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有的教科书在“安培力、磁感应强度”一节中,为了说明安培力现象和安培力大小的决定因素,介绍用4根导线把1根直导线悬吊在3个并列的蹄形磁铁两极间来进行实验演示,导线通电后,根据导线摆动的角度来比较安培力的大小. 相似文献
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用控制变量法探究决定安培力(F=BIL)大小的因素时,有的用串联不同节数的干电池来研究电流这个因素,结果发现效果总不佳(对比度低),下面分析其原因. 相似文献
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利用单盘天平、磁极、教学用的电表、变阻器等器材自制了安培力定量演示装置.该装置通过单盘天平可计算出安培力,并与电流计所示值及裸导线长度做比较,得出定量的结论. 相似文献
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编辑同志 :本人在学习文献 [1 ]的过程中感到§ 1 1 -8“磁场对载流导线的作用”中对安培力起源的解释有值得商榷之处 .文中说 :“这些正离子所受霍耳 (应为霍尔———编者注 )电场的合力的宏观效果便是电流元在磁场中所受的安培力dF =dNF+=-dNev×B =-nSevdL×B =IdL×B (1 1 -3 9)式中IdL =-nesvdL ,……”以上这段文字对安培力来源的说法并不确切 .因为正离子所受到霍尔电场的合力也有其反作用力 ,这个反作用力便作用在导线上、下两侧面上 ,而正离子与导线上、下两侧面同属于导线这个系统 .正离子受到的霍… 相似文献
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安培环路定理是电磁场理论的重要内容.但是在电磁学教学中,这个定理的证明不够充分.一般教材中只是对一特殊情况(无限长直载流导线)根据华奥-萨伐尔定律作出简单证明,对于任意形状栽流回路的普遍情况,由于数学上的困难,未加证明.麦克斯韦提出位移电流假设以后,又将此定理推广到变化电磁场的一般情况,得到麦克斯韦方程组的一个重要方程.鉴于安培环路定理的重要性,我们在教学中,配合讲授用演示实验加以辅助证明,显著提高了教学效果.一、基本原理 在非稳恒电流情况下,电磁场的环路定理可以表示如下:上式右端第一项 ,为穿过任意回路L的传导电流… 相似文献
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安培力与洛仑兹力的关系王佩麟(南京电力专科学校210000)安培力和洛仑兹力是两个不同的概念,但由于载流导线中的电流是由大量自由电子的定向漂移运动形成,因此安培力和洛仑兹力之间必然存在着某种关系.许多“物理学”及“电磁学”中对它们之间的关系作了或多或... 相似文献
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在"磁场"一章中大家关注电源电流安培力的大小计算和方向判断,在"电磁感应"一章中关注感应电流方向的判断和大小计算.感应电流的安培力在电磁学部分出现了盲点,教学中也发现学生在解决涉及此类问题时确实把握不住要领而出错.为此笔者就其一些显著特点做一阐述,望同行指教. 相似文献
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关于安培力与洛伦兹力,现行中专物理教材提到:“(磁场)作用在通电导线上的安培力,只不过是作用在运动电荷上的力(洛伦兹力)的宏观表现”.高级中学课本《物理》甲种本上说“安培力可以看成是这一段通电导体中所有定向运动的电荷所受洛伦兹力的总和”.那么定向运动的电子所受到的洛伦兹力是怎样成为载流导体的安培力的?本文就此问题谈谈自己的一点看法. 1 磁场中静止的载流导体如图所示的载流导体,电流强度为I,处在方向向左的匀强磁场B中,因为载流导体中每个定向运动的电子,都要受到一个洛伦兹力f_L的作用,其大小F_L=evB,方向沿 Z,这导致导体A侧出现负电荷的堆积,B侧出现正电荷的堆积,结果在载流导体上下两侧产生一个U_(BA)的电位差,形成一个沿 Z的横向电场E,故每个定向运动的电子受到一个沿—Z 相似文献
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感应电流通过直导线时,直导线在磁场中要受到安培力的作用,当导线与磁场垂直时,安培力的大小为F=BLI.在时间△t内安培力的冲量F△t=BLI△t=BLq=BL △φ/R式中q是通过导体截面的电荷.在一定条件下,利用该公式解答问题十分简便. 相似文献
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现行高中教材(必修)第二册第76页介绍的左手定则是用来判断安培力方向的.其内容为:"伸开左手,使大拇指跟其余四个手指垂直,并且都跟手掌在一个平面内,把手放入磁场中,让磁感线垂直穿过手心,并使伸开的四指指向电流的方向,那么,拇指所指的方向,就是通电导线在磁场中的受力方向."用这个方法判断导线的受力方向,确实很好.而且把磁场、电流、安培力三个物理量方向的关系,在一只手上表示出来,很方便.但是,我在多年的教学实践中,发现这个定则也有一些缺点.例如,有些时候由于方位的关系,左手用起来很别扭.当磁场的方向与电流的方向不垂直时,如何让磁感线垂直穿过手心,有些费解.在磁场和电磁感应这一段内容中有用右手判断电流的磁场方向的安培定则,有用右手判断感应电动势方向的右手定则,有用左手判断安培力的左手定则.什么时候用左手,什么时候用右手,有些学生分不太清楚.基于这些原因,我想能不能用其他的方法判断.经过分析探索,找到了一些简单易行的方法,向同行们介绍以求赐教. 相似文献
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关于安培力的微观机制 总被引:3,自引:0,他引:3
在纠正了传统错误以后,若把安培力解释为自由电子对霍尔电场的反作用力,仍然存在一些问题.本文分别讨论了霍尔系数为负值的单价金属导体、霍尔系数为任意值的三种半导体和霍尔系数为零的非单价金属导体中,安培力的经典微观机制. 相似文献