双极晶体管hFE和BV_(ceo)工艺可控性的研究

本文对双极晶体管制作中如何有效地控制好h_(FE)和BV_(c60) 的条件作了较详细的工艺实验,并导出其必要条件为Δσ_i°≥Δσ_i,然后通过扩散规律及器件结构功能的分析,探讨提高h_(FE)和BV_(c60)工艺可控性的工艺方法与控制途径。     

高反压管BV_(CBO)击穿特性发辉现象的机理分析与解决

通过对某型高反压管ＢＶcbo 击穿特性发辉现象实验对比分析和物理机理的研究,找出了产生此现象的直接原因,进而对晶体管安全工作方面的实验和研究提出了解决发辉现象的措施及测试ＢＶcbo单结特性时应注意的问题。     

用示波器兼作晶体管图示仪

用普通的示波器和简单的附加装置就可直接用来观测晶体管的特性曲线,现介绍这种简单的晶体管图示仪制作方法,供初学者参考。工作原理:晶体管的特性曲线是在一定的基极电流下,Ic随Uc变化所显示的曲线。为了用示波器来显示这一特性曲线,要设法做到:1.示波器上的光点沿水平方向的运动幅度与被测管的Uce大小成正比。2.光点沿垂直方向的运动幅度与被测     

管芯磷处理工艺与BV_(CEO)异常特性曲线机理的探讨

一、前言 国内大多数生产厂,在双极型器件生产中都采用了三氯氧磷合金工艺,多年来稳定用于生产,它在改善击穿,减小反向,提高器件成品率和稳定性上起了重要作用,磷硅玻璃(PSG)对钠离子具有较强的提取、聚集和阻挡作用,是一种有效的钝化薄膜,生长PSG的方法有多种,磷蒸气合金中所用到的是在低温下(500℃左右)在没有铝层的SiO_2上,淀积一层P_2O_5形成PSG钝化层。     

JT-1型晶体管特性图示仪(下)

(四)集电极扫描电源(图6)集电极扫描电源系直接采用50赫市电,由调压变压器B_(501)馈送至集电极扫描电源变压器B_(502)初级绕组,使输入电压由0～110伏范围内进行调节.在次级绕组上二组硅二极管全波整流器所输出的100赫脉动波峰值电压具有0～20伏及0～200伏的可调范围(电流容量在20伏时平均值为10安,瞬时值为20安;200     

JT-1型晶体管特性图示仪(上)

JT-1型晶体管特性图示仪是一种能在示波管荧光屏上直接观察PNP或NPN型晶体管的各种特性曲线族的专用仪器.通过面板上控制开关的转换,就可以任意测定共基极或共发射极的输入、输出特性、过荷特性以及反向电流L_(c0)等特性曲线.利用荧光屏前标尺刻度,可直接读测其电流电压值,并可通过摄影装置,将特性曲线连同标尺刻度一起拍摄下来,以备对晶体管的参量研究分析使用.若需要对晶体管作性能比     

BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT

在12 5 m m标准CMOS工艺线上,对标准CMOS工艺经过一些必要的改动后,研制出了多叉指功率Si GeHBT.该器件的BVCBO为2 3V .在较大IC范围内,电流增益均非常稳定.在直流工作点IC=4 0 m A ,VCE=8V测得f T为7GHz,表现出较大的电流处理能力.在B类连续波条件下,工作频率为3GHz时,测得输出功率为31d Bm,Gp 为10 d B,且PAE为33.3% .测试结果表明,单片成品率达到了85 % ,意味着该研究结果已达到产业化水平.     

用PC机实现晶体管特性图示仪

文章利用ＩＢＭ－ＰＣ／ＸＴ微机及一些硬件电路构成三极管测试系统，文中着重介绍了阶梯信号的产生，压控电流源及信号采集等硬件电路。     

测试BV_(EBO)的简便方法

在试制、生产晶体三极管过程中,或者晶体三极管在使用之前,一般都要测其BV_(EBO)特性.按BV_(EBO)的定义,以npn管为例,其测试原理图如图1所示.待测晶体三极管的基极(B)接负电位,其发射极(E)按正电位.使用JT-1或QT-2等仪器仪表进行测试,为叙述方便,我们称此法为“定义法”.不过,在实践中更为广泛应用的一种测试方法如图2(图2～7测试原理图仅标出三极管各电极所接电位的极性,其余部分同图1)所示,其待测三极管的C极(集电极)按负电位,三极管的E极接正电位,使用JT-1等仪器进行测试.我们规定此法为“通用法”.     

场效应晶体管与模拟晶体管(静电感应晶体管)

业已指出,普通场效应晶体管之所以表现出饱和特性,其原因是:随着漏电压的增加,在接近夹断电压时由于沟道串联电阻显著增大而提高了负反馈效应,此时表观跨导G′_m=G_m/(1 r_s·G_m)变为G′_m(?)r_s~(-1)。还指出,1950年Watonabe(渡边)和Nishizawa(西泽)发表的模拟真空型晶体管只有在内部负反馈作用小到G′_m(?)G_m时才呈现出不饱和的“立起的”特性。在这种情况下,当沟道尚未夹断时,特性是欧姆型的,晶体管可以作为一个良好的可变电阻;而当沟道已经夹断时,由于漏的静电感应,器件呈现出类似于真空三极管的“立起的”特性。因为这种晶体管的输出特性和输入特性一样,是以静电感应为基础的,它和真空三极管相类似,被称为“静电感应晶体管”。与肖克莱预言的“模拟晶体管”遵循空间电荷导电规律恰好相反,静电感应晶体管具有指数特性。业已确认,这种静电感应晶体管具有低噪声、低失真和大功率能力,并且已经作出大功率晶体管(8兆赫,2千瓦),高频晶体管(超高频几瓦)以及高速可变电阻器,正在制作微波晶体管、超高速集成电路以及可变电阻器。     

意法半导体(ST)推出开关电源用PowerMESH绝缘栅双极晶体管

意法半导体日前推出一系列PowerMESH绝缘栅双极晶体管,新系列产品为家电电机控制、功率因数校正和电磁加热应用专门设计。V系列绝缘栅双极晶体管采用一项与载流子寿命控制相关的带状布局专利技术,这项技术能够改进器件的集电极-发射极饱和电压特性,同时还能够降低开关损耗,从而使个系列产品适合高达50KHz的开关应用。STGP20NC60V和STGW20NC60V都是30A,600V N沟道器件,采用TO-220或TO-247封装。为避免交叉传导现象,降低栅电荷,这两个产品优化了Crss/Ciss比例。它们的开关损耗包括尾电流和二极管恢复能量。STGW20NC60VD是一个…     

用离子注入法研制超高频晶体管

日本东芝公司最近用离子注入法研制了超高频晶体管,对硅晶体管一开始就达到工作频率6千兆赫(截止频率十几千兆赫)。这种新技术,根据用质子照射来加速扩散杂质的方案,它此过去的热扩散法和东芝公司以前所发明的 IBT 法在性能上有大幅度的改善。这次发明的晶体管制造方法,共着眼点以晶体内部的改善为目的,为此,曾用40万电     

晶体管电路设计(四)

四、晶体管变频电路关于晶体管变频特性的分析可以采用分析放大特性一样的方法,直接引进一组变频参数,通过这些参数的测量就可以象计算放大电路一样来计算变频增益等;也可以根据晶体管的非线性特性导出一个变频等效电路,再利用它来进行分析计算;而更为直观一些的方法,则可以把晶体管变频电路的作用分成两步来进行分析.首先求出接收信号和本地振荡信号通过晶体管非线性输入阻抗的混频作用,产生了中频     

晶体管电路设计(五)

五、晶体管正弦振荡电路电路中的振荡是一个非线性的过程,它的分析和设计通常都采用近似的方法.线性近似则是最为简单而常用的分析方法,这种方法对于分析振荡过程的起振条件、振荡频率和频率稳定性等都可以获得足够好的结果.但对于电路的振荡强度、工作状态等就无法解决了.因此这种近似方法对于实际电路的设计往往是不够的.下面我们就介绍一种比较实用的同设计     

晶体管电路设计(三)

三、宽频带放大器放大脉冲和其他非正弦视频信号时都需要采用宽频带放大器.利用晶体管做放大器时在高频段放大倍数的跌落不仅是由于分布电容的影响,还必须考虑到所用晶体管的截止频率.改善放大电路高频响应的方法和电子管电路一样,可以采用补偿和负反馈两种方法,只是由于晶体管的参数较复杂,使电路设计显得繁一些而已.下面我们仅就电感补偿电路的计算作一介绍,关于负反馈电路的设计可参阅有关文献.     

晶体管电路设计(一)

一、阻客耦台放大电路阻容耦合放大电路是最基本的放大电路,常用的电路形式如图1所示,关于这种电路的电流增益、频率响应和温度稳定性等在前一讲座中已有讨论,下面将进一步讨论如何根据实际要求来确定参数和工作状态,从而计算出电路元件的数值.     

晶体管电路设计(六)

晶体管在脉冲电路中应用时总是要利用到它的特性曲线的整个区域——饱和区、工作(放大)区和截止区.这时晶体管就应该看成是一个强非线性的元件,电路中脉冲振荡过程的分析比较复杂,通常我们都采用分区线性化的方法来进行设计和分析.当晶体管外在饱和状态或是截止状态时,它并不具有放大特性     

晶体管电路设计(二)

二、晶体管调谐放大器的设计由于晶体管有内部反馈,因此在作为调谐放大器运用时就会引起电路的自激振荡、谐振曲线的畸变以及输入、输出回路调谐时的相互影响.所以设计晶体管调谐放大器时首先就要设法克服这种内部反馈的影响.通常有两种方法.一种是所谓单向化(中和)的方法,就是在外电路中加一反馈电路来抵偿晶体管内部的反馈效应,使得总的电路成为单向化.这种电设计