19—20世纪之交电磁学的发展和影响（Ⅰ）

主要围绕电磁学的“两论两发现”讨论了上一世纪之交电磁学的发展和影响。“两论“是指洛伦兹电子论和爱因斯坦相对论电磁学,“两发现”是指X射线的发现和电子的发现,第一部分着重分析了洛伦兹电子论如何从综合超距电动力学和“无源”电磁场理论中产生的历史背景及其地位、作用和历史局限,第二部分重点讨论了爱因斯坦对经典电磁学的革命性变革、光量子假说、相对论电磁学和质能关系的意义及影响,第三和第四部分,则主要讨论X射线和电子的发现,及其发现后的电磁学的一些重要实验和电子论对一些重要电磁学问题的解释,强调了波粒二象性论争及其积极作用,并阐述了电子论对物质磁性的经典分析,文章的时间范围主要是从洛伦兹电子论到量子力学诞生之前的二三十年,尚水涉及量子电动力学的内容。     

邮票上的物理学史：—电磁学的应用（3）无线电

上面两方面(强电和弱电)总称电工学,它的各项发明基本上是在19世纪完成的,它宣告了电力时代的到来.无线电的发明则已经在20世纪的门槛上了,无线电电子学是20世纪发展起来的.     

利用快响应金刚石（Ⅱa型）光导探测器测量X射线

文中介绍了金刚石光导探测器的工作原理呼简化模型以及这种探测器所具有的独特的优点，并在激光－金（Ａｕ）平面靶实验中用来测量Ｘ射线，根据文献中灵敏度标定值给出激发辐照Ａｕ平面靶Ｘ光转换率为２７％左右，与目前公认的结果相一致。     

A theoretical study of the oxygen K-edge near-edge X-ray absorption fine structure of N20/Ir（110）

A multiple-scattering chtster method is employed to calculate the oxygen K-edge near-edge X-ray absorption fine structure of N20/Ir（110） and its monolayer. Two peaks and one weak resonance appear in both cases. The self- consistent field DV-Xa calculations of the peaks and resonance show that the physical origin of the pre-edge peak x is different from those of the main peak 1 and the other weak resonance al. This setup is intrinsic to the N20 monolayer, owing to the interaction between the neighbouring molecular chains in the monolayer and partly to the adsorbed atomic oxygen, according to both the theoretical and experimental data.     

实验在物理学的产生发展和完善中的作用

科学实验在物理学的形成与发展中,始终处于主导地位,起着决定性作用。 1 物理实验是建立物理理论的基础 物理概念都是在实验基础上建立的。 实验工作非常艰辛。伽利略在延续十几年甚至几十年的时间里研究过自由落体运动,亚里斯多德提出:重的物体比轻的物体下落得快。伽利略用这样的推理反驳亚里斯多德,     

放射诊断学史上新的里程碑—电子计算机X射线断层成像（CT）

通过对电子计算机X射线断层成像（CT）技术的发明过程的描述,展现了科学发明在交叉学科取得重大成就的典型范例,对科学研究将产生有益的启示。     

劳厄（Laue，Max Theodor Felix von，1879—1960）德国物理学家（Physicist，Germany）

劳厄是军官的儿子，早年随其父的调动到过许多地方。由于过着流动的生活，他进过许多学校，读高中时，兴趣才集中到科学方面。1899年，他进入施特拉斯堡大学专攻理论物理，1903年获柏林大学博士学位，1905年任普朗克眦。的助教。劳厄于1912年对一块硫化锌晶体进行X射线衍射实验，获得了极大成功。他取得了衍射图样，并把它拍摄到照相底版上。这一实验不仅说明了X射线的电磁本性，而且是双重成果。     

Fe（Ⅱ）对Cr（Ⅵ）—Ⅰ—体系诱导反应机的研究

本文考查了Ｆｅ（Ⅲ）－Ⅰ－、Ｃｒ（Ⅵ）－Ⅰ－及Ｃｒ（Ⅵ）－Ⅰ－Ｆｅ（Ⅱ）体系的反应曲线，证明由于Ｆｅ（Ⅱ）的引入，体系产生Ｃｒ（Ⅴ）中间体并快速氧化Ⅰ＾－；通过实验确定Ｃｒ（Ⅵ）－Ｉ＾－－Ｒｅ（Ⅱ）体系的化学计量关系，导出了诱导反应的机理及速率方程，并通过反应曲线的研究进一步证实了反应机理，对含铬废水中铬的测定起到一定作用。     

Multiple—Scattering of Near—Edge x—ray Absorption Fine Structure of Sulphur—Passivated InP（100） Surface

We use the multiple-scattering cluster method to calculated the sulphur 1s near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) of S-passivated InP(100) surface.The physical origins of the resonances in the NEXAFS have been unveiled.It is shown that the most important resonance is attributed to the photoelectron scattering between the central sulphur and the nearest indium atoms.The studies show that two S-S dimers with the bond lengths of 2.05A and 3.05A coexist in the surface,meanwhile the bridge and antibridge site adsorption of single S could not be ruled out.We support the scanning tunnelling microscopy result that the S-passivated InP(100) surface exhibits significant discorder.     

Study of Ni80Fe20／Fe50Mn50 superlattice microstructures by transmission electron microscopy and x—ray diffraction

The detailed microstructures of Ni80Fe20/Fe50Mn50 superlattices have been characterized using both x-ray diffraction techniques and transmission electron microscopy.The obrivous layered structure,typical column structure and twins which exist in Ni80Fe20/Fe50Mn50 superlattices were observed through performing transmission microscopy.By combining the technique of lowangle x-ray reflectivity(specular and off-specular scans)with the anomalous scattering effect and high-angle x-ray diffraction(using conventional x-ray),wequantitatively analysed the microstructural variation as a function of annealing temperature.It is found that the lateral correlation length,the(111)peak intensity of the superlattices and the average multilayer coherence length all increase with a rise in annealing temperature annealing can decrease the rootmean-square roughness at the interfaces of Ni80Fe20/Fe50Mn50 superlattices.the obtained microstructural knowledge will be helpful in understanding the magnetic properties of the ni80Fe20/Fe50Mn50 exchange bias system.     

［（μ－CF＿3CO＿2）＿2Ln（μ－CF＿3HCO＿2）Al（i－Bu）＿2·2THFl＿2（Ln＝Nd，Y）配合物的NMR和X－射线衍射研究

对［μ－ＣＦ＿３ＣＯ＿２）＿２Ｌｎ（μ－ＣＦ＿３ＨＣＯ＿２）Ａｌ（ｉ－Ｂｕ）＿２·ＴＨＦｌ＿２（Ｌｎ＝Ｎｄ，Ｙ）配合物单晶结构的Ｘ－射线分析指出，配合物具有中心对称性，配位中心由两个稀土和两个Ａｌ离子组成，稀土由两个ＴＨＦ和６个ＴＦＡ分子配位形成畸变的三盖三棱柱结构，Ａｌ由两个ＴＦＡＧ和两个ｉ－Ｂｕ配位形成四面体结构。桥连Ａｌ与两个稀土的ＴＦＡ分子的羧基发生歧化加氢，其碳原子由ＳＰ￣２型转变为ＳＰ￣３型．ＮＭＲ研究表明，在ＴＨＦ溶液中，该配合物保持了它在单晶中的配位结构，所不同的是两个ｉ－Ｂｕ在溶液中有两种异构形成，二者间为慢交换过程。     

软X射线（60—900eV）超薄膜的光学常数

用反射率方法测定了软X射线波段(60～900eV)超薄膜的光学常数.反射率测量在同步辐射光束线上完成.对测量数据做非线性最小二乘曲线拟合得出光学常数,同时还精密确定了超薄膜的膜厚与薄膜与基板表面粗度的均方根值.文中介绍了样品制备、反射率测量、数据解析及误差分析的方法,并给出了C、Au、Pt超薄膜的相应结果.     

在硅酸盐矿物,玻璃和熔体中Si和Al的配位与局部结构：K—边 …

本文采用步辐射的ＳｉＫ－边Ｘ－射线吸收近边结构（ＸＡＮＥＳ）谱研究了Ｓｉ在ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５和Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５的低压磷硅酸盐玻璃中结构与配位,以及Ｓｉ的配位几何随玻璃中Ｐ２Ｏ５含量而变化：同步辐射的Ａｌ Ｋ－边ＸＡＮＥＳ谱研究了Ａｌ在铝硅酸盐成分为ＮａＡｌＳｉ２Ｏ６－ＮａＡｌＳｉ３Ｏ８的玻璃和熔体中的配位和局部结构,并提供了直接的实验证据该成分的玻璃体系中由于压力的变化所诱导Ａｌ配位的     

HL—1M装置器壁硅化对电子速率分布的影响

在欧姆加热和低混杂波电流驱动条件下,利用磺化汞半导体探测器和碘化钠和探测器测出了ＨＬ－１Ｍ装置的Ｘ射线能谱,研究了器壁硅化前后电子速率分布和电子温度变化的特点,给出了Ｘ射线辐射强度与ＬＨＣＤ能量沉积的关系。     

蛋白质—银（Ⅰ）—铜（Ⅱ）络合物的生成及其紫外与红外光谱

用甲醛和十二烷基硫酸钠预处理血清白蛋白和血红蛋白可使Ａｇ和Ｃｕ离子从它们的氨合络离子中生成棕黄色络合物。用红外和紫外光谱研究了络合物的生成机理，主宰在反应过程中有自动催化产应。     

5—（4—氯苯基偶氮）—8—本磺酰氨基喹啉与钴（Ⅱ）的显色反应及其应用

本文用光度法研究了新显色剂 5 - (4-氯苯基偶氮 ) - 8-苯磺酰氨基喹啉 (CPBSQ)与钴的显色反应和最佳条件。结果表明 ,在 p H 9.5— 11.5范围内及有氯化十六烷基吡啶 (CPC)和硫脲 -酒石酸钾钠存在下 ,Co( )与 CPBSQ形成 1∶ 3的稳定配合物 ,其最大吸收波长为 5 90 nm。依此建立了一种测定 Co( )的新光度法。 Co( )的浓度在 0— 15 .0 μg/2 5 m L 范围内符合比耳定律 ,其摩尔吸光系数为 1.15× 10 5L·mol-1·cm-1。常见离子对 Co2 + 的测定均无严重干扰。本法具有灵敏度高、选择性好的特点。用于 VB12针剂中钴含量的测定 ,相对标准偏差为 0 .5 %— 0 .6 % ,标准加入回收率为 98%— 10 4 %。     

Growht and defects in YbxY1—xAl3（BO3）4 crystals

YbxY1-xAl3(BO3)4(x=0.1,0.07 and 0)crystals have been grown by the flux method.The growth defects of YbxY1-xAl3(BO3)4 crystals were detected by X-ray topography.It is found that the perfcetion of YbYAB crystal with low Yb dopant is better than that with high Yb dopant.In Yb0.1Y0.9Al3(BO3)4 crystal,growht bands,growth boundaries,grown-in dislocations and inclusions were observed.Howver,the densities of growth defects for Yb0.07Y0.93Al3(BO3)4 and YAl3(BO3)4 are low and no obvious inclusions are observed in these crytals.In addition,growth twins wrer detected in YbxY1-xAl3(BO3)4 crystal by using the chemical etching method.It is found that the growth twins occur frequently in Yb0.01Y0.9Al3(BO3)4 crystal whereas no growth twin appears in YAl3(BO3)4 crystal. Based on the experimental observations,the formation mechanism of growth twins is discussed.In the meantime,the effective measures for reducing the growth twins and defects are proposed.2001 Elsevier Science B.V.All rights reserved.