网页版快捷绘图程序辅助“二极管伏安特性研究”实验教学

二极管伏安特性研究实验是大学物理实验中的重要基础实验之一。测绘二极管的伏安特性曲线一般采用伏安法进行测量。在实验过程中，学生需要测量二极管两端的电压和流经二极管的电流，并用此来绘制二极管的伏安特性曲线。学生在实验过程中如果能够快捷绘图，以此来及时自检并发现测量数据的问题，对于提高“二极管伏安特性研究”实验的教学效率至关重要。我们采用JavaScript语言编写了快捷绘图程序，为学生提供了快捷网页绘图终端。学生在测量完数据后，通过手机浏览器进入绘图终端，输入测量数据，即可绘制电压和电流的关系曲线(U-I曲线)。“二极管伏安特性研究”实验教学过程中快捷网页绘图终端的引入，可以显著提高学生的学习效率和教师的授课效率。     

浅析黑箱实验中二极管阻值的变化

通过对欧姆表原理的分析，发现它相当于一个内电阻可变的电源，结合二极管的伏安特性曲线，可解释用欧姆表的不同量程测同一二极管得到的电阻值不同的问题．     

真空中聚乙烯膜在纳秒脉冲电压下的沿面闪络特性

 在高功率离子束二极管中，当利用阳极膜沿面闪络产生的等离子体作为离子束引出源时，其特性对产生离子束的大小和品质有着很大的影响，因此要深入研究阳极膜的沿面闪络特性。主要介绍了所研制的一套适用于沿面闪络特性研究的实验装置和测量诊断系统。对离子束二极管中使用的三种厚度聚乙烯薄膜在脉冲电压下的沿面闪络特性进行了实验研究，并对沿面闪络过程中薄膜表面的发光现象作了初步的诊断。     

光电二极管的特性的研究

本文通过对用光电转换综合测量仪所测出的光电二极管的特性的实验数据、特性曲线的讨论,验证了光电二极管的光照特性、伏安特性以及光谱特性。     

利用曲率法和Origin软件确定二极管截止电压

利用Origin软件进行绘制二极管伏安特性测量数据的高度拟合曲线,然后利用数学知识求取曲率最大值处的电压值,并根据二极管伏安特性测量数据,得出曲率法测二极管截止电压值,现证明此方法的可行性.     

基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究

基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试，采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明，肖特基接触的电流输运机理非常复杂，在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正，得到了很好的拟合曲线.试验表明，高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值. 关键词： 氮化镓 肖特基二极管 表面势垒减薄模型 热电子场发射     

利用霍尔电流传感器对“示波法显示稳压二极管伏安特性曲线”实验的改进

针对"示波法显示稳压二极管的伏安特性曲线"存在的问题,提出了改进方法。利用霍尔电流传感器解决原有电路在原理上的缺陷。模拟仿真和实验结果均显示,改进后的检测电路具有更好的示波显示效果和易调节性,可以更加准确的显示稳压二极管的伏安特性曲线。     

一个有意义的电学设计性物理实验

综合学生所做的几个电学实验，以“用示波器观察二极管伏安特性曲线”设计性实验为例，探讨如何提高学生综合运用所学知识和解决实际问题的能力．     

纳米硅/单晶硅异质结二极管的I-V特性

用纳米硅（nc_Si∶H）薄膜制成了纳米硅/单晶硅（nc_Si∶H/c_Si）异质结二极管，对nc_Si∶H/c_Si异质结的特性进行了研究，它具有很好的温度稳定性.温度从20℃上升到200℃ ，I_V曲线只有很小的漂移.对nc_Si∶H/c_Si异质结二极管的输运机理进行了讨论. 关键词： 异质结二极管 纳米硅薄膜 输运机理     

不同位置二极管串并联方式对射频电路的影响

分析了单支肖特基二极管以及串并联模拟预失真电路的幅度和相位的非线性特性,仿真结果表明可以将二极管作为模拟预失真电路可调节的核心器件。利用传输矩阵分析得出改变肖特基二极管在预失真电路的不同位置,及不同的串并联连接方式,可以使幅度相位补偿曲线得到改善。由仿真结果可以看出,在不同位置以串联或并联的形式在电路中连接二极管,可有效改变曲线的位置和斜率,从而得到理想的目标曲线形状。     

关于RLC电路谐振特性曲线的对称性问题

通过引入不对称因子δ从理论上讨论了ＲＬＣ谐振回路的谐振曲线相对于谐振频率的牟称性问题，计算表明，在低Ｑ值下谐振曲线是不对称的，为使整条曲线具的近似的对称特性，要求回路的Ｑ〉１００。     

非线性ZnO陶瓷的导电理论(Ⅱ)——导电模型的应用

对文献[1]中提出的导电模型进行了定量处理。该模型能解释ZnO压敏电阻的V-l曲线、C-V(偏压、DC)曲线、退化现象等。更重要的是它还能预言颗粒-颗粒结的显微结构参数、电性能参数对压敏电阻电性能的影响规律,为压敏电阻材料设计提供了理论依据。 关键词：     

铁高压熔化线的测量——熔化机理的影响

 铁的高压熔化线是高压物理和地球物理研究领域的一个重要课题。就目前的研究成果来看,存在一个公认的问题：静高压实验测得的熔化温度系统地低于来自动态加载实验的熔化数据——在核-幔边界压力下（330 GPa）,动压数据比静压数据高了近一倍（3 000 K）。从熔化相变的物理理论出发,对目前铁高压熔化线实验研究中的实验手段进行评述,并应用有关熔化相变理论的研究成果,对这一重要而未澄清的事实进行初步的探讨。结果表明：在目前铁高压熔化线的实验研究中,计及预熔化和冲击过热在静压和动压实验中对铁熔化温度的影响,可以得到相对自洽的实验结果。这一结果表明,地球核-幔边界压力下铁的熔化温度为3 850 K,外推可以得到铁在内核-外核边界压力下的熔化温度为6 000 K,核心压力下的熔化温度为6 300 K。这一结果还表明,地球液态外核的温度在3 500～5 100 K之间,与Anderson（1998）等推荐的数据一致。     

计算机模拟分立双谱线光源的杨氏双缝干涉

对分立双谱线光源的杨氏双缝干涉进行模拟,求解出不同线型和线宽时干涉条纹的可见度曲线、光强分布曲线和干涉图样,用直观的计算机图形说明了分立双谱线的线型和线宽对干涉条纹的影响．     

磁控溅射MO薄膜电阻率的原位研究

研究了磁控溅射Mo薄膜的电阻率与薄膜厚度的关系。对Mo薄膜的电阻率进行了原位测量,得到电阻率与薄膜厚度的实验曲线。经拟合计算得到Mo薄膜电阻率与薄膜厚度关系的理论曲线。将实验曲线与理论曲线比较,结果显示在薄膜厚度较大时,电阻率与薄膜厚度的关系与Fuchs-Sondheimer(F-S)理论基本符合,如果计入晶粒尺寸对电阻率的贡献则完全符合F-S理论。并得到Mo薄膜尚未形成连续性薄膜前的导电机制为热电子发射机制的结论。 关键词：     

用单管落球法探讨蓖麻油粘度随温度的变化

从单管落球法出发,以测出蓖麻油粘度随温度变化的大量实验数据为基础,采用SPSS统计软件中线性回归与曲线拟合的方法,选择最佳统计模型,找到了两者之间的实验曲线及拟合方程.     

分数维描述电表校正曲线的误差

本文通过对电表校正曲线的分析和研究，得出其变化的特征。采用分形理论里的分数维来描述校正曲线的变化规律，导出校正曲线的分数维误差表达式，该表达式全面地、准确地反映电表校正的误差信息。     

x3振荡器的周期的一种计算方法

用量纳分析的方法获得了ｘ＾３振荡器的周期，并通过数值计算出了ｘ－ｔ的关系曲线。     

干燥过程中物料收缩特性及其复水特性的实验研究

针对一些生物材料在干燥过程中会发生收缩这一特性,本文以市场上新鲜豌豆为研究对象,测得了该物料在不同干燥条件下的干燥曲线,收缩曲线,复水曲线,引入并求得了体积收缩系数。     

氢分子离子势能函数的修正

利用近似有心力场原子能量的计算方法修正氢分子离子的势能函数，重新计算了氢分子离子的势能数值，其理论曲线和实验曲线基本相符。