射频磁控溅射CaS：TmF3薄膜的电致发光及其激发过程的研究

首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ：ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光，电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ＾３＋离子的Ｇ４→＾３Ｈ６、Ｇ４→＾３Ｈ４、＾３Ｆ３→＾３Ｈ６和＾３Ｆ４→＾３Ｈ６的电子跃迁发光。通过对ＣａＳ：ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致没能量的光子激发下的光的研究，谱的红外／蓝峰的哟度比有较大的不同，     

蓝色显示材料及器件的研究

用Ｈ２和ＣＳ２还原法制备Ｃｅ：ＳｒＳ发光材料，分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响，得到了最高亮度为９５０ｃｄ／ｍ＾２（１０００Ｈｚ）的Ｃｅ：ＳｒＳ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件；用高温固相法得到Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４荧光粉，用射频溅射沉积的Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４薄膜在６００℃以上、Ｈ２Ｓ气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能，提高杂质激发峰强度，得到好的光致发光（ＰＬ）发光性能，以陶瓷片作为基片同     

SrS∶HoF_3薄膜的电致发光机制

研究了ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜的光谱特性,分析了光谱与驱动电压的关系,认为ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜电致发光不是以直接碰撞激发机制为主;方波脉冲激发下没有看到下降沿发光的现象,可能不存在发光中心离化的过程．比较ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜的电致发光与光致发光光谱,认为过热电子碰撞激发基质晶格,基质激发后将能量传递到发光中心是主要的激发过程     

GaAs衬底上生长的GaInP_2外延单晶薄膜的杂质污染研究

各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜（ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ）．很多文献认为,在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染．我们用高灵敏的ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ４Ｆ型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ的微量杂质是Ｓｉ,而不是Ｃ．由ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ在１．１７ｅＶ附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主－受主对复合发光．进一步分析表明,施主为处在Ｇａ格位上的Ｓｉ杂质（ＳｉＧａ）,受主为Ｇａ空位（ＶＧａ）．     

Tm(0.1)Yb(10.9)氟氧化物玻璃陶瓷的直接上转换敏化发光

本文首次研究了掺杂Ｔｍ（０．１）Ｙｂ（１０．９）氟氧化物玻璃陶次居９６６ｎｍ半导体激光激发下的直接上转换敏化发光现象。测量艰现存在很强的＾１Ｇ４→＾３Ｈ６的４７７ｎｍ的三光子和＾３Ｆ４→＾３Ｈ６的７９９．５ｎｍ双光子上转换荧光以及较弱的＾１Ｄ２→＾３Ｈ６的３６１ｎｍ,＾１Ｄ２→＾３Ｈ４的４４９．５ｎｍ,＾１Ｇ４→＾３Ｆ４的６４７．０ｎｍ和＾３Ｆ３→＾３Ｈ６的多个上转换发光。     

Tm~（3＋）－EDTA－H_2C_2O_4溶液荧光体系的研究

本文首次找到了Ｔｍ３＋－ＥＤＴＡ－Ｈ２Ｃ２Ｏ２溶液荧光体系，发现Ｔｍ３＋在这个体系中能发出特征的荧光光谱对应于能级１Ｇ４→３Ｈ６的跃迁。同时对这个体系的溶液特性，发光机理以及分析应用分别进行了研究。该体系稳定性好，离子干扰小，操作简便，对于深入研究Ｔｍ３＋的荧光光谱和分析应用都是非常有意义的。     

ZnS∶Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布

采用高频溅射的方法制备了高亮度的ＺｎＳ∶Ｔｂ薄膜电致发光器件．测量了发射强度比Ｉ（５Ｄ３－７Ｆ６）／Ｉ（５Ｄ４－７Ｆ４）随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率，计算了碰撞截面，分析ＺｎＳ∶Ｔｂ的过热电子的分布，并与ＺｎＳ∶Ｍｎ进行了比较．指出了ＺｎＳ∶Ｔｂ效率与ＺｎＳ∶Ｍｎ效率差异的可能原因．     

970nmLD激发Tm^3＋,Yb^3＋掺杂的MFT玻璃材料上转换发光的研究

设计并制备了一种Ｔｍ＾３＋、Ｙｂ＾３＋共掺杂的多氟化物调整碲酸盐（ＭＦＴ）玻璃材料,其组份为５０ＴｅＯ２－１４．ＰｂＦ２－１０ＡｌＦ３－１０ＢａＦ２－１０ＮａＦ－０．１Ｔｍ２Ｏ３－５Ｙｂ２Ｏ３。测量了该玻璃系统的Ｒａｍａｎ散射光谱,在９７０ｎｍＬＤ激发下裸眼可以观察到很强的蓝色我,光谱测量证实这个蓝色发射（４７６ｎｍ）来源于＾１Ｇ４→＾３Ｈ６的跃迁,同时,还有两个较弱的红色发射源于＾１Ｇ４→＾３Ｈ     

三种固态六氟化镓离子化合物的远红外光谱研究

用傅里叶变换红外光谱法研究了Ｒｂ３ＧａＦ６，室温相αＣｓ３ＧａＦ６和高温相Ｃｓ３ＧａＦ６冰晶石类氟化物的远红外光谱，地它们的光谱带进行了指认，并进行了Ｘ射线衍射分析，结果表明，Ｒｂ３ＧａＦ６与高温相Ｃｓ３ＧａＦ６同属四方晶系，晶胞参数分别为ａ＝６．３２，ｃ－８．８６Ａ和ａ＝６．８７，ｃ＝９．８７Ａ，α－Ｃｓ３ＧａＦ６属正交晶系，ａ＝１０．６２，ｂ＝９．９６，ｃ＝５．６１Ａ。     

YAG晶体中Cr~（3＋）→Tm~（3＋），Er~（3＋）→Tm~（3＋）的能量

研究了加入敏化离子Ｃｒ３＋和Ｅｒ３＋的Ｔｍ：ＹＡＧ晶体的吸收谱和荧光谱，计算了Ｃｒ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋离子的２Ｅ、４Ｉ１３／２、３Ｆ４能态的平均寿命及能量；转移效率、转移速率．得出Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋转移效率为８０％，转移速率为２．１×１０３ｓ－１．由（Ｅｒ，Ｔｍ）：ＹＡＧ的荧光谱可见存在Ｅｒ３＋→Ｔｍ３＋的有效的能量转移．讨论了Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋和Ｅｒ３＋→Ｔｍ３＋能量转移的不同．     

A3M2Ge3O12石榴石体系中Cr3+离子的宽带发射光谱

首次报告在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２∶Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ２＋,Ｃａ２＋;Ｍ＝Ａｌ３＋,Ｇａ３＋,Ｓｃ３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ３＋离子室温下的红—近红外（Ｒ—ＮＩＲ）宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ３＋→Ｇａ３＋→Ｓｃ３＋和十二面体格位上的Ｃｄ２＋→Ｃａ２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ３＋离子的４Ｔ２→４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉（钙）铝和镉（钙）镓锗酸盐体系中,少量Ｓｃ３＋取代八面体上的Ａｌ３＋和Ｇａ３＋时,可使Ｃｒ３＋的Ｒ－ＮＩＲ荧光发射强度增强。     

氟锆酸盐玻璃中Tm^3＋离子的红外光谱性质

根据Ｔｍ＾３＋离子有吸收光谱，计算在氟锆酸盐玻璃中的＾Ｔｍ＾３＋的Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ参数和工外跃迁＾３Ｆｉ→＾３Ｈ４，＾３Ｈ４→＾３Ｈ６和３Ｆ４→＾３Ｈ５ 发跃迁几率，研究了Ｔｍ＾３＋的红外发射光谱的交叉驰豫过程，讨论了离子浓度对红外发光强度的影响，并讨论了这些跃迁的发射截面。     

全氟丙烯在高温下的热稳定性

用单脉冲激波管研究了全氟丙烯Ｃ３Ｆ６的分解。使用Ｈ２作为清扫剂。产物包括ＣＨ４、Ｃ２Ｆ４、ＣＦ３Ｈ和Ｃ２Ｆ３Ｈ４,作为对断键反应过程的指示。Ｃ３Ｆ６的断键反应为Ｃ３Ｆ６→ＣＦ３＋Ｃ２Ｆ３（１）得到其速率常数表达式为ｋ（Ｃ３Ｆ６→ＣＦ３＋Ｃ２Ｆ３）＝１０＾（１７．４±０．２）ｅｘｐ（－３５５３００±８３６０／ＲＴ）ｓ＾＾－１温度范围为１０９０Ｋ〈Ｔ〈１１９０Ｋ。全氟丙烯上,乙烯基Ｃ－ＣＦ３键的解离能为３５５．３ｋＪ／ｍｏｌ。Ｃ３Ｆ６生成焓值为－１０７８．４ｋＪ／ｍｏｌ。     

Tm^3＋—EDTA—H2C2O4溶液荧光体系的研究

本文首次找到了Ｔｍ＾３＋－ＥＤＴＡ－Ｈ２Ｃ２Ｏ４溶液荧光体系，发现Ｔｍ＾３＋在这个体系中能发出特征的荧光光谱对应于能级１Ｇ４→＾３Ｈ６的跃迁。同时对这个体系的溶液特性，发光机理以及分析应用分别进行了研究。该体系稳定性好，离子干扰小，操作简便，对于深入研究Ｔｍ＾３＋的荧光光谱和分析应用都是非常有意义的。     

Tm^3＋掺杂的MFT玻璃上转换发光及光学增益

报道了一种新型ＭＦＴ（Ｍｕｌｔｉ－Ｆｌｕｏｒｉｄｅ－Ｔｅｌｌｕｒｉｄｅ）玻璃材料（组份为５０ＴｅＯ２－１９．７ＰｂＦ２－１０ＡｌＦ３－１０ＢａＦ－０．３Ｔｍ２Ｏ３）的制备方法,测量了６５０ｎｍ激发下Ｔｍ＾３＋离子掺杂在ＭＦＴ玻璃材料中源于＾１Ｄ２→＾３Ｈ６（４７６ｎｍ）跃迁的两组蓝色上转换发光研究了上转换发光强度随激光率的变化关系,并且首次应用ＡＳＥ（Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅ     

掺稀土离子的CaS：Bi荧光粉的发光性质

采用固相反应法合成了单掺和双掺稀土离子Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋的ＣａＳ：Ｂｉ荧光粉，测定了试样的荧光光谱和有效余辉。与ＣａＳ：Ｂｉ相比，掺入Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋的荧光粉，Ｂｉ３＋特征发射峰４４７ｎｍ增强，有效余辉延长。表明Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋对Ｂｉ３＋在ＣａＳ中的发光产生了敏化作用，Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋在基质晶格中造成了缺隙深能级，讨论了Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋对ＣａＳ：Ｂｉ发光敏化作用的大小和在基质中造成缺隙能级。的深浅。     

KAIF4：Ce,Gd磷光体的荧光特性及能量传递

采用溶液反应和固相反应,分别合成了ＫＡＩＦ４基质化合物及ＫＡＩＦ４：Ｇｄ、ＫＡＩＦ４：Ｃｅ,Ｇｄ等磷光体,研究了它们的光谱特性。结果表明,ＫＡＩＦ４：Ｇｄ无认顷皮或长波紫外辐激发下,均无任何吸收和发射。在ＫＡＩＦ４：Ｃｅ,Ｇｄ中,Ｃｅ＾３＋离子能有效地将能量传递给Ｇｄ＾３＋离子,使Ｇｄ＾３＋产生了特征锐发射,具发射强度很大。但当Ｃｅ＾３＋浓度固定不变,改变Ｇｄ＾３＋的＾６Ｐ１／２→＾８Ｓ７／２发射     

Cr，Tm∶YAG晶体中的能量转移

通过对Ｃｒ∶ＹＡＧ、Ｔｍ∶ＹＡＧ和Ｃｒ，Ｔｍ∶ＹＡＧ晶体吸收光谱和发射光谱的比较，研究了Ｃｒ，Ｔｍ∶ＹＡＧ晶体中的能量转移过程．指出Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋能量转移过程中，无辐射能量转移占绝对优势．     

三重桥氧三核及四核铁苯甲酸配合物的热稳定性研究

本文合成了氧心羧桥二种铁配合物：（Ｆｅ３Ｏ）（Ｃ６Ｈ５ＣＯＯ）６（Ｈ２Ｏ）３）Ｃｌ和（Ｆｅ４Ｏ２（Ｃ６Ｈ５ＣＯＯ）７（ｂｉｐｙ）ＣｌＯ４测定了它们的热失重及相应热效应峰值的红外光谱，根据不同温度下红外光谱基团的特征吸收峰的变化及热失重情况的分析，推测出该二种配合物可能的热解过程。     

衬底温度对CaS∶TbF_3薄膜电致发光亮度的影响

利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究．通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性．Ｘ射线衍射表明衬底温度在２２０到５８０℃范围之间，电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜为多晶立方晶相．随着衬底温度的提高，ＣａＳ∶ＴｂＦ３薄膜的表面形貌发生显著的变化，薄膜的致密性增加，从而增加了电致发光亮度．