力类型关联性等方面的研究仍需深入探讨. 本文基于ISE TCAD仿真, 提出了分段分析、闭环分析和整体性分析三种模型. 通过对Si MOS源、栅、漏上多种SiN膜淀积形式的深入分析, 揭示了SiN膜致MOS 沟道应力产生与作用物理机理. 研究发现: 1) “台阶”结构是SiN膜导致MOS沟道应变的必要条件; 2) SiN膜具有收缩或者扩张的趋势, SiN膜主要通过引起MOS源/漏区域Si材料的形变, 进而引起沟道区Si材料发生形变; 3)整体SiN膜对沟道的应力等于源/漏上方SiN膜在源/漏所施加的应力、“闭环结构”对沟道内部所施加的应力以及SiN膜的完整性在沟道产生的应力的总和. 本文物理模型可为小尺寸MOS工艺制造, 以及MOS器件新型应力引入的研究提供有价值的参考.     

一种基于双栅材料的单极性类金属氧化物半导体碳纳米管场效应管设计方法

由于导电沟道-源/漏电极界面处可能发生的载流子带间隧穿,传统类金属氧化物半导体(MOS)碳纳米管场效应管呈现双极性传输特性,极大影响了器件性能的提高及其在电路中的应用.为获得具有理想单极性传输特性的类MOS碳纳米管场效应管,本文提出了一种基于双栅材料的器件设计方法.模拟结果表明,通过合理选取调节电极材料,在不影响器件亚阈值斜率的同时,该设计方法不仅能使开关电流比增大6—9个数量级,有效调节阈值范围,而且能有效消除传统类MOS碳纳米管场效应管的双极性传输特性.进一步研究表明,该设计所获得的器件性能提高与调节     

两组垂直的玻璃丝网格板的制作工艺

<正> 网格板是各种网格高速摄影机中的主要元件之一。它是由许多微型透镜规则排列而成的。它在相机中的作用是把一幅象分解成许多象素(象点)投影在底片上,用扫描的办法把象点拉成象线。可以用来研究被摄物体的变化过程。网格板的种类很多。如狭缝线型网格板、