1.3μm注入锁定半导体激光器及其远场特性

报道了利用１．３μｍ分布反馈（ＤＦＢ）半导体激光器注入锁定普通半导体激光器后的模式及其远场分布特性实验。在不加隔离器和主被协激光器偏振方向相互垂直的情况下，获得了静态和动态单纵模运转，并观察和测量了普通半导体激光器注入锁定前后输出光的远场分布，最后对实验结果进行了讨论。     

基于多芯片封装的半导体激光器热特性

设计了一种由12只单条形芯片分为2组以从高到低阶梯排列的百瓦级半导体激光器结构。针对其在稳态工作条件下的热特性利用ANSYS软件进行了模拟分析,通过改变Cu热沉的宽度、间距和高度差,得到了最高和最低Cu热沉封装的芯片有源区温度及两者温度差值的变化规律。最后设计了一种较为理想的百W级半导体激光器的散热结构。     

基于多芯片封装的半导体激光器热特性

设计了一种由12只单条形芯片分为2组以从高到低阶梯排列的百瓦级半导体激光器结构。针对其在稳态工作条件下的热特性利用ANSYS软件进行了模拟分析,通过改变Cu热沉的宽度、间距和高度差,得到了最高和最低Cu热沉封装的芯片有源区温度及两者温度差值的变化规律。最后设计了一种较为理想的百W级半导体激光器的散热结构。     

多有源区隧道再生半导体激光器稳态热特性

 利用有限元软件ANSYS结合傅里叶定律,对制约适用于光纤耦合输出的新型高功率多有源区隧道再生半导体激光器长寿命工作的稳态热特性进行了系统计算、分析。获得了这种新型器件工作时各有源区温度分布特征及与传统单有源区器件稳态热特性的区别,并给出了多有源区隧道再生半导体激光器工作时各有源区温度的估算方法,同时对有效降低这种新型器件热阻的方法进行了讨论。结果表明:连续工作时,多有源区隧道再生半导体激光器比同材料体系传统结构器件更易获得较高的输出功率。     

多有源区隧道再生半导体激光器稳态热特性

利用有限元软件ANSYS结合傅里叶定律,对制约适用于光纤耦合输出的新型高功率多有源区隧道再生半导体激光器长寿命工作的稳态热特性进行了系统计算、分析。获得了这种新型器件工作时各有源区温度分布特征及与传统单有源区器件稳态热特性的区别,并给出了多有源区隧道再生半导体激光器工作时各有源区温度的估算方法,同时对有效降低这种新型器件热阻的方法进行了讨论。结果表明:连续工作时,多有源区隧道再生半导体激光器比同材料体系传统结构器件更易获得较高的输出功率。     

用于全光波长转换的外腔半导体激光器的注入电流选择

实验研究了注入光对光纤光栅外腔半导体激光器阈值电流的影响,给出了可同时获得高消光比和高转换速率的注入电流范围。采用载流子消耗机抽对实验结果进行了实性分析。     

两个半导体激光器交叉注入的理论分析

 提出了一个复杂非线性动力学系统－交叉注入锁定半导体激光系统。针对其中最简单的两激光系统,导出了描述它的方程组,解析求解了它们具有相同自由振荡频率时的定态解。结果表明,在相同耦合条件下,锁定的频率范围比主-从方式扩大了大约一倍。从结果可以看出,即使是这种特殊系统,在锁定后频率也可能会改变。     

光栅外腔半导体激光器GHz射频调制特性研究

研究了光栅外腔半导体激光器(ECDL)对射频频率调制的响应特性,分析了射频频率调制时光栅外腔对半导体激光器的边带信号的影响.实验中测量了GHz射频频率调制的.ECDL输出的边带信号随射频信号功率、注入电流、光栅外腔长度的变化情况.证实了当射频调制频率等于光栅外腔自由光谱区的整数倍时,ECDL输出的边带信号可在一定程度上得到增强.     

两个半导体激光器交叉注入的理论分析

提出了一个复杂非线性动力学系统－交叉注入锁定半导体激光系统。针对其中最简单的两激光系统,导出了描述它的方程组,解析求解了它们具有相同自由振荡频率时的定态解。结果表明,在相同耦合条件下,锁定的频率范围比主-从方式扩大了大约一倍。从结果可以看出,即使是这种特殊系统,在锁定后频率也可能会改变。     

连续可变偏振光注入垂直腔面发射激光器的偏振开关及双稳特性

基于垂直腔面发射激光器(VCSELs)的自旋反转模型(SFM),理论研究了连续可变偏振光注入VCSEL所产生的偏振开关及双稳特性。研究结果表明,在合适的注入参数设置下,通过连续正向扫描和反向扫描注入光偏振角,VCSEL的偏振分量可产生由偏振角度诱导产生的偏振开关(PS)及偏振双稳(PB)效应,且正反向PS点位置随扫描周期的变化而发生偏移,进而导致PB区域宽度发生改变。当注入强度一定时,正反向PS点位置随扫描周期的增大呈现相反的变化趋势,且更小的扫描周期和更大的频率失谐均有助于增加PB区域的宽度;对于频率失谐给定的情形,注入光强度的变化对PS和PB宽度也有着较大的影响,较小的注入强度及扫描周期更易于PB宽度的扩展。当给定注入强度和频率失谐时,正反向PS点所对应的偏振角度随偏置电流的增强均呈现近似增大的趋势,而PB区域宽度则表现出较大的起伏,且扫描周期越大,对应的PB宽度越小。此外,自旋反转速率也会影响VCSEL输出偏振分量的PS和PB特性,当注入参数一定时,较小的自旋反转速率更易于产生较大的PB宽度。     

高功率半导体巴条激光器的热特性分析

对采用5层叠焊的微通道无氧铜热沉冷却的巴条激光器进行了流体动力学(CFD)分析。建立了条宽10 mm、腔长1.5 mm巴条芯片的流固耦合共轭传热模型,得到了不同流量水冷下激光器的热阻和压力损失曲线。分析了300 m L/min水流时,激光器的温度分布和冷却水的流动性能。实验条件下,测试了该微通道热沉封装的808 nm巴条激光器的热阻和压力损失。数值计算和实验测试所得的结果一致,在300 m L/min水流下,巴条热阻为0.38℃/W,在温度不高于70℃时可满足连续模式下90 W的散热要求。     

光学双稳态半导体激光器的理论分析

引入了正切函数作为非线性光－电流关系函数，借地速率方程，建立了光学双稳半导体激光器的理论模型。对器件本身进行了理论分析，讨论了器件的主要特性，给出了数值分析结果，提出了器件性能改进方法。     

用于Rb原子冷却系统的半导体激光放大(TPA)装置

报道了我们最近研制的780 13m半导体激光放大装置.激光放大管采用Eagleyard公司生产的(EYP-TPA-0780-01000)半导体锥形放大器,当输入的种子源激光功率为25 mW时,放大器输出的激光功率达600mW左右,该光束经过透镜整形,声光调制器频移,然后耦合到单模保偏光纤后,输出功率达110 mW.该激光放大装置可很好的用于高密度冷原子的俘获.     

半导体激光器光波准直特性研究

分析了半导体激光器光波经准直透镜的传输特性,对影响准直光束质量的主要因素作了深入讨论,并在实验上利用小口径大数值孔径透镜获得了高准确直度的光束。     

外腔式可调谐半导体激光器的光谱法求解

利用由射线法求得的光谱表达式，分析了外腔式半导体激光器的输出谱，并以此求得了普遍情况下阈值载流子密度的解析表达式，结合光谱表达式与载流子速率方程，求得了不同电流下腔内载流子密度与阈值的差值，从而可以不必诸光子数速度方程而获得外腔式半导体激光器的自洽解。     

利用光栅测半导体激光波长

依据光栅衍射原理,采用玻璃圆柱把半导体激光扩束成片光源,通过分光计测量激光光谱谱线的衍射角,测定半导体激光波长.这种方法操作简单实用,具有较高的测量精度.     

电泵浦有机半导体激光器的关键技术

采用高品质因子低损耗的光学微腔结构研制了电泵浦脉冲方式工作的有机激光器件。增益介质为Alq₃ : DCJTI薄膜,透明导电IVO薄膜和Al薄膜分别作为阳极和阴极。面发射的激光从阴极侧发出,峰值波长为622 nm,阈值电流密度为860 mA/cm²。讨论了电泵浦有机微腔激光器研制过程中的关键技术。     

A Micro Blue-violet Laser by Frequency Doubling of Semiconductor Laser

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｔｈｅｂｌｕｅ ｖｉｏｌｅｔｌａｓｅｒｉｓｕｓｅｄｉｎｍａｎｙｆｉｅｌｄｓｓｕｃｈａｓｏｐｔｉｃａｌｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎｓｔｏｒａｇｅ,ｏｐｔｉｃａｌｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ,ｄｉｓｐｌａｙ,ｅｔｃ..Ｉｔｃａｎｂｅｒｅａｌｉｚｅｄｆｒｏｍｆｒｅｑｕｅｎｃｙｄｏｕｂｌｉｎｇｏｆａｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ.Ｔｈｉｓｌｉｇｈｔｓｏｕｒｃｅｈａｓｔｈｅａｄｖａｎｔａｇｅｓｏｆａｌｌ ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ,ｃｏｍｐａｃｔｎｅｓｓ,…     

Study of Semiconductor Laser Diode with Circularly Symmetric Waveguide

A semiconductor laser diode with circularly symmetric waveguide is proposed, its property is studied by scalar finite-difference time-domain method (SFD-TDM). The results show coupling loss between the semiconductor laser diode and single mode fiber is reduced effectively, the minimum coupling loss is 0.7 dB.     

强反馈光纤光栅外腔半导体激光器

在理论上对强外腔反馈情形的半导体激光器线宽压窄效应进行了分析，对消反膜剩余反射率，外腔反射率，外腔腔长对线宽压缩的影响进行了研究，在实验上采用光纤光栅作为反馈元件，与一端镀有消反膜的１．５μｍ波段的常规多纵模交导体激光器耦合，构成强反馈光纤光栅外腔半导体激光器，得到单频窄线宽的激光输出，静态下边模抑制比大于３０ｄＢ，线宽小于１２０ｋＨｚ。