3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性

研究了温度作用下3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失过程，发现和证实了普通硬磁泡(OHBs)，第Ⅰ类哑铃畴(IDs)和第Ⅱ类哑铃畴(IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围，对同一样品而言，3类硬磁畴的起始临界温度是相同的，而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的，在临界温度范围内，3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的，而且是逐步消失的。     

三类硬磁畴畴壁结构分析

实验研究了硬磁畴在不同温度下的静态性质，发现具有相同数目ＶＢＬ的硬碰畴在不同温度下的存在形式不一定相同，从而揭示了三类硬磁畴畴壁结构的一致性，证明了直流偏场作用下硬磁畴缩灭时ＶＢＬ间的平衡间距随温度的升高而增大。     

直流偏磁场对三类硬磁畴畴壁长度的影响

在不同的直流偏磁场Ｈｂ下,测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）、宽度（Ｗ）和泡径（ｄ）．从而得到Ｌ、Ｗ和ｄ随Ｈｂ变化的曲线．结果表明,三类硬磁畴的畴壁长度都随Ｈｂ的增加而缩短．这些实验结果可为进一步的理论探讨提供实验依据     

温度对普通硬磁泡畴壁中VBL链的影响

实验研究了温度对普通硬磁泡（ＯＨＢ）畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界温度范围〔Ｔ１；Ｔ２〕，为准确测得ＶＢＬ链不稳定的最小临界温度提供了一种实验方法     

磁畴壁物理和布洛赫线存贮器研究现状和前景

主要介绍了磁泡的产生，消失和磁泡存贮器的特点、应用以及它的现状。另外，还介绍了布洛赫线存贮器的研究情况和应用前景。     

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中VBL对其缩灭场的影响

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中ＶＢＬ对其缩灭场的影响河北师范大学物理系唐贵德，孙会元，曹新国，聂向富本文以实验为依据，近似算出石榴石磁泡膜泡状硬磁畴的缩灭场及缩灭泡径与其畴壁中的ＶＢＬ数目的关系曲线，将这个多年来未能解决的问题向前推进了一步．在磁泡技术发...     

温度对第Ⅱ类哑铃畴畴长的影响

详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈ＇ｓｂ和硬泡标准场Ｈ＇０处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距Ｓｅｑ随温度的升高而增大。     

磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足.     

普通硬磁泡温度特性的进一步研究

实验研究了经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下的温度特性，通过与未经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下温度特性的对比，发现：在非压缩状态下，在Ｔ和Ｔ（Ｔ和Ｔ０是两个与样品参数有关的临界温度）之间，经温度作用后，所有的普通硬磁泡畴壁中的垂直布洛赫线都要丢失，且含有垂直布洛赫线少的普通硬磁泡最先被软化为软泡。     

转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线的消失

通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律.结果发现,转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失存在一个临界面内场范围[H(0)ip,Hip′],比不转动面内场时的临界面内场明显变窄,主要是由Hip′的迅速下降引起的.证明了面内场作用下VBL的最易消失方向为面内场与畴壁垂直的方向.     

温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T)也分别随温度的升高ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.     

温度对ⅠD畴壁内VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ⅠD畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)],当Hip＜H(1)ip(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip＞H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)ip(T)也分别随温度的升高而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.     

温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)相似文献   

温度对ⅡD畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,ⅡD畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL稳定存在;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ⅡDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.     

温度对第二类哑铃畴畴壁中VBL的影响

实验研究了非压缩状态下第二类哑铃畴（ⅡＤ）畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的温度稳定性，发现了与材料参量有关的两个重要温度（Ｔ）（ⅡＤ）与（Ｔ０）（ⅡＤ）当温度达到（Ｔ　）（ⅡＤ）时，ⅡＤ畴壁中的ＶＢＬ开始丢失；当温度达到（Ｔ０）（ⅡＤ）时，所有ⅡＤ畴壁中的ＶＢＬ链全部解体。在（Ｔ　　）（ⅡＤ）与（Ｔ０）（ⅡＤ）之间，温度越高，ⅡＤ畴壁中丢失的ＶＢＬ数目越多。     

面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响

实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hip(1),Hip(2)],其中Hip(1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hip(2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hip(1))IID＜(Hip(1))ID＜(Hip(1))OHB;(Hip(2))IID=(Hip(2))ID=(Hip(2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hip(1)和Hip*以及范围[Hip(1),Hip*]都随着Hb的增加而减小或变窄.     

准化学平衡条件下温度对烧结液相生成的影响

对Fe2O3-SiO2-CaO—Al2O3-MgO五元体系在准化学平衡条件的液相生成过程进行了研究。采用光学显微镜、X—Ray和SEM,对不同温度下体系液相生成量及成分进行了分析。结果表明：温度越高液相生成量越多,液相成分随温度的增加发生改变,温度对镁元素的微观分布影响较小,M如在赤铁矿为主要原料的烧结体系中会与Fe2O3结合生成MgO·Fe2O3矿物;随着温度的升高SFCA中的Fe2O3含量升高,液相量增加;Al2O3含量升高,利于交织结构的铁酸钙（FC）的形成,可提高烧结矿强度。