基于反馈控制环路提高光电振荡器长期稳定性的方法

提出了一种基于反馈控制环路提高光电振荡器长期稳定性的方法.该方法用现场可编程门阵列和分频电路测量光电振荡器的信号频率,用光纤延迟线调节光电振荡器环路长度.对测量光电振荡器频率的分频方法的精确度进行了理论分析.基于单环结构的实验证明这种方法在有效提高光电振荡器的长期稳定性的同时不会降低系统的相位噪声性能,带有反馈控制环路的光电振荡器7小时的频率稳定性可以达到0.8ppm.     

基于遗传算法的光电组网优化布站

单部光电的探测能力有限,采用多部光电组网的方法能够提高光电探测的空域和时域覆盖能力。为提高区域防空光电组网的探测概率和对抗来袭目标的能力,提出一种基于遗传算法的光电组网优化布站方法。建立区域覆盖能力最大化的优化布站数学模型,利用遗传算法求解光电组网布站的最优方案,给出组网各光电的位置坐标。通过Matlab编制相关遗传算法仿真程序,经计算,进化60代后,得出最大区域覆盖能力为fmax=0.681的优化布站方案,并绘制针对4类目标的光电探测覆盖区域图,验证了方法的理论可行性。     

机载光电系统的目标定位研究

为了解决光电系统的目标定位问题,提出了一种机载光电系统的自主定位方法.利用齐次坐标变换方法推导了机载光电目标从光电平台极坐标系到WGS-84大地坐标系的转换方程;采用工程实例进行了机载光电系统的目标定位误差分析.分析结果表明,该方法可以减小定位误差,获得较高的定位精度,满足对海上或陆上目标定位的需求.该方法实现简单,具...     

光电对抗装备的分类及其分析

光电对抗装备现已大量装备各国的陆、海、空三军,成为军事装备现代化的一个重要标志。光电对抗装备具有手段多样的特点,为了加深对光电对抗装备的理解,适当的分类是必须的。主要介绍了光电对抗装备的发展和应用,讨论了已有光电对抗装备的分类方法,并从装备效能评估的角度出发,提出了按功能对光电对抗装备进行分类的方法。     

光电导探测器灵敏度标定方法的探索

光电导探测器体积小,灵敏度高,应用范围广,但暗电流也高,所以光电导探测器的直流标定是委困难的.我们采用了电子学的方法,探索光电导探测器灵敏度标定,给出光电导探测器50—300eV的灵敏度曲线.实验表明,这种方法是可行的.     

完善系统集成环境提高光电总体技术水平

以系统工程方法论述光电总体技术的特征、内容及方法。阐述了光电总体技术研究环境。     

基于中频相位锁定技术的宽带调谐光电振荡器稳定性研究

提出了一种基于中频相位锁定技术提升宽带调谐光电振荡器长期稳定性的方法.该方法通过外部可调本振源对光电振荡器射频信号进行下变频操作,产生中频信号,该中频信号与光电振荡器的起振频率无关.将该中频信号锁相在稳定的参考源上,能够提升宽带调谐光电振荡器的长期稳定性,同时分析了锁相环对光电振荡器相位噪声性能的影响.实验结果显示,光电振荡器的频率调谐范围可达5~15GHz,10kHz频偏处的相位噪声为-121.2dBc/Hz,频率稳定性达到6.9×10-11/103 s,表明该方法能够显著提升宽带调谐光电振荡器的稳定性.     

低噪声不隔直光电探测电路的设计

光电探测电路是光纤通信和光电检测系统中光信号转换成电信号的关键部分,但现有光电探测器大都不能同时测量脉冲光信号与直流光信号。为了获得低噪声并且能够同时测量脉冲光信号和直流光信号的光电探测器,设计一个不隔直光电探测电路,采用平衡放大方式消除直流工作点不稳定问题,提出了一种利用谐波分析法测量光电探测电路带宽的方法;同时对影响噪声的各种因素进行了研究,计算了探测电路的噪声电压和电流,提出了利用降低温度的方法提高信噪比。结果表明了该方法的有效性。     

二维材料光电探测器的研究初探

以二维材料的光电探测器为主要研究对象,介绍光电探测器的工作原理,并对多种二维材料光电探测器进行分析,提出增大光吸收率,改良二维材料的制备等改善光电探测器性能的方法。     

低噪声不隔直光电探测电路的设计

光电探测电路是光纤通信和光电检测系统中光信号转换成电信号的关键部分,但现有光电探测器大都不能同时测量脉冲光信号与直流光信号。为了获得低噪声并且能够同时测量脉冲光信号和直流光信号的光电探测器,设计一个不隔直光电探测电路,采用平衡放大方式消除直流工作点不稳定问题,提出了一种利用谐波分析法测量光电探测电路带宽的方法;同时对影响噪声的各种因素进行了研究,计算了探测电路的噪声电压和电流,提出了利用降低温度的方法提高信噪比。结果表明了该方法的有效性。     

偏置M-Z调制器构建2-bits电光模数转换相位编码方法的分析与模拟

为了降低电光相位编码器功率消耗和解决内部M Z调制器一致性要求高的问题,利用2个偏置M Z调制器构成了用于电光模数转换的2 bits电光相位编码器。理论分析了偏置M Z调制器实现2 bits电光相位编码的方法、特点和性能。仿真结果验证了采用偏置M Z调制器构成的2 bits相位编码方法可行性,并实现了对1 GHz模拟电信号的采样速率12 GSa/s模数转换。分析和仿真结果表明,采用该方法对调制器一致性要求低,对输入信号功率要求低于0.32 W。分析结果表明,调制器直流漂移不影响最低位量化结果,引起最高位量化结果的判决模糊低于3.8%。     

组合光调制中矢量分析方法

一般文献对光调制的分析方法为矩阵分析法,本文提出用矢量分析的新方法,并用此方法详细分析了电光调制和磁光调制的组合光调制中输出光强信号,得出了与矩阵方法一样的结果。     

电光调制通信实验的改进

介绍了用光纤扩充电光调制通信教学实验的方法和特点,将光纤用于电光调制通信实验中,改善了实验装置的性能,拓宽了实验范围。     

畴反转结构片状集成4×4电光开关的设计与仿真

基于铁电体畴反转结构的电光偏转特性,设计了一种片状集成的4×4电光开关,其由四个结构相同的半抛物和四个抛物形微小偏转器集成构成.通过优化抛物形偏转器结构,给出了电光开关的设计参量,电光开关性能通过光束传播法进行仿真模拟,仿真结果表明该开关切实可行.实际应用中,系统误差可以通过电场调节补偿,使光路准确交换.该片状电光开关的整体尺寸为48 mm×2.2mm×0.5 mm(长×宽×高),最大使用电场约13.73 V/μm,适用于高速交换的光互连系统.     

基于有限差分束传播法的Mach-Zehnder型波导电光调制器的模拟设计

针对掺钛铌酸锂Mach-Zehnder型波导电光调制器的结构及折射率分布,运用有限差分束传播方法(FD BPM)进行模拟计算,取得了二维情况下的最佳设计尺寸.在此基础上,把所得的设计结果与原有的用快速傅里叶束传播方法(FFT BPM)所得的结果进行比较和分析.结果显示,运用有限差分束传播方法不仅取得了预期的结果,而且,这种方法比原有的快速傅里叶束传播方法更快捷和方便,是器件设计的理想和现实的数值模拟工具.     

90年代海军光电应用研究向纵深发展

综述９０年代海军光电设备发展的某些特点，介绍舰用高能激光武器、光电海岸探雷及夜间武器测试的应用和研究状况。     

THz电磁场的新型电光探测技术及应用

介绍了一种基于线电光效应和适用于探测自由空间传播ＴＨｚ是磁辐射场的新型电光技术及潜在应用，给出最新的实验研究成果，综合比较得出用电光晶体探测ＴＨｚ电磁辐射波形明显优于传统光导偶极天线探测技术，并指出该新型电光探测系统在实时二维远红外成像技术应用中有很好的发展前景。     

KGW晶体外腔式高功率579nm喇曼黄光激光器

报道了579nm高功率KGd(WO4)2喇曼晶体外腔式喇曼黄光激光器的输出特性.基于808nm脉冲激光二极管侧面泵浦Nd∶YAG陶瓷、腔内BBO电光晶体同步延迟调Q和Ⅰ类临界相位匹配的LBO晶体腔外倍频方案,并通过外腔式KGW晶体Ng轴二阶斯托克斯喇曼频移,获得了579.54nm黄光激光输出.当脉冲信号重复频率为1kHz、532nm泵浦光最高平均功率为5.02W、脉冲宽度为10.1ns时,获得了最高平均功率2.58 W、脉冲宽度7.4ns、峰值功率348.6kW的579.54nm二阶斯托克斯喇曼黄光激光输出;532nm至579.54nm的光-光转化效率为51.4%、斜率效率为54.8%,光束质量因子Mx2-579.54=5.829、My2-579.54=6.336,输出功率不稳定性小于±2.35%.实验表明:外腔式喇曼结构能够高效地获得喇曼黄光,具有很高的光-光转化效率及良好的功率稳定性,并通过脉冲LD结合同步延迟电光调Q可获得高重复频率、高平均功率、窄脉冲宽度和高峰值功率的黄光激光输出.     

Silicon V-shaped groove measurement by spectral domain optical coherence tomography

In this research, we focuses on a new detection method for testing a micro electro mechanical systems V-shaped groove in silicon using spectral domain optical coherence tomography with a thermal light source. By this method, the V-shaped groove depth, width and bottom width were measured. The technique, because of its noncontact operation and high acquisition rate, is suitable for on-line precision measurement of V-shaped grooves in silicon.