GaAs/AlxGa1-xAs超晶格子带间光跃迁的研究

运用Kronig-Penney模型的新形式,研究了超晶格子带间光跃迁的频率、带宽和跃迁强度,用GaAs/Al_xGa_1-xAs多量子阱材料做了关于红外吸收的实验,理论与实验符合较好。 关键词：     

GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格子带间光跃迁的研究

运用Kronig-Penney模型的新形式,研究了超晶格子带间光跃迁的频率、带宽和跃迁强度,用GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱材料做了关于红外吸收的实验,理论与实验符合较好。     

半导体超晶格子带间跃迁光吸收理论研究

从理论上研究了半导体超晶格子带间跃迁的光吸收性质,以GaAs/AlxGa1－xAs超晶格为例进行数值计算,分析了该材料的吸收系数随入射光光子能量、光场强度和超晶格结构参量（阱宽,垒宽,势垒高）的变化关系计算表明：随着入射光光子能量的变化,出现非对称的吸收峰;光强只改变吸收系数大小;超晶格结构参量会改变吸收谱的谱宽和吸收峰所对应的入射光频率随着超晶格阱宽（垒宽）的增大,吸收谱由宽变窄,吸收峰红移;随着超晶格Al组分变大,吸收谱变窄.     

半导体超晶格子带间跃迁的光学双稳

运用Kronig-Penney(KP)模型的新形式,研究半导体超晶格中子带间跃迁的光学双稳特性。由二子能带模型密度矩阵方法,导出了子带间光跃迁的Maxwell-Bloch(MB)方程。从MB方程的定态解出发,得到了环形腔中超晶格子带间跃迁的光学双稳态方程,进而讨论了这种光学双稳的特点以及实现的条件。 关键词：     

电场下GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中的子带和激子

本文利用有限势垒模型,研究电场对GaAs/Ga_1-xAl_xAs量子阱中子带和激子的影响。对阱宽为105?的GaAs/Ga_0.66Al_0.34As量子阱,电场由0—1.2×10⁵V/cm,我们计算了电子和空穴的子带以及激子的结合能。基于上述计算结果,所得电子-空穴重叠函数和激子峰的能量移动与实验测量符合得较好。 关键词：     

磁场下超晶格的子带结构及光跃迁

用有效质量方法计算了磁场下超晶格的子带结构和光跃迁。详细地介绍了计算方法,计算了磁能级的能量随磁场和阱宽的变化。发现随磁场和阱宽的增加,轻空穴态的混入就越显著,只有最低的三个重空穴态还基本保持原来的特性。计算中还发现第三轻空穴带对得到收敛的解是必不可少的。最后讨论了磁光跃迁几率和迴旋共振的有效质量。 关键词：     

梯度磁场下磁流体三维结构的格子-Boltzmann方法模拟

考虑磁性颗粒受到的各种内力与外力包括重力、布朗力、van der、Waaks力、磁偶极-偶极作用力以及外磁场作用力,建立了描述磁流体结构的两相格子-Boltzmann三维模型,对外加梯度磁场条件下磁流体的介观结构进行了模拟.模拟结果表明:外加梯度磁场时磁流体粒子沿梯度方向聚集并出现分层现象,且随时间推移和外加磁场增大,分层现象越来越明显.     

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究

报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs系统中观察到了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未占据的第二电子子带之间的近共振散射作用所致。     

AlN/InN和AlN/GaN超晶格能带结构研究

利用Krönig-Penney 模型和形变势理论,从理论上探讨了纤锌矿型AlN/InN和AlN/GaN超晶格系统的能带结构及不同应变模式对能带结构的影响,计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律、超晶格的能量色散关系、应变造成的影响以及不同亚层厚度的系统禁带宽度和导带第一子禁带宽度.研究发现,通过改变亚层厚度可以从不同形式设计能带结构,应变会改变系统禁带宽度,使带阶和子能带明显窄化,价带结构趋于复杂甚至生成准能带结构.与实验结果对比后发现,该模型适于模拟窄势阱结构超晶格,而对于宽势阱则必须 关键词： AlN/InN和AlN/GaN超晶格 Krönig-Penney模型 应变 子能带     

二维Bloch电子在电场与磁场中的准经典输运行为

分别从周期场中电子准经典运动方程和作者之一最近提出的输运平衡方程出发，分析了二维Bloch电子在电场和磁场作用下的准经典输运，给出了不同电场下电子纵向漂移速度v_x和霍耳漂移速度v_y随磁场的变化趋势.结果显示，v_x和v_y均随磁场连续变化，在任何给定电场下都没有发现纵向漂移速度或霍耳漂移速度随磁感应强度发生突变.这一结论与其他作者的预言相左.分析了造成分歧的可能原因，并指出：在电子准经典运动方程中直接引入阻尼力来描述准经典 关键词：     

环形电场与非均匀磁场重叠场中能量分散形式的二级离子轨迹及其转换公式

本文用变分方法计算了环形电场与非均匀磁场重叠场的二级离子轨迹,以能量分散形式加以表述。讨论了在能量、速度、动量三种分散形式间的系数转换公式。给出了相应的转换矩阵。以上结果,便于在离子光学理论研究和质谱仪器的实际设计中应用。 关键词：     

重叠的环形电场和非均匀磁场质谱分析器的离子光学性质及其二级象差

本文讨论了由环形电场和非均匀磁场形成的重叠场的离子光学问题。运用变分原理(费马原理)给出离子轨迹方程,分析了这种普遍的重叠场作为质谱分析器的离子光学性质及其二级象差。本文的结果和公式对于文献上关于二级象差的理论作了进一步的概括与推广,因而具有普遍性。这对于设计与研究重叠场质谱分析器具有一定的意义。 关键词：     

外电场下STM钨针尖电子结构的理论研究

采用离散变分局域密度泛函方法，研究了外电场对钨(111)面针尖电子结构的影响.详细计算和分析了在不同偏压和距离条件下，钨针尖的隧道激活轨道和电荷分布.研究结果表明：隧道激活轨道中针尖原子的成分对外偏压的极性、大小以及针尖与样品之间的距离都较敏感.与过去理论计算结果不同，钨针尖原子的5d_z²轨道对隧道激活轨道有一定贡献，但并不是最主要的.在加正偏压时对隧道激活轨道贡献最大的为5d_xz和5d_yz轨道，而在加负偏压时则为包括 关键词：     

STUDY ON THE STABILITY OF GaAs/AlGaAs SUPERLATTICE STRUCTURE

This paper reports the stability of GaAs/AlGaAs superlattice structures after theorem annealing, Zn diffusion and MeV Si⁺ ion implantation. The MeV Si⁺ ion implantation induced damage in GaAs/AlGaAs superlattices, its annealing properties, and the effects on superlattice structure stability are reported as well. Thermal annealing at 650℃ for 30min has little effect on superlattice structure. Zn diffusion may induce superlattice layer disordering. And annealing at 650℃ for 30min can eliminate damage caused by 2.3MeV,1.5×10¹⁵ cm^-2 Si⁺ ion implantation, which cannot induce superlattice layer disordering.     

存在恒定外电、磁场时的等离子体动力学方程

在有恒定外电、磁场的情况下,采用微观相空间密度方法导出了均匀等离子体的动力学方程。 关键词：     

量子阱中极化子的自能与电磁场和温度的关系

采用Ｌａｒｓｅｎ谐振子算符代数运算与变分微扰相结合的方法，研究处于电磁场中量子阱内电子一体纵光学声子耦合诉性质的曙依赖性，得到了有限温度下系统的自能。     

AlGaAs/GaAs波导薄膜X射线双晶衍射研究

本文应用X射线双晶衍射研究AlGaAs/GaAs波导结构薄膜。结合实验结果,应用X射线衍射动力学理论。计算衬底和多层膜的反射强度,得到样品的真实结构。分析影响薄膜双晶衍射摇摆曲线的若干因素。 关键词：     

GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性

采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵,其光荧光谱显示出蓝移,并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。     

调制掺杂GaAs/N-AlGaAs异质结的制备及输运性质

本文报道利用垂直束源式的分子束外延设备,生长了高质量的调制掺杂GaAs/N-AIGaAs异质结构,液氦温度下的二维电子迁移率达4.26×10⁵cm²/V·s(非光照)、5.9×10⁵cm²/V·S(光照)。用脉冲磁场下的磁声子共振测量,得到了二维电子的有效质量,并研究了异质结构中二维电子的低场迁移率增强特性及低温强磁场下的量子霍耳效应。 关键词：