Y1—xPrxBa2Cu3O7—y体系超导性的流动Opσ空穴局域机制

基于刘提出的新的超导机制及Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系流动ＯＰσ空穴局域机制，本第一次给出Ｔｃ对ｘ的理论曲线，和Ｔ－０Ｋ能隙对Ｔｃ依赖关系，结果表明流动ＯＰσ空穴局域机制比对破缺机制，空穴填充机制及空穴填充对破缺联合机制都好。     

常态下Pr掺杂Y—Ba—Cu—O薄膜的激光响应研究

本文对倾斜基片上生长的ＹＢａＣｕＯ薄膜在不同膜厚和多种浓度Ｐｒ掺杂条件下的激光响应进行了研究．这种现象的根源是薄膜层状结构造成的热电系数张量各向异性．与未掺杂ＹＢａＣｕＯ薄膜的激光响应相比，掺Ｐｒ使薄膜的激光响应幅度显著提高，并且仍具有较好的能量线性响应和时间响应．掺Ｐｒ２０％，效应最明显；掺Ｐｒ５０％时，效应则显著降低．本文认为，由于Ｐｒ掺杂使ＣｕＯ面载流子浓度降低从而显著增强声子曳引作用是导致ＹＢａＣｕＯ薄膜ＣｕＯ面热电系数增大及其激光响应幅度提高的主要原因     

氧有序与YBa2Cu3Oy的比热反常

ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ多晶样品正交Ⅱ区域内的差分比热，样品的氧含量分别为ｙ＝６．７３，６．６６，６．６５和６．５７。比热反常峰值和峰所对应的温度均随氧含量的降低而降低。对于ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．５７样品，其比热反常幅度虽小但仍可分辨出来，说明体超导仍存在于该组份（６０Ｋ超导体）。实验结果表明，Ｃｕ－Ｏ链层的氧有序是与９０Ｋ体超导和６０Ｋ体超导相关的。Ｃｕ－Ｏ２面的完整对保持体超导至关重要。     

Pr掺杂对Y1—xPrxBa2Cu3O7—δ体系的自旋能隙的影响

Ｙ１－ｘＰｒｘＣｕ３Ｏ７－δ系列样品，在ｘ＝０时，Ｔｃ－９０Ｋ，电阻率ρ随温度线性变化，ｘ＝０．１，０．３，０．４，０．４５时，电阻率ρ分别在１４０Ｋ，１７５Ｋ，１８５Ｋ，１９５Ｋ以下温区，向下偏离线性，出现自旋能隙打开现象。     

Y1—xPrxBa2Cu3O7—δ体系的内耗研究

本文系统地研究了Ｐｒ掺杂在Ｙ位对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体内耗的影响，随Ｐｒ对Ｙ的掺杂量增加，１１０Ｋ内耗峰逐渐减小，而８７Ｋ附近的内耗峰基本不变，因Ｐｒ的掺入主要引起电子结构的变化，１１０Ｋ附近内耗峰应的电子结构有关，而和ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的附近的９０超导转变无直接的联系。     

Y1—xPrxBa2Cu3O7系统的低温电子比热的研究

我们对Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７（Ｘ＝０．２，０．４５，０．６）样品的比热进行研究，发现在这个系统中比热线性项系数非常，呈现出重费米子的特下，并且不同温区其数值亦不同，比热的结果表明Ｐｒ离子在这个系统中基本上处于＋３价，对实验数据进行了仔细分析，我们认为比热线性项增大是源于Ｐｒ离子掺入后这个系统中出现了Ｋｏｎｄｏ效应以及由此而产生的空穴局态，也正是局域态的出现，导致了金属绝缘体转变，同时导致了     

YBa2Cu3Oy中氧缺位的磁通钉扎效应

制备了一组不同氧含量（Ｔｃｍｉｄ〉９０Ｋ）的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ单相多晶样品。对其结构、超导电性和磁通钉扎行为的观测结果表明：氧缺位导致临界电流密度Ｊｃ和钉扎力密度Ｆｐ同时增加，存在一最佳的氧缺位浓度，可使Ｊｃ和Ｆｐ有最大程度最高。与氧含量ｙ＝６．９６和６．８３时的情况不同，对ｙ＝６．９４和６．８６的样品，其Ｊｃ随磁场Ｈ非单调变化，Ｍ－Ｈ曲线上呈现“鱼尾效应“。用标度律作拟合发现，当６．８３≤ｙ≤６     

影响熔融织构生长YBa2Cu3Oy样品Jc因素的研究

制备了具有中等 J_c 的部分熔融织构生长的 YBa_2Cu_3O_y 超导体(MTG-YBCO);用 X 光、SEM 检测了样品的微结构;测量了样品磁化强度与温度及外场的关系.把这些结果与有很高J_c 的 MTG-YBCO 及很低 J_c 的 S-YBCO(即烧结 YBa_2Cu_3O_y)作比较后使我们相信,MTG-YBCO 样品具有高 J_c 与这种样品中大量弱连接品质的改善或消除有关。     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．     

借助于PrBa2Cu3O7的红外光谱讨论Pr在体系中的价态

本报道了陶瓷和薄膜ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７材料的红外和远红外反射谱，从陶恣和薄膜样品的声子谱的比较中萃取ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７材料沿着ｃ轴振动的Ｂｌｕ模分别位于１１０，１５８，１９４，２０２，３９５，５８０ｃｍ＾－１，ＰｒＢａ２Ｃｕ３）７和ＹＢＣ３Ｏ７－δ有类似的晶体结构，分析和比较这两种材料的声子谱，尤其是沿着ｃ轴振动的Ｂｌｕ模，我们认为Ｐｒ的Ｂｌｕ模位于１９４ｃｍ＾－１，并由此而建议从红外测试结果     

Pb(Zr0.6Ti0.4)O3/YBa2Cu3O7-x双层结构的制备及其特性的研究

我们通过脉冲激光淀积的方法在Ｙ－ＺｒＯ２衬底上原位生长了Ｐｂ（Ｚｒ０．６Ｔｉ０．４）Ｏ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ双层薄膜,在此样品上利用电子探针分析了成分,Ｘ衍射谱证实了两层薄膜为单取向生长,对Ｐｂ（Ｚｒ０．６Ｔｉ０．４）Ｏ３薄膜的铁电性质进行了测试,得到了典型的电滞回线,并对介电常数和损耗角正切值随频率变化进行了测量。     

Al替代含量对YBa2Cu3Oy体系局域电子密度和超导电特性的影响

研究了Ａｌ作铜位元素替代时ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ体系局域电子密度的变化，发现了存在于正交－四方相变区域附近的异常特征，利用电子弱局域化理论对实验结果给予了初步解释，讨论了这种电子弱局域化效应对超导电特性的影响。     

RBa2Cu3O7—x（R=Y,Yb）形成过程的差异及单相YbBa2Cu3O7—x超导体的…

本文通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热分析（ＤＴＡ）和超导电性测量等手段对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙ－１２３）和ＹｂＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙｂ－１２３）相的形成，单相Ｙｂ－１２３超导体的制备，单相Ｙ－１２３超导体的最低形成温度及Ｒ－１２３相的熔点与Ｒ离子半径的关系进行了研究。结果表明Ｙ－１２３和Ｙｂ－１２３相形成过程显著不同，Ｙ－１２３主要通过下一化学反应生成：Ｙ２Ｏ３＋４ＢａＣＯ３＋６ＣｕＯ＋１－２     

WO3掺杂在淬火YBa2Cu3O7—x超导体的作用

同样经过空气９００℃至室温淬火，纯ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ不超导，而适量掺ＷＯ３的ＹＢＣＯ却可以在８８Ｋ以上显示超导电性，更为奇妙的是，Ｗ并没有进入ＹＢＣＯ晶格。为弄清后超导电性蝗原因，本对经过以上条件淬火的纯ＹＣＢＯ及掺３ｗｔ／ＷＯ３的试样进行了一系列研究，并对比研究相同条件下烧结但在氧气氛中慢冷却的样品。     

YBa2Cu3O7—δ中Cu—O伸缩振动的红外吸收峰

测量了ｃ轴高度定向的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高Ｔｃ超导薄膜经３００～７５０℃退火后的红外反射光谱和不同掺Ｚｎ量的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＺｎｘＯ７－δ块状材料的红外吸收光谱。根据这些光谱中Ｃｕ－Ｏ吸收峰的变化，证实了在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ体系的红外光谱中，６３０ｃｍ＾－１、５９０ｃｍ＾－１、和５５０ｃｍ＾－１三个吸收峰分别对应的Ｃｕ－Ｏ伸缩振动膜，以及与氧缺位的关系。并讨论了二维电子气屏蔽对吸收峰的影响     

4单元YBa2Cu3O7薄膜超导微带天线阵列的研究

本文用并矢格林函数—矩量法设计并制作了２×２四单元ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导微带天线阵列．设计频率为７．８８ＧＨｚ．实验结果表明，天线阵匹配良好，超导天线阵的工作频率，Ｅ平面方向图及其相对于Ａｇ天线阵的增益改善与理论计算值一致．