提高发光二极管(LED)外量子效率的途径

发光二极管的内量子效率与外量子效率之间存在巨大的差距,主要介绍了提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,包括生长分布布喇格反射层(DBR)技术,将射向衬底的光反射回表面;制作透明衬底(TS)取代原有的GaAs衬底;改变LED几何外形来缩短光在LED内部反射的路程以及限制全反射现象的表面粗化技术。对比了每种方法的发展过程及效率。     

湿法表面粗化提高倒装AlGaInP LED外量子效率

介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同Al组分(AlxGa1-x)0.5In0.5P的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光LED进行表面粗化的方法。通过向粗化层GaInP加入适量的Al,在Al组分为0.4时,利用体积比为1∶10的HCl∶H3PO4可以得到横向尺寸约为60nm,纵向尺寸约为150nm的最有利于出光的类三角圆锥型表面结构。器件测试结果表明,在20mA注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80%。     

提高LED外量子效率

提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点.简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(IED)外量子效率的几种途径,生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等.此外还介绍了发光材料、能带结构以及工艺对外量子效率的影响.     

表面粗化提高红光LED的光提取效率

介绍了通过出光表面粗糙化来减少全反射的方法,实验中使用化学湿法腐蚀的技术获得预计的粗糙形貌,结果给出不同参数下的光强和光辐射功率比较,器件的外量子效率得到了约29%的提高。从理论和测试结果两方面阐述了表面粗糙化对提高红光LED外量子效率的机理。     

ZC系列：LED封装

首尔半导体推出板上芯片直装式（COB）直流LED封装ZC系列。该系列基于高亮度及大功率照明光源的首尔半导体Z—Power LED封装研发而成,能够降低热阻,从而显著延长LED照明的使用寿命。     

从室内照明发展趋势论LED技术提升的关键

随着LED流明效率的不断上升,它在照明领域的应用也越来越广泛.其中LED室内照明是增长最快的领域之一.论述了目前国内外室内照明的四大主要发展趋势:节能化、功能多样化、柔性化和环保化.在此基础上,从LED芯片、LED封装到LED灯具等几个方面阐述了适合室内照明发展的LED技术需要提升的几要素.     

ITO掩膜干法粗化GaP提高红光LED的提取效率

采用氧化铟锡(ITO)颗粒掩膜,经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后制作了表面粗化的红光发光二极管(LED),并且研究了ITO腐蚀时间对粗化表面形貌的影响。测试结果表明,当粗化颗粒的大小为200～500 nm、腐蚀深度约200～400 nm时,能使制作的表面粗化红光LED在20 mA注入电流下光提取效率提高30%以上。并且,表面粗化不会影响LED的发光强度角度分布。     

表面粗化提高绿光LED的光提取效率

介绍了通过出光表面粗化减少全反射的方法。理论计算了以腐蚀坑为三角坑的最优尺寸。实验使用熔融KOH腐蚀绿光LED外延片获得预计的粗糙形貌,再通过常规工艺制成器件,结果给出不同表面做成器件的光强。实验证明经过表面粗化处理的器件,外量子效率提高了约25.7%。     

表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模拟

影响GaN基LED的外量子效率低下的主要因素是光子在半导体和空气界面处的全反射.根据实际芯片建立LED模型,利用蒙特卡罗方法进行光线追迹模拟,分析了光子的主要损耗对出光效率的影响.计算不同的表面粗化微元,微元尺寸及微元底角对LED光提取效率的影响;比较不同微元形成的光场分布.模拟显示:所设计最佳的表面粗化结构在理想状况下可以提高光提取效率3倍以上.     

一种LED环形照明的设计方法

简要介绍了环形照明的原理。阐述了环形照明光源颜色及角度选择的方法。并设计了用于半导体芯片检测的环形光源,进行了理论计算,给出了设计模型。     

利用湿法腐蚀提高红光LED外延片的发光效率

采用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行了表面粗化处理。研究了粗化温度、粗化时间对LED外延片表面形貌的影响,并利用原子力显微镜(AFM)、半导体芯片自动测试系统对LED器件的相关性能(形貌、I-V特性曲线、亮度和主波长)进行了表征。比较了粗化前后的LED亮度和电流特性变化。测试结果表明:利用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行表面粗化可以有效地抑制光在通过LED表面与空气接触界面时产生的全反射,得到性能更好的器件。实验结果显示,采用熔融态KOH,在粗化温度为200℃、粗化时间为8min时,能使制作的红光LED外延片发光效率提高30%。     

InP基环形波导激光器的研究与进展

光子集成作为未来全光网络发展的必然趋势,是实现高速光通信的重要解决方案。正如硅基集成电路的发展历程一样,找到一种类似晶体管的基本集成单元,并实现光子集成的大多数功能是目前光子集成技术中最迫切的问题。近年来,由于半导体环形谐振器的功能多样性和可集成性,使其最有可能成为光子集成的基本单元,因而成为集成光子学、光通信和光信息处理领域的研究热点。文章在介绍半导体环形激光器工作原理和基本特性的基础上,总结了InP基环形波导激光器在集成光源及光信息处理方面的应用和最新进展。     

半导体激光器的进展

本文介绍了近年来国际上半导体激光器的发展概况,包括激光器的新型结构及各种新功能激光器,并述及了它们的有关应用。     

Calculation and Improvement on External Quantum Efficiency of OLEDs

The calculation of the external quantum efficiency （ηext） of organic light-emitting devices （OLEDs） is presented theoretically. The basic idea is to obtain ηext by calculating the fraction of the generated light that can escape through the top surface and the average transmittance over the escape cone. During the calculation, the effects of the interference, absorption and multiple reflections are neglected. Then a result of a typical 8-tris-hydroxyquinoline aluminum（Alq3）-based OLEDs on a planar glass substrate is obtained. And a twice increase in ηext, can be achieved by using a high-index-glass substrate with an antireflection coating（SiO2） on substrate surface.     

GaN基发光二极管外量子效率研究进展

近年来,GaN基发光二极管发展迅猛,但其发光效率一直是制约LED在照明领域广泛应用的主要瓶颈。本文简要介绍了提高发光二极管外量子效率的几种途径：生长分布布喇格反射层（DBR）结构,表面粗化技术,异性芯片技术,采用光子晶体结构,倒装芯片技术,激光剥离技术,透明衬底技术等。     

60GHz毫米波ROF系统的光源研究

提出了把通过注入锁定方法得到的FP单模输出光源应用到60GHz毫米波ROF系统中的方法.通过利用窄带放大自发辐射(ASE)光源插入FP半导体激光器以实现波长锁定,改变FP激光器的多模输出,得到单模输出的廉价光源的方法,成功地为ROF系统的基站提供了激光器.     

关于LED新发展的探讨

LED作为第四代光源,是目前公认的"绿色光源".该文结合LED光源的基本发光原理、主要优点,说明其在照明、显示、背光等领域的应用及发展.此外,该文也指出了LED光源在应用中的不足之处,最后对LED的现状和前景进行了总结和展望.