4.5—20KeV能区Fe的光电截面测量

利用质子束激发单质金属元素靶产生的K线或L线特征x射线及Si(Li)谱仪测量了4.5—20keV能区Fe的x射线衰减系数。对于孤立的较强特征x射线,x射线系数实验误差小于1％。由于谱仪能量分辩限制,形成的重峰,利用XABS解谱程序也得到了各组分谱线较好的实验结果。由总的光子衰减截面扣除散射截面得到了光电截面实验值。与以前的实验结果及理论值进行了比较,并作了讨论。     

钨和钆在560—1610keV能区的中子俘获截面测量

本工作是在2.5MeV脉冲化质子静电加速器上,使用大液体闪烁探测器和飞行时间法,相对于金的俘获截面测量了钨和钆六个能量点的中子俘获截面.结果与他人近期的测量符合较好.     

X射线质量衰减截面和光电截面的高精度测量

利用特征Ｘ射线源系统地测量了Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｙ、Ｉｎ、Ｓｎ等六种元素及ＳｉＨ４的Ｘ射线质量衰减系数,实验误差为±１％． By using the characteristic X ray sources and the Si( Li) detector system, the X ray mass attenuation coefficients for Si,Fe,Cu,Y,In,Sn and SiH 4 have been systematically measured in the energy range of 1.486～29.109 keV. The accuracy of experimental data has been reduced to ±1% .     

激光加热Cu和NaF靶产生的1.2keV区X射线转换效率的测量

介绍了激光加热Cu靶和NaF靶发射的在1.2keV区X射线转换效率的测量方法和实验结果。结果表明,在激光辐照功率密度为1×10¹³—1×10¹⁴W·cm^-2条件下,激光波长为1.06μm或0.53μm时,Cu等离子体发射的1.2KeV区X射线的转换率为NaF等离子体的4—5倍;对此两种等离子体,激光波长为0.53μm的X射线转换效率是波长为1.06μm的2倍左右。 关键词：     

9—28keV电子引起的Cu的K壳层电子电离截面

用高分辨的Ｓｔ（Ｌｉ）探测器测量Ｃｕ靶在９—２８ｋｅＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。运用用电子输运双群模型对衬底的反射对电离的贡献进行了修正。测量结果与前人的实验和经验公式计算结果作了比较。     

铝原子激发态近阈限光电离截面测量

本文利用激光烧蚀、激光泵浦-探测、共振增强多光子电离和飞行时间质谱相结合的实验技术,根据离子产额和电离激光能量的关系,获取铝原子激发态的光电离截面;并研究了光电离截面与电离富余能的依赖关系.电离富余能0-2.98 e V内光电离截面值范围为15.6±1.7 Mb-2.3±0.9 Mb,激发态的寿命为17.6±1.8,16.9±1.7 ns.在光电离截面的测量中,总的均方根误差上限约为17%.     

铝原子激发态近阈限光电离截面测量

本文利用激光烧蚀、激光泵浦-探测、共振增强多光子电离和飞行时间质谱相结合的实验技术,根据离子产额和电离激光能量的关系,获取铝原子激发态的光电离截面;并研究了光电离截面与电离富余能的依赖关系.电离富余能0-2.98 eV内光电离截面值范围为15.6±1.7 Mb-2.3±0.9 Mb,激发态的寿命为17.6±1.8,16.9±1.7ns.在光电离截面的测量中,总的均方根误差上限约为17%.     

13.5-14.6MeV能区中子引起的铂同位素核反应截面测量

用活化法以93Nb(n，2n)92mNb和27Al(n，a)24Na反应截面为中子注量标准，对198Pt(n，2n)197m+gPt，198Pt(n， 2n)197mPt， 192Pt(n，2n)191Pt，194Pt(n，p)194Ir，195Pt(n，p)195mIr和 196Pt(n，p)196mIr反应截面进行了测量，由(13.5±0.2)，(14.1±0.1)和(14.6±0.2)MeV中子引起的198Pt(n，2n)197m+gPt反应截面分别为(2038±159)，(1919±73)和(1836±68)mb，198Pt(n，2n)197mPt反应截面为(974±37)，(1055±39)和(1042±39)mb；由(14.1±0.1)，(14.4±0.2)和(14.6±0.2)MeV中子引起的192Pt(n，2n)191Pt反应截面为(1680±103)，(1810±67)和(2047±97)mb；由(14.1±0.1) 和(14.4±0.2)MeV中子引起的194Pt(n，p)194Ir反应截面为(3.8±0.4)和(5.4±0.5)mb；由(14.1±0.1)，(14.4±0.2)MeV和(14.6±0.2)MeV中子引起的195Pt(n，p)195mIr反应截面为(1.0±0.2)，(1.6±0.2)和(1.8±0.2)mb；由(13.5±0.2)和(14.4±0.2)MeV中子引起的196Pt(n，p)196mIr反应截面分别为(1.13±0.07)和(1.18±0.06)mb. 本工作的数据和其他一些作者的数据进行了比较.     

1—50ev能区e—He散射总截面的绝对测量

文章详细地介绍了一台快脉冲电子飞行时间谱仪，在谱仪上测量了１—５０ｅＶ能区的ｅ—Ｈｅ散射绝对总截面（ＴＣＳ），测量的精度优于５％，与其它的实验结果和理论计算值比较，在误差范围内符合得较好，文章也介绍了实验方法和误差分析。 关键词：     

1～1000keV能区X射线闪烁探测器灵敏度的标定

本文介绍利用六种标准X光同位素源和亚千电子伏X光源，采用直流法对XP 1110(或XP1115)光电倍增管与NaI(T1)闪烁体装配成的闪烁探测器在1～1000keV能区范围内的灵敏度进行标定，给出了在三种不同的高压下，不同厚度的新旧两种NaI晶体配制：XP1110或XP1115闪烁探测器的标定结果，且给出了这些结果的灵敏度曲线。文章对利用质子激发铝靶国内首次产生的1.5keV的X光作为光源对该闪烁探测器低能道的灵敏度标定，作了简要介绍。文章还对用氮灯作为光源模拟激光打靶对该探测器的幅值线性和积分线性进行了探讨。     

12C+13C在库仑位垒以下能区的熔合截面测量

深垒下能区的12C+13C熔合截面测量对检验天体中熔合反应外推模型具有很重要的意义。目前在库仑位垒以下能区存在的各种测量结果,都利用了统计模型来修正得到熔合截面,但对于这些方法间的系统误差仍没有很好地研究。实验采用离线活度测量的方法,在E_c.m.=4.4～5.8 MeV能区内对12C+13C熔合截面进行测量。经Hauser-Feshbach统计模型对分支比的修正后,熔合总截面由24Na活度推导出。通过本实验数据与其它实验方法获得的数据进行比较,确定了统计模型的系统误差为14%。The study of fusion reactions of 12C+13C at the deep sub-barrier energies is very important for the test of predictive power of the extrapolation models for nuclear reactions for astrophysics. Until now, all the measurements below Coulomb barrier energies have to use the statistical model calculations to estimate the branching ratios to deduce the total fusion cross sections. However, the systematic uncertainty induced by the calculated corrections has not been studied well. In this experiment, the fusion cross sections of 12C+13C have been measured using an offline activity measurement in the range of E_c.m.=4.4 to 5.8 MeV. The total fusion cross sections have been deduced from the 24Na activities after correcting the branching ratios estimated with the Hauser-Feshbach statistical model. Through the comparison between our result and other data obtained with other methods, the systematic uncertainty of statistical model has been determined to be 14%.     

能量范围从20keV到34keV的锆元素K壳层电离截面

 用20~34keV能量的电子束轰击锆靶,从而测得锆元素的K壳层电离截面。这些数据是国际上首次报道。在实验中采用电子输运双群模型修正了由厚衬底产生的反射电子对计数的影响。同时用蒙特卡罗EGS4程序计算了电子在质量厚度为24.3mg/cm²的锆靶中的平均路径长度。     

能量范围从20keV到34keV的锆元素K壳层电离截面

用20~34keV能量的电子束轰击锆靶,从而测得锆元素的K壳层电离截面。这些数据是国际上首次报道。在实验中采用电子输运双群模型修正了由厚衬底产生的反射电子对计数的影响。同时用蒙特卡罗EGS4程序计算了电子在质量厚度为24.3mg/cm2的锆靶中的平均路径长度。     

X射线二极管在2～6 keV能区的灵敏度退化研究

利用北京同步辐射装置4B7B束线,在2.1～5.9 keV能区,对“强光一号”加速器Z箍缩实验中常用的Al和Au阴极X射线二极管进行了谱响应标定。对比了不同阴极材料(Au和Al)、加工方式(蒸镀Al和机械加工固体Al)及使用条件(参与实验发次)对探测器谱响应分散性及退化程度的影响。长期储存后的镀Au阴极仍有较好的谱响应一致性,但灵敏度退化明显,比文献报道新鲜Au阴极数据低70%以上,使用中还会进一步降低。Al阴极在保存和使用中的灵敏度退化相对较轻。新鲜的固体Al阴极谱响应分散性较小,灵敏度较文献报道数据略高,使用过10～40发次并保存9个月后灵敏度平均下降约20％～30%。镀Al阴极的谱响应分散性较大,相对偏差可达20%。初步探讨了定期更换以减轻灵敏度退化影响的可行性。     

X射线二极管在2～6keV能区的灵敏度退化研究

利用北京同步辐射装置4B7B束线,在2.1~5.9 keV能区,对"强光一号"加速器Z箍缩实验中常用的Al和Au阴极X射线二极管进行了谱响应标定。对比了不同阴极材料(Au和Al)、加工方式(蒸镀Al和机械加工固体Al)及使用条件(参与实验发次)对探测器谱响应分散性及退化程度的影响。长期储存后的镀Au阴极仍有较好的谱响应一致性,但灵敏度退化明显,比文献报道新鲜Au阴极数据低70%以上,使用中还会进一步降低。Al阴极在保存和使用中的灵敏度退化相对较轻。新鲜的固体Al阴极谱响应分散性较小,灵敏度较文献报道数据略高,使用过10~40发次并保存9个月后灵敏度平均下降约20%~30%。镀Al阴极的谱响应分散性较大,相对偏差可达20%。初步探讨了定期更换以减轻灵敏度退化影响的可行性。     

250—1400eV能区N2分子的电子散射全截面测量

建立了一套直线透射式全截面测量装置,并测量了250—1400eV能区N₂分子的电子散射全截面,实验误差为3.5%。测量的结果与已报道实验和理论工作做了比较。 关键词：     

热等离子体内的光电截面研究

考虑温度、物质密度效应，用相对论Ｄｉｒａｃ自洽场含温有界原子模型，给出了热物质中连续态电子波函数的能态密度。通过研究Ａｕ、Ｆｅ、Ａｒ、Ｋｒ等元素，分析了光电截面随温度、物质密度的变化规律。     

CsI光阴极在10-100 keV X射线能区的响应灵敏度计算

为了满足10-100 keV高能X射线光电探测器研究的需要,对CsI光阴极在该能量范围的响应灵敏度进行了研究.基于高能量X射线光子与材料相互作用的物理过程,分析了康普顿散射等效应对CsI响应灵敏度的影响.推导了CsI的响应灵敏度与二次电子平均逃逸深度和光阴极厚度的关系式和二次电子平均逃逸深度与入射光子能量的关系式,计算了CsI在10-100 keV范围内的响应灵敏度,计算结果与实验测试数据相符,验证了分析与推导的可靠性.根据计算可以获得不同入射X射线能量下CsI光阴极的最佳厚度,从而为高能X射线光电探测器的设计优化提供了理论参考.