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最近从会议及文献中常看到“石墨烯单晶体”这一名词,我感到迷惑不解,欲通过贵刊请教专家。
石墨烯是graphene 的中译名,根据Geim A K 发表在Science,19 Jun 2009:Vol. 324,Issue 5934,pp.1530— 1534 之文章,将Graphene 定义为:“Graphene is a single atomic plane of graphite, which—and this is essential—is sufficiently isolated from its environment to be considered freestanding.” 相似文献
石墨烯是graphene 的中译名,根据Geim A K 发表在Science,19 Jun 2009:Vol. 324,Issue 5934,pp.1530— 1534 之文章,将Graphene 定义为:“Graphene is a single atomic plane of graphite, which—and this is essential—is sufficiently isolated from its environment to be considered freestanding.” 相似文献
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掺Co钨酸镉单晶体的坩埚下降生长及光谱特性 总被引:1,自引:0,他引:1
应用坩埚下降法,采用70℃.cm-1的固液界面温度梯度与0.50 mm.h-1生长速度,生长出了初始Co掺杂摩尔百分浓度为0.5 mol%、尺寸为Ф25 mm×120 mm的钨酸镉单晶体。晶体呈透明深蓝色。用XRD表征了获得的晶体。观测到518,564和655 nm三个可见波段吸收带以及发光中心1 863 nm(1 323~2 220 nm)的超宽吸收带。可见波段的吸收归属于Co2+在八面晶格场中4T1(4F)→4A2(4F),4T1(4F)→4T1(4P)跃迁叠加,而红外波段的宽带吸收则为八面体场Co2+的4T1(4F)→4T2(4F)能级跃起所致。从吸收特性表明,Co离子掺杂于畸变的氧八面体中,呈现+2价态。根据吸收光谱计算出晶格场参数Dq=990 cm-1,Racah参数BC=726.3 cm-1。在520 nm波长光的激发下,观察到778 nm波段的荧光发射,归属于八面体晶格场中Co2+的4T1(4P)→4T1(4F)能级的跃迁。从吸收与荧光强度的变化推断:沿着晶体生长方向,Co2+浓度逐渐增加,有效分凝系数小于1。 相似文献
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近年来,直拉法生长单晶体普遍地采用了电子称重直径自控技术[1,2].然而,在直径控制良好的晶体中仍然存在一种因功率起伏而产生的生长条纹(即功率条纹)[3],这种条纹影响了晶体质量.在我们实验室中,已用电子称重法生长了LiNbO3单晶体,并利用引入时标(timemarker)的方法[4]研究了功率条纹的成因,下面简要地报道所取得的主要结果. 电子称重直径自控系统的装置如图1所示.其特点是,置于电子秤上的坩埚及其托杆都不与炉内任何物体接触,处于自由状态;托杆上装有油封减震器,除可通过阻尼作用消除因晶体旋转而产生的噪音外,还可防止冷空气进入炉膛,… 相似文献
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A DOUBLE-TEMPERATURE-GRADIENT TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PURE C60 SINGLE CRYSTALS FROM THE VAPOR PHASE 下载免费PDF全文
Pure C60 single crystals were grown by a sublimation-condensation method in an evacuated dosed quartz tube situated in a double-temperature-gradient furnace. Large C60 single crystals, up to a size of 0.6 mm×1.0 mm×2.0 mm with quite smooth and shiny faces, were obtained. X-ray diffraction, electron diffraction and X-ray morphology were carried out and showed that the quality of large C60 single crystals grown by the double-temperature-gradient technique is excellent. In this paper the experimental results of the growth of large C60 single crystals are reported and the morphological and structural characterizations are discussed in detail. 相似文献
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A DOUBLE-TEMPERATURE-GRADIENT TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PURE C60 SINGLE CRYSTALS FROM THE VAPOR PHASE 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Pure C60 single crystals were grown by a sublimation-condensation method in an evacuated dosed quartz tube situated in a double-temperature-gradient furnace. Large C60 single crystals, up to a size of 0.6 mm×1.0 mm×2.0 mm with quite smooth and shiny faces, were obtained. X-ray diffraction, electron diffraction and X-ray morphology were carried out and showed that the quality of large C60 single crystals grown by the double-temperature-gradient technique is excellent. In this paper the experimental results of the growth of large C60 single crystals are reported and the morphological and structural characterizations are discussed in detail. 相似文献
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在激活的低压条件下,金刚石气相稳定生长的同时石墨会被腐蚀.这是近二三十年来国际上的一个热力学难题,甚至被认为是“热力学的悖论”.用非平衡热力学耦合理论可以给予很好的解释,并推导出非平衡定态相图的全新概念.在新型相图中金刚石在低压下是稳定相,而石墨被激活成为亚稳相.理论计算与文献报道的大量实验数据定量化地相符 相似文献
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采用改进的气相外延法在(100)GaAs衬底上外延生长了ZnSe单晶膜。最大生长速率为每小时10μm左右。淀积过程的激活能为10kcal/mol。在77K的温度下测量了外延膜的光致发光,4460Å附近可以观察到很强的蓝色发射。外延膜的电阻率~1.1Ω·cm。 相似文献
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微重力条件下材料气相生长研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文概述了近二十多年来国外空间气相生长晶体材料及薄膜材料研究工作的进展状况.着重介绍了国外空间气相生长研究的历史过程、研究的主要内容及所采取的研究手段,详细地总结了关于空间气相生长的主要飞行结果,并对国外如何进行数值模拟和实验室模拟等地面准备工作做了较充分的描述. 相似文献
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高纯CdS单晶生长及光学性质 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道用物理蒸气输运(PVT)法,通过对原料的提纯和控制组分蒸气压生长出高纯CdS单晶.叙述了控制晶体化学比的方法并通过比较CdS的激子光谱以评价材料的纯度. 相似文献
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超声研究室超声压电材料组 《物理学报》1979,28(6):783-790
采用润湿导模技术生长出大块的片状铌酸锂单晶,尺寸可达200mm长、20mm宽、3mm厚。经测试,性能与柱状单晶相同。为了做好此项工作,我们测定了铌酸锂熔体的密度ρm与表面张力α等物理常数,得出在1270℃时ρm=3.57×103kg/m3,α=204dyne/cm;在1300℃时ρm=3.42×103kg/m3,α=192dyne/cm。
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