C波段4W砷化镓功率场效应晶体管

介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。     

C频段内匹配砷化镓功率场效应晶体管

采用离子注入、多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、г形栅、空气桥、通孔接地和电镀热沉等先进技术，在直径５０ｍｍＧａＡｓ片上制作了总栅宽为９．６ｍｍ的功率场效应晶体管芯片。用４枚这种芯片并联，在其输入端和输出端分别加入内匹配电路，制成了Ｃ频段内匹配功率场效应晶体管。在大于５００ＭＨｚ的带宽内，１ｄＢ增益压缩输出功率达１８Ｗ，１ｄＢ压缩增益为８．３ｄＢ，功率附加效率达３０％。     

采用砷化镓场效应晶体管的微波放大器

本文描述了砷化镓场效应晶体管技术的现状,给出了这种器件的特性曲线,以及各种用于1～8GHz微波放大器的设计方法和要求。     

S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能

对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44％,而且在2～4GHz的整个S频段均能满意地工作。     

C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一咱快速评价GaAs微波功率场效应晶体管的方法－高温加速寿命试验，利用该方法对C波段GaAs功率场效应晶体管DX0011进行可靠性评估。在偏置VDS＝8V，IDS－375mA，沟道温度Tch=110℃下，10年的失效率λ≈27FIT。其主要失效模式是IDSS退化，激活能E－1．28eV。     

结型场效应功率晶体管的设计

介绍了功率JFET，给出了新的器件结构和设计方法。     

通信卫星用GaAs微波场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管可靠性的方法，利用该方法对ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管ＣＸ５６２进行可靠性评估。     

功率MOS场效应晶体管及其应用

文章简要介绍了功率MOSFET的基本功能,对选用功率MOSFET需考虑的问题进行了归纳总结,并通过一个实用的无刷直流电机驱动电路来介绍功率MOSFT应用中要重视的技术关键。     

微波功率场效应晶体管放大器的实验研究

本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给出国产BD4001型FET的设计实例。用微带工艺在30×50×1mm陶瓷基片上制作的E波段功放,获得了与计算结果吻合的实验数据,并已作为FET功放的第一级运用于某型雷达,获得了良好的结果。     

高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计

高压功率VDMOS场效应晶体管在国内尚属开发新产品.本文就高压功率VDMOS场效应晶体管的版图设计考虑作一介绍.实际设计了耐压450伏、电流容量为5安培的VDMOS场效应晶体管版图.试制结果说明设计是可行的.     

400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管

研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出２５０Ｗ，增益１０ｄＢ，漏极效率６０％．