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PdCl_2/SiO_2和Pd-B/SiO_2非晶态合金催化剂的Raman光谱表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用共焦显微Raman光谱和X-射线衍射方法表征了负载型PdCl2/SiO2和Pd-B/SiO2非晶态合金催化剂的结构。结果表明PdCl2分散在SiO2载体上后,与载体表面的相互作用使其在室温时即发生β→α构型转变。Pd-B/SiO2非晶态合金的Raman光谱在300-500cm-1区域内呈现一大的弥散峰。与无负载Pd-B非晶态合金比较初步认定该弥散峰与Pd-B键振动有关,温度升高Pd-B/SiO2催化活性下降,其主要原因为Pd-B/SiO2非晶态合金在高温下逐渐晶化为Pd金属所致。PdCl2与SiO2载体表面的相互作用使其具有较高的分散性,由此还原制备的Pd-B/SiO2非晶态合金较之无负载Pd-B非晶态合金更加微细化,因而具有更大的活性比表面 相似文献
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PdO引入对CuO/γ—Al2O3催化剂结构与性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
运用PTR,SEM,XRD阶梯扫描及CO和CH4氧化活性测定表征技术研究了CuO/γ-Al2O3催化剂及负载PdO对催化剂性能的影响。结果表明,CuO/γ-Al2O3催化剂上引入不同含量的PdO,使TPR还原峰温欠下降。对载体上CuO平均晶粒大小的测定表明随PdO含量的增加,CuO平均晶粒逐渐减小;SEM对PdO-CuO/γ-Al2O3催化剂上Cu元素分布的面扫描测定亦证实了随PdO含量的增加,催 相似文献
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本工作以SiO2-TiO2凝胶体系为基质,选择合适的溶剂,采用特定的溶胶-凝胶工艺,成功地将纯的C60和C60/C70混合物分别均匀掺入上述基质中,研究了吸收与荧光光谱特性,室温下观测到峰位置位于660nm附近的较强荧光带,对上光谱性质作了初步的解释。 相似文献
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溶胶—凝胶法制备CdS微晶掺杂TiO2/SiO2薄膜及其非线性光学特性 总被引:3,自引:1,他引:2
采用溶胶-凝胶方法在普通的载玻片上制备了CdS微晶掺杂的TiO2/SiO2复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料,比较了两种硫化剂:硫尿和硫代乙酰氨的硫化作用。X射线衍射谱和拉曼光谱揭示了CdS微晶镶嵌在TiO2/SiO2薄膜的玻璃网络中。不同热处理温度、不同热处理时间的吸收光谱表明薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Z扫描技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率n2=-4.67×10-7esu。 相似文献
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ZrO2对提高CuO/γ—Al2O3催化剂热稳定性的作用 总被引:2,自引:0,他引:2
运用XRD,BET比表面积,Cu活性表面积和CO氧化活性测定,研究了ZrO2对提高CuO/γ-Al2O3催化剂热稳定性的作用,研究结果表明,CuO/γ-Al2O3催化剂加剂一定量的助剂ZrO3在950℃高温焙烧下,除了能提高CO转化率外,还能延缓载体γ-Al2O3的α相变,保持较高的比表面积,同时能抑制活性组分的聚结,保持较大的Cu活性表面积,从而提高了CuO/γ-Al2O3催化剂,热稳定性ZrO 相似文献
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本工作以SiO_2和SiO_2-TiO_2凝胶体系为基质,选择合适的溶剂,采用特定的溶胶一凝胶工艺,成功地将纯的C_(60)和C_(60)/C_(70)混合物分别均匀掺入上述基质中.研究了吸收与荧光光谱特性.室温下观测到峰置位于660nm附近的较强荧光带.对上述光谱性质作了初步的解释. 相似文献
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利用拉曼光谱表征了不同方法添加CeO2-ZrO2混合氧化物对Pt/Al2O3催化剂的影响,并采用了XRD,H2化学吸附,BET表征了相应的分散度影响。结果表明:Ce、Zr、与金属Pt存在着强的相互作用,而CeO2-ZrO2以盐的形式加入时,高度分散在Al2O3载体上,提高贵金属Pt的分散度,进而提高了反应的活性。 相似文献
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用标准固相反应法,我们制备了Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3Oy和Bi2CaCu2Oy纯相样品,在液氮温度下测量了Cu-NQR和B-NQR静态谱,发现NQR谱都为大宽包,Cu-NQR谱线位置反映铜原子所处的氧环境,Bi2Sr2Cu2Oy的NQR谱宽反映其调制结构,Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3OyNQR谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大,Bi-NQR谱很难观察。 相似文献
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Ba,Sr,Ca在Co/γ—Al2O3催化剂上CO氧化的作用机制(II) 总被引:2,自引:0,他引:2
用硝酸盐水溶液等量共浸法制备了分别在750℃和900℃焙烧的系列催化剂Co-M/γ-Al2O3(M=Ca,Sr,Ba,Co3O4/Al2O3=8wt%,M/Co=15mol%)测定了CO氧化转化率,用BET表面,XRD,XPS,DTA和TPR等手段研究了助剂Ba,Sr,Ca的作用,结果表明,加入助剂后,CO完全转化温度下降了20~60℃左右,助剂的作用顺序为Ca>Sr>Ba,实验表明,750℃和9 相似文献
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非晶态半导体/金属薄膜的分形晶化 总被引:4,自引:0,他引:4
本文综述非晶态半导体/金属薄膜退火过程中金属诱导非晶态半导体晶化的研究,综述对若干非晶态半导体与金属组成的薄膜(Ge-Au、Ge-Ag、Ge-Al、Ge-Se、Ge-pd、Si-Ag、Si-Al、Si-pd、Si-Cu、sic-Al、Si_3N_4-A1)晶化后形成的图形进行的分形研究,内容包括分形形成的实验规律、根据微结构电镜观测结果提出的随机逐次成核模型、以及对分形晶化进行的计算机模拟。 相似文献
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用直流平面磁控溅射沉积薄膜的方法在Si和玻璃基片上制备了Ta2O5/TiO2混合薄膜,薄膜的透射光谱研究结果表明,在TiO2掺入浓度为0到17%,薄膜的折射率从2.08到2.23。薄膜折射率与掺入TiO2的浓度呈近线性关系。薄膜的MOS电容器的I-V和C-V测量表明,经过退火处理能够提高Ta2O5/TiO2混合薄膜的介电常数。 相似文献
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本研究了利用YSZ(Y稳定的ZrO2)缓冲层在Si衬底上单靶偏轴溅射Bi-Sr-Ca-Cu-O高温超导薄膜的工艺条件,给出了YSZ和BSCCO薄膜的性能测试结果,并根据电镜分析结果,提出了BSCCO薄膜的螺旋柱状生长机理。 相似文献
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本报道用MOCVD方法在以15cm/hr速度连续走带的Ag/Ai复合基体上制备YBCO超导带的结果。所有YBCO超导带的Jc值为1.3×10^4A/cm^2;样品主相为YBCO123,呈强烈c-轴取向,其衍射峰的摇摆曲线半高宽约为2.8°;另外,还含有少量Y2BaCuO5和BaCuO2杂相,本还用SEM和EDX对样品沉积层进行了观测分析。 相似文献
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对[μ-CF_3CO_2)_2Ln(μ-CF_3HCO_2)Al(i-Bu)_2·THFl_2(Ln=Nd,Y)配合物单晶结构的X-射线分析指出,配合物具有中心对称性,配位中心由两个稀土和两个Al离子组成,稀土由两个THF和6个TFA分子配位形成畸变的三盖三棱柱结构,Al由两个TFAG和两个i-Bu配位形成四面体结构。桥连Al与两个稀土的TFA分子的羧基发生歧化加氢,其碳原子由SP ̄2型转变为SP ̄3型.NMR研究表明,在THF溶液中,该配合物保持了它在单晶中的配位结构,所不同的是两个i-Bu在溶液中有两种异构形成,二者间为慢交换过程。 相似文献