Co掺杂对La5／8Ca3／8MnO3体系铁磁有序的影响与电子的局域化效应

系统研究了强关联锰氧化物La5／8Ca3／8Mn1-xCoxO3（x=0，0．05）体系的结构和输运特性．结果表明，样品均为很好的正交O′单相结构，Mn位5％Co掺杂明显影响了样品铁磁—顺磁（FM-PM）转变和金属-绝缘体（M-I）转变，M-I转变温度TM-I从未掺杂时的271K降至227K，对应的峰值电阻率ρp增大；随着TM-I的降低，Tc同时降低，磁电阻MR％亦相应增加；La5／8Ca3／8MnO3样品在Tc以下表现出长程铁磁有序态，Mn位5％Co掺杂样品则表现为团簇玻璃型短程铁磁有序行为．证明Co掺杂引起电子的局域化效应乃是导致体系输运行为发生变化的主要原因．同时，从Mn^3＋-O^2--Mn^4＋双交换（DE）作用和超交换（SE）相互作用机制等出发，对样品的输运行为、CMR效应以及与Co掺杂之间的关联进行了讨论．     

Al和Sn离子掺杂对La1.2Ca1.8Mn2O7输运性质的影响

研究了Al和Sn离子掺杂对层状钙钛矿结构锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7输运性质的影响.发现Al,Sn掺杂后样品电阻率增加,并且半导体导电区域电阻值与可变程跃迁导电模型符合得较好;同时掺杂样品金属-绝缘转变温度逐步降低,最大磁电阻值比未掺杂样品增大.     

(La1-xCex)2/3Ca1/3MnO3体系的输运性质和反常磁特性研究

本文报告了对Ce掺杂锰氧化物(La1-xCex)2/3Ca1/3MnO3 (x=0～1.0)系列样品的输运特性和反常磁特性的研究结果.实验表明,Ce掺杂对Tc有明显的抑制作用,整体上电阻率随Ce掺杂含量增加而上升,在外加磁场时表现出极大的磁电阻效应.磁化强度随温度变化的曲线出现了两个转变,高温处对应于Mn离子磁矩的铁磁金属转变,低温处的转变则对应于Ce离子磁矩自旋有序排列的形成.表明Ce掺杂引起样品中铁磁双交换作用和反铁磁超交换作用之间的竞争,Ce离子与Mn离子有很强的相互作用.随Ce掺杂含量的增加,铁磁有序转变温度下降,而反铁磁有序转变温度则向高温处移动,铁磁区域明显减小.     

La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3化合物铁掺杂效应的M(o)ssbauer谱研究

利用固相反应方法制备了名义成分为La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3（0.01≤x≤0.20)的一系列样品。在整个掺杂范围内晶体结构没有明显变化。在室温下测量了各样品的Mossbauer谱,拟合结果表明＋3价高自旋态的铁离子占据锰的八面体晶体,随Fe掺杂量的增加,铁离子的3d电子出现局域化趋势,并伴随Fe-O配位体畸变程度的增强,本文对此进行了讨论。     

过渡金属离子掺杂对La1.2Ca1.8Mn2O7输运性质的影响

研究了过渡金属元素掺杂对层状钙钛矿结构锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7体系输运性质的影响.实验结果表明不同过渡金属离子掺杂均导致体系的金属-绝缘转变温度降低,电阻率与最大磁电阻值(Cr除外)增加.当掺杂量较高时,磁性Cr、Fe、Co、Ni离子对体系性质的影响与其磁性相互作用密切相关.     

氧欠缺对La0.7Ca0.3Mn0.92Cr0.08O3-δ电磁性质的影响

通过控制降温的方法,我们制备了一系列不同氧含量的La0.7Ca0.3Mn0.92Cr0.08O3-δ多晶样品,并对其进行了X射线衍射谱、电阻温度关系和磁化强度以及磁电阻测量.实验发现,氧含量对电性有很特别的影响,与理想氧含量的样品不同的是,氧欠缺样品的电阻出现双峰,但是与前者一样仅有一个磁转变,这可以用样品中氧含量分布不均匀导致的相分离来解释,用这一相分离的图像我们进一步解释了文献中广泛报道的另一个有关Cr掺杂的现象:与所有锰位掺杂元素相比,Cr掺杂对铁磁转变的抑制作用最小.     

Nd0．3Sro．7Mn1-xCrxO3（0．01≤x≤0．15）的低温热导率研究

报道Nd0．3Sro．7Mn1-xCrxO3（0．01≤x≤0．15）的热导率在10-300K温区内随温度和Cr含量的变化关系,在所测温区，随着Cr掺杂的增加，样品热导率值整体上逐渐减小，但在x=0．15时，出现反弹．热导率值在绝缘体-金属转变附近有很大提高，这个提高随Cr含量的增加逐渐被压制，直到x=0．15消失．分析指出热导率在绝缘体-金属转变附近的提高是由声子热导率和自旋相关热导率两部分贡献的；Cr掺杂通过电荷、晶格和自旋相互作用影响和制约了热导率随温度的变化,结果表明体系中自旋对热导率的调制作用是不可忽略的。     

降温速率对La0.7Ca0.3Mn1-xCrxO3(x=0.00,0.08)电磁性质的影响

我们在不同的降温速率下得到了若干La0．7Ca0．3Mn1-xCrxO3-δ(x=0．00,0．08)多晶样品,对其进行了XRD、电阻．温度关系和磁化强度．温度关系的测量．实验发现,随降温速率的增大,LCM系列样品的电阻变大,电阻峰温度移向低温端,磁化强度值变小,金属．绝缘体转变依然很陡峭,而LGMC系列样品也兼有这些现象,前两的程度更大些,后较为平缓,另外还出现了电阻的双峰．归结原因,我们认为在制备过程中随降温速率的不同,样品中会有不同程度的氧空位存在,利用双交换的减弱和样品中氧的分布不均匀产生的相分离解释了有关现象．通过本实验可知,改变降温速率也是调节样品中氧含量的一种有效的方法．     

Mn位Ru替代对Pr0.5Ca0.5MnO3电磁特性及磁电阻的影响

通过对Mn位Ru替代体系Pr0.5Cao.5Mn1-xRuxO3(0.00≤x≤0.09)的磁性及电输运机制进行研究,发现Ru元素的替代对居里温度Tc、绝缘体-金属相变温度TIM有明显影响,导致了异常电输运及磁电阻行为的出现;随着Ru含量的增加,Tc及TIM均向高温区移动,在外加磁场作用下,电阻率峰值被强烈压缩,从而导...     

La0．5Er0．2Ca0．3Mno3低温磁电阻效应的实验研究

本文简要介绍对La0．5Er0．2Ca0．3Mno3进行低温电磁测量的实验过程,研究掺杂后复合体系的磁电阻效应。     

La4/3(Sr1-xBax)5/3Mn2O7的电输运性质研究

本文主要介绍用溶胶-凝胶法制备的Ba离子掺杂的双层钙钛矿锰基氧化物La4/3(Sr1-xBax)5/3Mn2O7(00.4范围内,低温电阻值随烧结温度增加而减小.出现这种反常行为的结果可能是由于随着Sr逐步被Ba离子取代而引起的失配效应造成结构相分离所致.     

La2/3Ca1/3MnO3体系La位上Y掺杂及其对输运性质的影响

零场下(La1-xYx)2/3Ca1/3MnO3(0相似文献   

Co掺杂La5/8Ca3/8MnO3体系的结构和输运特性研究

系统研究了La5/8Ca3/8Mn1-xCoxO3(0.0≤x≤0.3)体系的结构和输运特性.结果表明,随着Co掺杂浓度的增加,体系的晶胞体积单调减小,并出现正交到四方的结构变化;绝缘体-金属转变(I～M)温度TIM向低温区移动,对应的峰值电阻率ρp急剧升高.在高温区(T>TIM)体系的输运特性满足可变程跃迁模型,对低浓度掺杂(x≤0.1)样品,具有典型的绝缘-金属转变行为,在低温区(T相似文献   

零磁场下La2/3（Ca0.60Ba0.40）1/3Mn1-xVxO3的电输运特性研究

采用溶胶-凝胶法制备了系列多晶CMR材料La2/3(Cao 60Bao.40)1/3Mn1-xVXO3,(x:0%、1%、5%、7%、10%、15%、20%).在零场下、77～350 K温度范围内测量了其电阻率随温度的变化关系,测量了该温度范围内0.1 T磁场下磁化强度随温度的变化关系.采用小极化子绝热跃迁模型P=aTexp(E/kT)对样品的电导特性进行拟合研究.结果发现,高温区电阻率随温度的变化很好地满足小极化子绝热跃迁模型;同时,采用单磁子散射模型对样品低温区的电输运曲线进行拟合,结果发现所有样品低温区的p～T关系同样都很好地满足单磁子散射公式P=po AT2严.由拟合结果分析了样品高温区的输运行为主要来源于小极化子的影响,而低温区电导特性主要来源于单磁子散射.     

La4/3Ca5/3Mn2O7的结构、电输运及磁性质研究

采用溶胶-凝胶法,在不同温度烧结制备了名义组分为La4/3Ca5/3Mn2O7的多晶样品.X射线结构分析以及电、磁输运性质的测量表明:La4/3Ca5/3Mn2O7形成的是La2/3Ca1/3MnO3和CaO的混合物.     

Ru掺杂La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xRuxO3的磁性和输运性质

利用固相反应法制备了Ru掺杂La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xRuxO3(x=0～0.06)的多晶样品,探讨了Ru掺杂对体系结构,输运性质以及磁电阻的影响.多晶X射线衍射证实所有样品均保持简单立方钙钛矿结构.通过零场冷却(ZFC)和加场冷却(FC)下的磁化曲线的测量发现随温度降低样品发生了顺磁(PM)到铁磁(FM)的相变,且样品的居里温度(Tc)随Ru掺杂发生了显著的变化,从x=0.00时的306.7K,下降到x=0.02时的294.3K,紧接着又上升到x=0.04时的302.4K.测得居里温度明显高于La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xMoxO3体系,而且其磁性也大为增强.由零场和外加磁场H=1T测量得到样品的ρ～T曲线表明随温度降低样品同时发生了从绝缘体到金属的转变,绝缘体-金属转变温度低于相应的居里温度.适量的Ru掺杂降低了样品的电阻率,增强了低温时的磁电阻.     

La1-xNaxMnO3/YSZ膜的化学溶液法制备及输运性能研究

本文采用化学溶液法在钇稳定的二氧化锆(Y-stabilized ZrO2,YSZ)单晶基板上制备了La1-xNaxMnO3(LNMO)膜并对其输运性能进行了研究.X-射线衍射(XRD)结果表明,所获得的LNMO膜为高度(h00)取向;输运结果表明,所制备的LNMO膜表现为外延膜的性能,且La0.7Na0.3MnO3薄膜在300K、0.5T磁场下可获得～5%磁阻值.