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杂质的添加对SrAl2O:Eu^2+,Dy^3+余辉发光特性的改善 总被引:16,自引:5,他引:11
采用溶胶-凝胶法制备SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 磷光体,并在合成过程中添加硼或硅以探讨光致发光及长余辉发光性质。发现硼、硅添加物不仅是助熔剂,且能改良SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 之长余辉的持续时间及余辉发光强度。基于不同磷光体样品的实验结果比较,综合材料表面微结构观察、X射线衍射图谱、热释发光光谱与余辉衰减曲线的测量等实验结果分析,推断在SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 中添加硼、硅可导致磷光体缺陷增加并稳定活化剂Eu^2 的价态。 相似文献
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采用高温固相法制备了碱土金属离子(Mg^2+,Ca^2+,Ba^2+)掺杂的SrAl2O4:Eu^2+,Dy^3+长余辉荧光粉。XRD谱分析表明,随着基质中掺入的碱土金属离子(Mg^2+,Ca^2+,Ba^2+)浓度增加,基质晶格常数也随之发生变化。Mg^2+,Ca^2+和Ba^2+ 3种碱土离子在SrAl2O4中的固溶范围分别为40%,15%和30%。光谱分析则表明在固溶范围内随着掺杂Mg^2+,Ca^2+和Ba^2+浓度的增大,样品的发射峰值会在480~530nm范围出现规律性移动。适当浓度的Mg^2+,Ba^2+掺杂会不同程度地提高样品的发光强度,而Ca^2+的掺杂则会降低发光强度。但是碱土金属离子(Mg^2+,Ca^2+,Ba^2+)的掺杂并不能延长SrAl2O4:Eu^2+,Dy^3+荧光粉的余辉时间。 相似文献
3.
稀土氧化钕对铝酸盐长余辉发光材料性能的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
制备了SrAl2O4:Eu2 ,Nd^3 和SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 ,Nd^3 长余辉材料,研究了所合成的材料在不同波段紫外光激发条件下的发光光谱和激发光谱的差异和Eu^2 ,Dy^3 ,Nd^3 的摩尔掺杂浓度对材料的余辉性能的影响等。 相似文献
4.
A novel method for synthesizing long afterglow silicate phosphor Sr3MgSi2O8:Eu^2+,Dy^3+using TEOS and inorganic powders as reactants was reported. Acetic acid as a catalyzer controlled the hydrolysis of TEOS by adjusting pH value of the system. The morphologies of precursor were characterized by transmission electron microscope (TEM). The structure and optical properties of the phosphor powders were systematically investigated by means of X-ray diffraction and spectrofluorometry. TEM images have reflected the core-shell structure and quasi-spherical morphology of the precursor particles. It was found that the single-phase Sr3MgSi2O8 crystalline structures were obtained at 1050 and 1250 ℃ for the samples prepared with the nano-coating method and the solid state reaction, respectively. The emission intensities of the phosphors prepared by the present method were higher than those by the conventional process. Also, the afterglow characteristic was better than that prepared by solid-state reaction in the comparable condition. 相似文献
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Ga2S3:Eu^2+和SrGa^2+xS4+y:Eu^2+系列荧光粉的发光性能研究 总被引:3,自引:1,他引:3
采用高温固相法合成了Ga2S3:Eu^2 和SrGa2S4:Eu^2 系列荧光粉。发现Ga2S3:Eu^2 的发射峰位于570nm附近,SrGa2S4:Eu^2 的发射峰位于535nm附近。同时进一步探讨了SrGa2 xS4 y:Eu^2 体系中,过量的Ga对发光的影响,通过漫反射光谱和XRD谱确定过量的Ga是以Ga2S3的形式存在于SrGa2S4相中;通过荧光光谱发现过量的Ga并不引起SrGa2S4:Eu^2 发射峰的位移,而是增强其在400-520nm处激发峰的强度,从而增强Eu^2 在535nm处的发光强度。 相似文献
6.
利用硝酸铝、硝酸锶/硝酸钡、尿素为原料,以一定比例H2O/正丁醇/CTAB的混合液作传递压力的介质进行反应,然后将得到的前驱体在还原气氛下高温煅烧,得到亮度高、余辉时间长的MAl2O4∶Eu^2+,Dy^3+纳米结构长余辉发光材料。TEM测试表明,高温煅烧后得到的MAl2O4∶Eu^2+,Dy^3+均为棒状结构,其激发光谱和发射光谱均为宽带,主发射峰分别为513和498 nm,是典型的Eu^2+5d→4f跃迁。在对单掺Eu^2+与双掺Eu^2+,Dy^3+比较的过程中,明显发现双掺Eu^2+和Dy^3+的强度增加,且余辉增强。材料的余辉强度随时间的变化由最初的快减过程和随后的慢减过程组成,符合I=t^-1.1双曲线规律。该方法操作简单,在不同的温度和时间下均合成出了棒状MAl2O4∶Eu^2+,Dy^3+,不需球磨,可直接应用。 相似文献
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R3GeVO9(R=Y,La):Eu^3+(或Dy^3+)的合成及其发光性质 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高温固相法台成了稀土复合钒锗酸盐R3GeVO9(R=Y,La)体系,并以此为基质研究了Eu^3 和Dy^3 在其中的发光性质,以Eu^3 为结构探针探讨了En^3 在R3GeVO9(R=Y,La)中的格位情况。同时,还研究了被取代离子R^3 Z/r对Eu^3 的红橙比和Dy^3 的黄蓝比的影响以及浓度、温度和Bi^3 对它们发光强度的影响。 相似文献
11.
SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料发光性能与温度依赖研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料在100~500 K温度之间的发光性能进行研究.实验结果表明,材料的荧光及余辉强度在特定温度区间内呈线性变化,在热释峰所在温度范围具有较好的发光性能.其变化规律表明SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料内部陷阱中电子的释放包括瞬时释放和延时释放两种类型,其中电子瞬时释放进而跃迁发光是荧光的组成部分,延时释放产生的跃迁则导致余辉发光.陷阱和电子的复合与陷阱中电子释放过程均随温度升高而增强,但温度过高时会发生热猝灭.材料荧光强度与余辉强度在特定温度区间内随温度呈线性变化关系表明其可以作为一种光纤温度传感材料. 相似文献
12.
Ca1—xZnxTiO3:Pr^3+,R^+(R^+=Li^+,Na^+,K^+,Rb^+,Cs^+,Ag^+)的合成和发光性质 总被引:17,自引:4,他引:17
《中国稀土学报》2001,19(6):602-605
采用X射线衍射、荧光光谱和热释发光研究了Ca1-xZnxTiO
3∶Pr3+, R+的物相组成和发光性质. Pr3+取代Ca2+形成PrCa ·正电性缺陷发光中心.
激发光谱是峰值位于330 nm附近的宽带谱, 发射光谱是峰值在613 nm半宽度为20
nm的带谱, 对应Pr3+的1D2-3H4跃迁发射. 发光强度和余辉随基质组分Zn/Ca摩尔比和合成温度而变化.
Zn2+的最佳含量在10%~20%. X射线衍射研究表明掺入适量的Zn2+物相组成为CaTiO3,
Ca2 Zn4Ti15O36和Zn2TiO4. 热释发光曲线表明掺入Zn2+离子后体系中形成了新的缺陷ZnTi″,
且ZnTi″的缺陷陷阱深度大于RCa′. 相似文献
13.
Ca2Y8(SiO4)6O2:RE(RE=Eu,Tb)发光薄膜的制备及发光性能的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用溶胶-凝胶法制备了稀土离子掺杂(Eu^3 ,Tb^3 )的氧磷灰石三元稀土硅酸盐Ca2Y8(SiO4)6O2发光薄膜。通过X射线衍射(XRD),红外光谱(IR),扫描电镜(SEM)等方法对薄膜的组成、结构、颗粒尺寸、形貌及厚度进行了研究,通过发光光谱对薄膜的发光性质进行了分析。XRD结果表明700℃时薄膜尚处于非晶态,800℃时已开始有Ca2Y8(SiO4)6O2的物相形成,1000℃时结晶已完全。这一点和红外光谱的结果相符。发光光谱测试表明Ca2Y8(SiO4)6O2:Eu^3 薄膜显示了很强的红光发射,并以Eu^3+的^5D0-^7F2(616nm)超灵敏跃迁为最强一组。Ca2Y8(SiO4)6O2:Tb^3 的发射光谱由蓝光发射和绿光发射两部分组成,前者对应于^5D3-^7FJ,后者对应于^5D4-^7FJ(J=6,5,4,3),且以^5D4-^7F5(544nm)绿光发射为最强。 相似文献
14.
采用高温固相法合成出系列黄光Sr3SiO5:Eu2+,RE3+(RE=Sm,Oy,Ho,Er)化合物,从XRD,荧光光谱以及热释光曲线方面系统研究其荧光、长余辉发光性质及其在固态照明(LEO)上的应用.研究结果表明:利用某些三价稀土离子的共掺杂,获得荧光增强的高亮度橙黄色荧光材料Sr3SiO5:Eu2+,RE3+,并且观察到橙黄色长余辉现象(RE=Oy,Ho,Er);热释光谱的主峰位于100℃左右.将其和近紫外LEo(~395 nm)或蓝光LED封装成高亮度橙黄光和白光LED,光效高达约40 lm·w-1以上.此化合物将在固态照明与显示、信息存储等方面获得应用. 相似文献
15.
研究了峰值波长651nm的红色发光材料(CaO)20.68(MgO)1.32(SiO2)4S2:Eu^2+,Dy^3+的制备及发光特性。通过XRD分析表明硫气氛中合成的材料为具有硫成分的硅酸盐相。红光发射带为硫元素进入晶格后在发光中心周围形成了类似长余辉材料CaS:Eu^2+,Cl^-的局域结构。这也使材料具有了硫化物长余辉材料的发射光谱特征和硅酸盐材料高化学稳定性和高亮度的优点。热释光测量揭示它可能是一种潜在的红色长余辉材料。 相似文献
16.
红色长余辉发光材料Ca2Zn4Ti15O36:Pr^3+的合成和发光性质 总被引:4,自引:0,他引:4
分别采用高温固相法和溶胶-凝胶法合成了新型红色长余辉发光材料Ca2Zn4Ti15O36:Pr。高温固相法合成Ca2Zn4Ti15O36需要在1200℃灼96h才能形成纯物相。热重分析曲线和X射线衍射分析结果表明:溶胶-凝胶法制得的前驱体在700℃灼烧12h开始形成Ca2Zn4Ti15O36物相;在1000℃灼烧24h得到Ca2ZnTi15O36纯物相;最佳反应温度为1000℃,激活剂Pr^3 的最佳浓度为0.6mol%,发光强度比高温固相法增强了510%。 相似文献
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杂质的添加对SrAl_2O_4∶Eu~(2 ),Dy~(3 )余辉发光特性的改善 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶 凝胶法制备SrAl2 O4 ∶Eu2 ,Dy3 磷光体 ,并在合成过程中添加硼或硅以探讨光致发光及长余辉发光性质。发现硼、硅添加物不仅是助熔剂 ,且能改良SrAl2 O4 ∶Eu2 ,Dy3 之长余辉的持续时间及余辉发光强度。基于不同磷光体样品的实验结果比较 ,综合材料表面微结构观察、X射线衍射图谱、热释发光光谱与余辉衰减曲线的测量等实验结果分析 ,推断在SrAl2 O4 ∶Eu2 ,Dy3 中添加硼、硅可导致磷光体缺陷增加并稳定活化剂Eu2 的价态。 相似文献
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采用溶胶鄄凝胶法制备了SrAl2O4∶Eu2 ,Dy3 纳米长余辉发光材料,研究了pH值、反应温度和络合剂等对溶胶鄄凝胶形成的影响,研究了灼烧温度对SrAl2O4∶Eu2 ,Dy3 晶相、颗粒尺度和发光性能的影响。利用XRD,SEM,光谱分析等手段对产物进行了结构和性能分析。实验结果表明,在800℃时SrAl2O4晶相开始形成但没有发光,而在1100℃烧结的样品则具有很好的发光性能。样品平均晶粒尺寸随灼烧温度升高而增加,平均晶粒尺寸为20~40nm。样品的激发光谱是峰值在240,330,378和425nm的连续宽带谱,发光光谱是峰值在523nm的宽带谱,与SrAl2O4∶Eu2 ,Dy3 粗晶材料相比,发光光谱发生了“红移”现象。样品的热释光峰值位于157℃,与SrAl2O4∶Eu2 ,Dy3 粗晶材料相比,峰值向低温移动了13℃。 相似文献
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喷雾热解法制备球形SrAl_2O_4:Eu,Dy长余辉发光材料 总被引:2,自引:1,他引:1
采用喷雾热解两段法制备了SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料,利用SEM、荧光长余辉亮度测试、F-4500荧光分光光度等方法分析了不同制备工艺条件下SrAl2O4:Eu,Dy发光材料的形貌、余辉性能以及光谱性能的变化。采用喷雾热解两段法可制备出余辉性能良好的球形SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料。前驱体溶液浓度、热解温度、添加剂对产物的形貌、粒度分布、发光性能有较大影响。较之高温固相法,喷雾热解法制备的SrAl2O4:Eu,Dy具有合成温度低、发光性能好、形貌好、粒度分布窄等优点。 相似文献
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H3BO3对微波等离子体法合成SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
采用微波等离子体法合成SrAl2O4:Eu^2+ Dy^3+长余辉发光材料,探讨了H3BO3的加入对材料的光谱性能、余辉性能、相组成结构、微观形貌的影响。结果表明,适量的添加助溶剂H3BO3,有利于增强材料的发光强度,延长余辉时间,但过量的添加反而会导致发光性能下降。本试验确定硼酸的最佳添加量为10%。综合检测分析结果推断,硼酸加入后在高温下大部分形成液相,并通过液相传质促进晶体生长,提高基质的结晶程度,同时促进稀土离子Eu^2+,Dy^3+进入晶格并使其分布更均匀;而少部分则会进入晶格发生B取代Al,引起晶体场畸变,从而提高了材料的发光强度和长余辉特性。 相似文献