对Ⅱ类超导体混合态磁阻起因的重新认识

本指出常规和基于Ａｂｒｉｋｏｓｏｖ涡旋理论所提出的关于Ⅱ类超导体混合态磁阻起因的解释存在着某些不足之外，特别对新发现的高温氧化物超导体，该解释同实验有明显地冲突。为描述Ⅱ类超导体混合态磁阻，我们认为最好的理论基础是约瑟夫逊相滑移理论。本就此进行讨论并试图说明在此基础上可以导出常规的关于Ⅱ类超导体混合态磁阻的表达式。     

超巨磁阻测辐射热仪

基于超巨磁阻(CMR)材料在金属-绝缘体(M-I)转变点附近的巨大电阻变化,设计并测试了一种新型超巨磁阻测辐射热仪(CMR bolometer).用外延法生长的La_0.67Ca_0.33MnO₃ 薄膜作为测辐射热仪的辐射敏感元件,测量了该器件对黑体和He-Ne激光器的光学响应.所测的信号、噪声都随调制频率的上升而下降,但对于He-Ne激光源,它的信噪比却没有明显的改变.测量了薄膜铁磁金属态和顺磁绝缘态的信号-温度关系,最强的信号出现在靠近M- 关键词： 超巨磁阻     

磁阻效应实验曲线拐点的确定

在磁阻效应实验中,相对磁阻变化曲线的非线性和线性部分的拐点是人为判断的,具有较大的不确定性.本文采用循环迭代的方法,在假定拐点的情况下,精确的确定拐点,使得实验曲线的非线性部分和线性部分能够同时得到最大程度的拟合。     

Substantial Enhancements of Low—Field Magnetoresistance at Temperatures near 77K with Doping 4% Cu at Mn Sites of La2.3Ca1／3MnO3 Synthesized at 1000℃

We report on investigations of magnetoresistance (MR) in polycrystalline La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0 and 4%)samples prepared by the sol-gel method followed a sintering treatment at 1000℃.For the x=4% sample,the most remarkable MR effect appears at temperatures near 77K and for magnetic fields lower than 1T.For fields-0.3T and at temperatures-77K,the x=4% sample exhibits a giant MR effect with MR0(≡Δρ/ρ(H=0))between-50and-70%,comparable to the so-called colossal MR response observed in the x=0 sample for the 3T field.     

Correction to the Metal—Insulator Transition Temperature due to Cation Size and Strain Effects for Colossal Magnetoresistance Perovskites

A phenomenological expression of the metal-insulator transition temperature is proposed for AMnO3 manganese perovskites by taking into account the distortion of the Mn-O-Mn bond due to A-cation size and the strain-dependent effect due to performed Jahn-Teller distortions ,independently.Using reasonable physical parameters ,the calculated results give excellent agreement with experimental data obtained in polycrystalline samples of La2/3(Ca1-xBax)1/3 MnO3,providing a strong support to this approach.     

L12／3Ca1／3MnOz薄膜中的巨磁阻效应

采用直流磁控溅射法在ＺｒＯ２衬底上首次成功地制备了Ｌａ２／３Ｃａ１／３ＭｎＯｚ薄膜，Ｘ－射线衍射结果表明该膜具有良好的择优取向，并首次观察到十分明显的巨磁阻效应，在６个特斯拉磁场下，室温时的磁阻比为６％，而７８度Ｋ时竟高达２５００％，中还对磁阻比的磁场关系作了简单的讨论     

添加Ag的Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜研究

本文研究了Ag的添加对超大磁阻材料Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜磁电特性的影响。通过对相同条件下制备的Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜和添加Ag的Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜的测量，着重比较了电阻温度系数（TCR）和磁电阻（MR）的变化。所制备的添加Ag的Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜经过高温退火处理后，在1Tesla下得到较高的磁电阻MR值，其电阻温度系数TCR也大为增加。     

晶界效应对钙钛矿La_(0.7)Ba_(0.3)MnO_3多晶材料的磁输运特性的影响(英文)

本文通过比较La0.7Ba0.3MnO3多晶和外延薄膜样品磁输运行为之间的差异,讨论了晶界对多晶样品输运特性的影响,并计算了晶界电阻率随温度和磁场的变化关系.与晶粒的本征电阻率相比,晶界的电阻率要大一个量级,并且其金属-绝缘转变温度低约50K.此外,在晶界中观察到了新奇的正磁阻效应.我们认为,晶界在其转变温度附近出现了相分离现象,并形成铁磁金属渗流通道.由于晶界的特殊构型,Ba掺杂锰氧化物材料中大的磁致伸缩效应对其输运行为影响很大,导致了晶界中正磁阻现象的出现.     

La1-xAgxMnO3和La1-xNaxMnO3的对比研究

本文研究了La1-xNaxMnO3和La1-xAgxMnO3结构、磁性、电输运等.特别是研究了La0.8Na0.2MnO3的内耗特性.XRD研究发现La1-xNaxMnO3和La1-xAgxMnO3的结构均为R3C,但是不同的是对于La1-xAgxMnO3,当x>0.25时有Ag单质吸出.从磁化强度随温度的变化看出所有的样品都在室温或室温以上有顺磁到铁磁的转变,而且随着掺杂量的增加,居里温度也在增加.电输运研究发现对于La1-xNaxMnO3,x=0.15的电阻率最小,随掺杂量增大电阻率增大;x≥0.15的样品中存在电阻双峰.而对于La1-xAgxMnO3电阻率随掺杂量增加而减小;x<0.2的样品中存在电阻双峰.在La0.8Na0.2MnO3的内耗测量中发现了具有相变峰特征的内耗双峰.我们认为这种电阻双峰和内耗双峰来源于样品中存在A位空位,导致了样品中存在电子相和磁相的不均匀,即相分离.就是在样品存在着铁磁相和反铁磁相共存.     

La0.95K0.05MnO3的低频内耗研究

本文研究了样品La0.95K0.05MnO3的内耗、直流电阻、交流磁化率.发现在20～275K的温度范围内,在0.3T的磁场下有明显的磁阻(MR)效应,温度为259K时MR效应达到极大值26%.在直流电阻测量中发现267K时出现很尖锐的电阻峰;在220K附近出现"肩峰".内耗温度曲线在210K～250K的温度范围有一个很宽的内耗峰;在268K有一个很明显的内耗蜂同时伴随着模量软化,并且由Kissinger关系求出顺磁-铁磁转变的表观激活能Eap=0.53eV(请说明通过什么公式求出什么东西的活化能).     

Sr2RuO4超导转变温度附近c方向磁阻行为研究

测量了Sr2RuO4正常态和超导转变温度附近(T=1.5K,4.0K,6K)c方向的磁阻,通过对正常态磁阻分析获得了Sr2RuO4在温度4K和6K下的平均自由程.通过超导涨落分析获得了Sr2RuO4的超导特性参数ξab(0)和ξc(0).     

He+辐照对Ga0.94Mn0.06As薄膜铁磁性的改善

离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He⁺ 辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜,可以较方便的调制Ga_0.94Mn_0.06As 薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的铁磁性, 可以通过He⁺的辐照来得到改善,其结果是Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的矫顽力可以增加3倍多. 当He⁺辐照流强增加时, 居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了. 被辐照的Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的电学性质和结构特征显示, He⁺辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性, 其结果源于He⁺辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿, 而不是He⁺辐照改变了Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的结构.     

位移传感器演示装置的制作

通过自制的位移传感器演示装置可以对霍尔磁阻效应、 一种小位移测量传感器原理和方法进行演示和 探究. 在课堂教学、 课程设计等场合,直观显示霍尔元件的各种效应和技术应用, 有着良好的教学效果     

Sr2RuO4正常态的c方向的磁阻的研究

研究了典型的层状钙钛矿结构超导单晶Sr₂RuO₄在c方向的磁阻(Δρ/ρ₀)(H∥ab,J∥c)的变化.实验发现,磁阻表现出强烈的各向异性,并且随着温度T的降低,磁阻效应越明显;当在平面ab内旋转磁场H的方向时,磁阻成周期性变化;实验表明,磁场沿(110)方向时,出现磁阻的极大值.分别从Sr₂RuO₄的费米面的各向异性、载流子散射率、c方向能带色散的各向异性等方面来解释这些输运性质. 关键词： 2RuO₄')" href="#">Sr₂RuO₄ 磁阻     

Sr_2RuO_4正常态的c方向的磁阻的研究

研究了典型的层状钙钛矿结构超导单晶Sr2RuO4在c方向的磁阻(Δρ/ρ0)(H∥ab,J∥c)的变化.实验发现,磁阻表现出强烈的各向异性,并且随着温度T的降低,磁阻效应越明显;当在平面ab内旋转磁场H的方向时,磁阻成周期性变化;实验表明,磁场沿(110)方向时,出现磁阻的极大值.分别从Sr2RuO4的费米面的各向异性、载流子散射率、c方向能带色散的各向异性等方面来解释这些输运性质.     

Pb0.50Sr0.75Y0.70Ca0.25Cu1.70Oy单晶的磁阻研究

对低掺杂区非超导的Pb_(6.56)Sr_(?)Y_(?)Ca_(?)Cu_(?)O_y单晶样品进行了电阻和磁阻的测量,发现在低温下电阻温度关系遵从变程跳跃传导的R=R_(?)exp[(T_(?)/T)~(?)]的变化规律,这说明该样品处于强局域化区域.在低温下的磁阻为负并有明显的各向异性,这表明这类体系的磁阻主要来自于轨道效应的贡献,并且可能受到自旋-轨道散射的影响. 关键词：     

Anderson S—D混合效应与低温杂质电阻及Magnetoresistance

本文利用Ａｎｄｅｒｓｏｎ ｓ－ｄ混合模型，在磁解与非磁解情况下，研究了ｓ－ｄ混合效应对低温杂质电阻的贡献及Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ。     

Magnetic Properties and Magnetoresistance Effect of YMn6 Sn6—x Crx （x=0—0.8） Compounds

The magnetic properties and magnetoresistance effect of YMn6Sn6-x Crx(x=0-0.8) compounds have been experimentally studied by magnetic properties and resistivity measurements in the applied field range 0-5T.The compound (x=0.8) displays a ferromagnetic behaviour,while the compounds (x=0-0.4) display an antiferromagnetic behaviour in the whole ordering temperature range.The compounds(x=0.5,0.6) experienced a transition from an antiferromagnetic state to a ferromagnetic state with increasing temperature.The compound with x=0.8 is rapidly saturated in the lower magnetic field with saturation magnetization of 35.92emu/g.The compounds(x=0-0.6) display a field-induced metamagnetic transition,and the threshold fields decrease with increasing Cr content.The cell-volume V of compounds(x=0-0.8) increases,and the ordering temperature decreases with the increasing Cr content.A large magnetoresistance effect was observed for the compounds (x=0.4,0.5),and the maximum absolute value at 5K are 32% and 24% under 5T for x=0.4 and x=0.5,respectively.     

磁阻传感器测量地磁场实验教学体会

简要介绍了磁阻传感器的结构和工作原理,解释了标定磁场在地磁场测量中的作用。在此基础上,进一步分析了在不同磁场下磁阻传感器管脚如何调整方向以及在地磁场测量中如何找到地磁子午面等问题,通过具体的操作使学生对磁阻传感器测量地磁场实验的理解能够更加深入。     

薄膜Pt电阻温度计的标定及低温磁阻

本对薄膜铂电阻温度计一４．５Ｋ－２５０Ｋ温区及０－５Ｔ纵向磁场下的进行标定，并对其在Ｔ〈５０Ｋ的磁阻效应进行了讨论。实验曲线细致光滑，实验数据表明它在低温下仍有一定测温灵敏度，如在１０Ｋ时每度仍有十几微伏的变化。