强激光场诱导自电离理论

在Fano模型中考虑了在离化限之上额外吸收一个光子的二阶离化过程,重新研究了强激光场诱导自电离的动力学,着重讨论了二阶离化过程对光电子谱的重要影响.     

强激光场下的双光子自电离理论

本文研究了包括二阶离化过程的强激光场下的双光子自电离。导出了光电子谱的解析表达式,并对一些特殊情况下的光电子谱进行了分析。     

Sb掺杂SrTio3透明导电薄膜的光电子能谱研究

用X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究了Sb掺杂的钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0.05,0.10,0.15,0.20)薄膜的电子结构.薄膜由紫外脉冲激光淀积在SrTiO3(001)单晶衬底上.该薄膜系列在可见光波段透明,透过率均超过90%.其导电性与掺杂浓度有关,当Sb掺杂浓度x=0.05时,薄膜显示金属型导电性.X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究结果表明,Sb掺杂在母化合物SrTiO3的禁带内引入了浅杂质能级和深杂质能级.浅杂质能级上的退局域化电子离化到导带中会产生一定的传导电 关键词： 光电子能谱 光学透过率 脉冲激光沉积薄膜     

平滑激光脉冲诱导的阈上离化

阈上离化(above-threshold ionization)是近年来发现的一种新现象。本文在基本态模型基础上利用非微扰理论研究了高斯型激光脉冲诱导的阈上离化,讨论了其特征光电子能谱随时间的演化。 关键词：     

光滑激光脉冲作用下的强场自电离

本文研究了光滑激光脉冲作用下包含高阶离化的强场自电离过程,导出了其中的基本方程,得到了基态布居和光电子谱的一系列解析表达式。讨论了指数增长脉冲作用时的具体结果,发现高能谱比低能谱更能呈现出光电子谱在脉冲光作用下特有的多峰分裂。     

二阶离化对缀饰态稳定性的影响

推广了包含二阶离化和自电离耦合的缀饰态理论,并研究了二阶离化对缀饰态稳定性的影响。结果表明:二阶离化破坏了缀饰态的稳定性,但二阶离化中的C-C耦合在某种程度上可以降低这种不稳定性。 关键词：     

光电子谱的峰开关效应

在文献[12]的基础上研究了强激光场作用下自电离原子的光电子谱,发现了与强场多光子电离中相类似的峰开关效应,从而进一步证实了强场下二阶离化过程和光电子谱中高阶峰的重要作用.本文结果对已有的强场自电离理论作了重要修正. 关键词：     

强激光场诱导自电离中的相干效应

已有的强激光诱导自电离理论都未考虑二阶离化过程,而本文则详细研究了这种相干弛豫机制对光电子谱等的影响。结果表明,在以往文献讨论的光强范围内,许多物理性质将因此发生重要改变:(1)在某些条件下,谱线变窄(line-narrowing)效应会消失;(2)原有的光电子峰大为消弱;(3)与最新的多光子电离实验结果一致,高阶光电子谱峰随光强的提高急剧增强,在足够强的光场下将起主导作用。 关键词：     

多光子过程和自发辐射对激光诱导自电离的影响

利用反作用算符的方法,研究了一个单模激光场将原子从束缚能级激发到自电离能级的过程中,双光子过程和自发辐射过程的影响。研究结果表明:自发辐射对这种光电离过程的影响一般情况下是很小的,但光子能谱特性十分明确地表明,辐射主要来源于由态共振加强的喇曼过程;并显示了激光诱导自电离过程中的缀饰(Dressed)原子图像;双光子过程将使光电子能谱和光诱导自电离过程变得非常复杂,单光子和双光子过程所产生的光电子能谱,都具有多极大值结构。     

一个新型、综合的表面分析装置———同步辐射光电子能谱实验站

一个新型、综合的表面分析装置———同步辐射光电子能谱实验站刘凤琴奎热西钱海杰陶小平杨易董宇辉贾金蜂（中国科学院高能物理研究所，北京１０００３９）在所有现代表面分析技术中，光电子能谱是使用最广泛的一种．光电子能谱主要研究处于表面的物质的电子结构，因而...     

MONTE CARLO CALCULATION OF THE EFFICIENCIES OF THE LEAD GLASS DETECTORS FOR HIGH-ENERGY GAMMA RAYS

In this paper, the electromagnetic shower processes occured in the lead glass detector are simulated by the Monte Carlo method, the light collection effects being taken into account. The primary energy of gamma ray is from 8 to 30 MeV. The detected efficiency function, the energy resolution curve and photoelectron number distribution (the pulse-height spectra) are presented for the lead glass detector. The calculated results are satisfactory.     

CN薄膜结构特性的研究

利用离化团束(ICB)方法在Si(111)衬底上生长了CN薄膜。X光衍射(XRD)分析表明薄膜呈β-C₃N₄晶态结构,X射线光电子能谱(XPS)测定薄膜含N量为20％,并且观察到C1_s和N1_s芯能级谱中存在双峰。红外吸收光谱呈现C—N和C≡N的吸收峰。高能反射式电子衍射(RHEED)也证实薄膜中存在晶态物质。薄膜的努氏显微硬度值达到6200kgf·mm^-2。 关键词：     

强场自电离光电子谱中峰开关效应的破坏

研究了激光场的空间非均匀性、探测器接收角(或孔径光阑)的大小对强场自电离光电子谱的影响,结果表明,上述因素对光电子谱有显著影响,当探测器接收角(或孔径光阑)较小时,光电子谱出现峰开关效应;而当接收角(或孔径光阑)较大时,峰开关效应则被完全破坏。     

氮化铌表面氧化物的XPS研究

本文用X射线光电子能谱(XPS)对室温下自然氧化和射频氧化的氮化铌薄膜表面进行了成分分析。指出:与在类似条件下纯铌膜的氧化不同,NbN膜的表面氧化物中不存在NbO和NbO₂,而是以Nb₂O₃作为从NbN到Nb₂O_5-y的过渡相。氮化铌在氧化过程中表现出一种抑制Nb₂O,NbO等低价传导性氧化物生成的能力,这对于用氧化物作势垒的超导隧道结的研制具有实际参考价值。 关键词：     

InP/SiO2纳米复合膜的微观结构和光学性质

应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP/SiO₂复合薄膜,并在几种条件下对这些薄膜进行退火.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明,复合薄膜中InP和SiO₂的化学组分都大体上符合化学计量配比.X射线衍射和激光喇曼谱实验结果都证实了复合薄膜中形成了InP纳米晶粒.磷气氛保护下的高温(520℃)退火可以消除复合薄膜中残存的In和In₂O₃并得到了纯InP/SiO₂纳米复合薄膜.实验观察到了室温下纳米复合薄膜的明显的光学吸收边蓝移现象和光学非线性的极大增强 关键词： InP 纳米晶粒 微观结构 光学性质     

聚合物薄膜中生色团分子间的相互作用对其宏观二阶非线性的影响

制备了3-(1,1-二氰基噻吩)-1-苯-4,5-二羟基-H-噻唑(DCNP)与聚醚醚酮(PEK-c)组成的主客掺杂聚合物薄膜,用Maker条纹法测量了不同掺杂浓度下薄膜的二阶非线性系数χ₃₃⁽²⁾.实验结果表明,聚合物中生色团的含量高到一定程度,其宏观二阶非线性随生色团含量的增加反而下降.本文在考虑聚合物中生色团分子相互作用的情况下,修正了聚合物宏观二阶非线性与生色团的含量之间的关系,此时聚合物宏观二阶非线性与生色团的含量已非简单的正比关系.讨论了生色团分子间 关键词：     

单层纳米碳管振动模的拉曼光谱研究

测量了单层纳米碳管的一级、二级拉曼光谱.在40—3300cm^-1范围内观测到18条一级拉曼谱线和7条二级拉曼谱线,理论所预言的谱线几乎全被观测到,谱峰位置和理论值符合得很好.通过和理论值的对照,对这些谱线作了初步标定.所观测到的单层纳米碳管的拉曼激活振动模数目及二级拉曼谱线条数都是迄今最多的. 关键词：     

光纤Bragg光栅的饱和效应

光纤 Bragg光栅的饱和效应可引起二阶衍射,并使一阶衍射的峰值反射率下降.本文利用折射率变化模型和耦合模理论,模拟了饱和情况下 Bragg光栅的一阶和二阶衍射谱,并讨论了饱和系数对一阶和二阶衍射的 Bragg波长和峰值反射率的影响.数值模拟结果与参考文献中的实验结果相吻合.