薄膜多层布线工艺分析

薄膜多层布线工艺，采用聚酰亚胺作介质，克服成膜后的“龟裂”、减少通孔的接触电阻和防止“断台”问题，是解决好介质质量的关键。     

铝导带薄膜混合集成电路工艺的研究

在薄膜混合集成电路中，以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺。但铝与银浆的粘接一定的温度和时间下，会产生一种绝缘性金属间化合物，在一定的电压下产生穿，从而使最终产品失效。为此，可采用铝－镍复合导带加以解决，得到了满意的结果。     

埋置型薄膜多层布线技术研究

埋置型薄膜多层布线基板与其它多层布线基板相比有更高的集成度。本文讨论了埋置型薄膜多层布线基板制造工艺中的技术问题及解决措施。并成功地在埋置双层混合电路中进行了应用。     

阳析氧化铝工艺在薄膜混合集成电路中的应用

在薄膜混合集成电路中，在金导带与阻带的网络上蒸发一层铝膜，然后利用光刻与阳极氧化结合的方法来刻蚀，从而把金压焊转换为铝压焊点，以改善金导带与硅铝丝键合性能不足。同时产生一层三氧化二铝保护膜，既可保护导－阻带网络，又可实现交叉引线。在提高产品质量、降低产品成本等方面起到了重要的作用。     

薄膜多层布线的工艺优化

本文对薄膜多层布线技术中介质界面及介质通孔进行研究，分析讨论了介质表面状 及通孔的填充对薄膜多层布线的影响。     

多芯片组件用薄膜多层互连技术

本文首先指出研究多芯片组件用薄膜多层互连技术的必要性,然后对此类薄膜多层互连的材料、结构及工艺进行详细介绍,最后举例说明它在多芯片组件中的应用情况。     

微型心音听诊器薄膜混合集成电路掩模研制

本文介绍了利用光刻技术制备微型心音听诊器薄膜混合集成电路的钼掩模。着重探讨了直接关系掩模质量的抗蚀剂配制及光刻工艺。     

薄膜多层内连（TFML）技术

薄膜多层内连是实现集成电路高密度、高速度封装的一种理论途径。本文对ＴＦＭＬ的多种制作工艺进行了简介，对最近有关ＴＦＭＬ的的研究前沿进行了描述。     

集成电路中的多层布线技术

本文参考了国外近期一些有关资料,结合实际经验,对国外目前多层布线的几种方法以及今后发展趋势作了综合论述,同时对国内的多层布线技术的今后发展方向提出一些看法。     

6位数控衰减器薄膜混合集成电路的研制

本文主要介绍了数控衰减器的工作原理，并对电子开关电路的设计，衰减控制电路的设计进行了讨论。     

铝阳极氧化多层布线基板在混合集成电路中的应用研究

铝阳极氧化多层布线基板是一种新型的MCM用多层布线基板，具有优良的性能。本文介绍了这种基板的特点和制作工艺原理及制作方法，并重点介绍了它在实用化电路研制过程中的设计、关键工艺技术及电路的研制情况。